本書對符合工業界標準的ＢＳＩＭＦｉｎＦＥＴ模型（ＢＳＩＭ－ＣＭＧ）進行了深入討論。針對ＦｉｎＦＥＴ晶體管結構、量子效應、洩漏電流、寄生參數、噪聲、基準測試、模型參數提取流程以及溫度特性分別進行了分析，*後還對ＢＳＩＭ－ＣＭＧ中的各類參數進行了詳細說明。FinFET器件相比傳統的平面晶體管來說有明顯優勢。首先，FinFet溝道一般是輕摻雜甚至不摻雜的，它避免了離散的摻雜原子的散射作用，同重摻雜的平面器件相比，載流子遷移率將會大大提高。另外，與傳統的平面CMOS相比，FinFET器件在抑制亞閾值電等

●內容待完善

隨著集成電路工藝特征尺寸進入28nm以下節點，傳統的平面MOSFET結構已不再適用，新型的三維晶體管（FinFET）結構逐漸成為摩爾定律得以延續的重要保證。本書從三維結構的原理、物理效應入手，詳細討論了FinFET緊湊模型（BSIM-CMG）產生的背景、原理、參數以及實現方法；同時討論了在模擬和射頻集成電路設計中所采用的仿真模型。本書避開了繁雜的公式推導，而進行了更為直接的機理分析，力求使得讀者從工藝、器件層面理解BSIM-CMG的特點和使用方法。本書可以作為微電子學與固體電子學、電子信息工程等專業高年級本科生、研究生的專業教材和教師參考用書，也可以作為工程師進行集成電路仿真的FinFET模型手冊。