用於集成電路仿真和設計的FinFET建模/基於BSIM-CMG標準 ![](/liaode/images/fjie0.gif)
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隨著集成電路工藝特征尺寸進入28nm以下節點,傳統的平面MOSFET結構已不再適用,新型的三維晶體管(FinFET)結構逐漸成為摩爾定律得以延續的重要保證。本書從三維結構的原理、物理效應入手,詳細討論了FinFET緊湊模型(BSIM-CMG)產生的背景、原理、參數以及實現方法;同時討論了在模擬和射頻集成電路設計中所采用的仿真模型。本書避開了繁雜的公式推導,而進行了更為直接的機理分析,力求使得讀者從工藝、器件層面理解BSIM-CMG的特點和使用方法。本書可以作為微電子學與固體電子學、電子信息工程等專業高年級本科生、研究生的專業教材和教師參考用書,也可以作為工程師進行集成電路仿真的FinFET模型手冊。
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