[ 收藏 ] [ 简体中文 ]  
臺灣貨到付款、ATM、超商、信用卡PAYPAL付款,4-7個工作日送達,999元臺幣免運費   在線留言 商品價格為新臺幣 
首頁 電影 連續劇 音樂 圖書 女裝 男裝 童裝 內衣 百貨家居 包包 女鞋 男鞋 童鞋 計算機周邊

商品搜索

 类 别:
 关键字:
    

商品分类

  •  管理

     一般管理学
     市场/营销
     会计
     金融/投资
     经管音像
     电子商务
     创业企业与企业家
     生产与运作管理
     商务沟通
     战略管理
     商业史传
     MBA
     管理信息系统
     工具书
     外文原版/影印版
     管理类职称考试
     WTO
     英文原版书-管理
  •  投资理财

     证券/股票
     投资指南
     理财技巧
     女性理财
     期货
     基金
     黄金投资
     外汇
     彩票
     保险
     购房置业
     纳税
     英文原版书-投资理财
  •  经济

     经济学理论
     经济通俗读物
     中国经济
     国际经济
     各部门经济
     经济史
     财政税收
     区域经济
     统计 审计
     贸易政策
     保险
     经济数学
     各流派经济学说
     经济法
     工具书
     通货膨胀
     财税外贸保险类考试
     英文原版书-经济
  •  社会科学

     语言文字
     社会学
     文化人类学/人口学
     新闻传播出版
     社会科学总论
     图书馆学/档案学
     经典名家作品集
     教育
     英文原版书-社会科学
  •  哲学

     哲学知识读物
     中国古代哲学
     世界哲学
     哲学与人生
     周易
     哲学理论
     伦理学
     哲学史
     美学
     中国近现代哲学
     逻辑学
     儒家
     道家
     思维科学
     马克思主义哲学
     经典作品及研究
     科学哲学
     教育哲学
     语言哲学
     比较哲学
  •  宗教

  •  心理学

  •  古籍

  •  文化

  •  历史

     历史普及读物
     中国史
     世界史
     文物考古
     史家名著
     历史地理
     史料典籍
     历史随笔
     逸闻野史
     地方史志
     史学理论
     民族史
     专业史
     英文原版书-历史
     口述史
  •  传记

  •  文学

  •  艺术

     摄影
     绘画
     小人书/连环画
     书法/篆刻
     艺术设计
     影视/媒体艺术
     音乐
     艺术理论
     收藏/鉴赏
     建筑艺术
     工艺美术
     世界各国艺术概况
     民间艺术
     雕塑
     戏剧艺术/舞台艺术
     艺术舞蹈
     艺术类考试
     人体艺术
     英文原版书-艺术
  •  青春文学

  •  文学

     中国现当代随笔
     文集
     中国古诗词
     外国随笔
     文学理论
     纪实文学
     文学评论与鉴赏
     中国现当代诗歌
     外国诗歌
     名家作品
     民间文学
     戏剧
     中国古代随笔
     文学类考试
     英文原版书-文学
  •  法律

     小说
     世界名著
     作品集
     中国古典小说
     四大名著
     中国当代小说
     外国小说
     科幻小说
     侦探/悬疑/推理
     情感
     魔幻小说
     社会
     武侠
     惊悚/恐怖
     历史
     影视小说
     官场小说
     职场小说
     中国近现代小说
     财经
     军事
  •  童书

  •  成功/励志

  •  政治

  •  军事

  •  科普读物

  •  计算机/网络

     程序设计
     移动开发
     人工智能
     办公软件
     数据库
     操作系统/系统开发
     网络与数据通信
     CAD CAM CAE
     计算机理论
     行业软件及应用
     项目管理 IT人文
     计算机考试认证
     图形处理 图形图像多媒体
     信息安全
     硬件
     项目管理IT人文
     网络与数据通信
     软件工程
     家庭与办公室用书
  •  建筑

  •  医学

     中医
     内科学
     其他临床医学
     外科学
     药学
     医技学
     妇产科学
     临床医学理论
     护理学
     基础医学
     预防医学/卫生学
     儿科学
     医学/药学考试
     医院管理
     其他医学读物
     医学工具书
  •  自然科学

     数学
     生物科学
     物理学
     天文学
     地球科学
     力学
     科技史
     化学
     总论
     自然科学类考试
     英文原版书-自然科学
  •  工业技术

     环境科学
     电子通信
     机械/仪表工业
     汽车与交通运输
     电工技术
     轻工业/手工业
     化学工业
     能源与动力工程
     航空/航天
     水利工程
     金属学与金属工艺
     一般工业技术
     原子能技术
     安全科学
     冶金工业
     矿业工程
     工具书/标准
     石油/天然气工业
     原版书
     武器工业
     英文原版书-工业技
  •  农业/林业

  •  外语

  •  考试

  •  教材

  •  工具书

  •  中小学用书

  •  中小学教科书

  •  动漫/幽默

  •  烹饪/美食

  •  时尚/美妆

  •  旅游/地图

  •  家庭/家居

  •  亲子/家教

  •  两性关系

  •  育儿/早教

     保健/养生
     体育/运动
     手工/DIY
     休闲/爱好
     英文原版书
     港台图书
     研究生
     工学
     公共课
     经济管理
     理学
     农学
     文法类
     医学
  • 半導體物理學(第8版)
    該商品所屬分類:自然科學 -> 物理學
    【市場價】
    662-960
    【優惠價】
    414-600
    【作者】 劉恩科 
    【所屬類別】 圖書  自然科學  物理學  理論物理學 
    【出版社】電子工業出版社 
    【ISBN】9787121454141
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
    一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品
    一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品
    一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
    【本期贈品】①優質無紡布環保袋,做工棒!②品牌簽字筆 ③品牌手帕紙巾
    版本正版全新電子版PDF檔
    您已选择: 正版全新
    溫馨提示:如果有多種選項,請先選擇再點擊加入購物車。
    *. 電子圖書價格是0.69折,例如了得網價格是100元,電子書pdf的價格則是69元。
    *. 購買電子書不支持貨到付款,購買時選擇atm或者超商、PayPal付款。付款後1-24小時內通過郵件傳輸給您。
    *. 如果收到的電子書不滿意,可以聯絡我們退款。謝謝。
    內容介紹



    包裝:平塑
    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787121454141

    作者:劉恩科
    出版社:電子工業出版社
    出版時間:2023年05月 


        
        
    "

    內容簡介
    本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章,主要內容為:半導體的晶格結構和電子狀態;雜質和缺陷能級;載流子的統計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產生、復合及其運動規律;pn結;金屬和半導體的接觸;半導體表面及MIS結構;半導體異質結構;半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現像和非晶態半導體。本書提供配套的教學大綱、電子課件PPT等教學資源。本書可作為高等學校集成電路科學與工程等相關專業學生半導體物理等相關課程的教材,也可供相關專業的科技人員參考。
    作者簡介
    劉恩科,西安交通大學教授?p博士生導師,一直從事教學及科研工作。對本科生講授過普通物理學、原子物理學、固體物理學、半導體物理學、半導體物理與器件、半導體器件工藝、半導體物理與工藝實驗。對碩士生講授過太陽電池物理、半導體集成光學。對博士生講授過半導體光電子學和光集成等課程。
    目錄
    目錄
    第1章半導體中的電子狀態1
    1.1半導體的晶格結構和結合性質1
    1.1.1金剛石型結構和共價鍵1
    1.1.2閃鋅礦型結構和混合鍵2
    1.1.3纖鋅礦型結構3
    1.2半導體中的電子狀態和能帶4
    1.2.1原子的能級和晶體的能帶4
    1.2.2半導體中電子的狀態和能帶6
    1.2.3導體、半導體、絕緣體的能帶10
    1.3半導體中電子的運動———有效質量11
    1.3.1半導體中E(k)與k的關繫[3] 11
    1.3.2半導體中電子的平均速度12
    1.3.3半導體中電子的加速度12目錄

    第1章半導體中的電子狀態1

    1.1半導體的晶格結構和結合性質1

    1.1.1金剛石型結構和共價鍵1

    1.1.2閃鋅礦型結構和混合鍵2

    1.1.3纖鋅礦型結構3

    1.2半導體中的電子狀態和能帶4

    1.2.1原子的能級和晶體的能帶4

    1.2.2半導體中電子的狀態和能帶6

    1.2.3導體、半導體、絕緣體的能帶10

    1.3半導體中電子的運動———有效質量11

    1.3.1半導體中E(k)與k的關繫[3] 11

    1.3.2半導體中電子的平均速度12

    1.3.3半導體中電子的加速度12

    1.3.4有效質量的意義13

    1.4本征半導體的導電機構———空穴[3] 14

    1.5回旋共振[4] 16

    1.5.1k空間等能面16

    1.5.2回旋共振18

    1.6硅和锗的能帶結構19

    1.6.1硅和锗的導帶結構19

    1.6.2硅和锗的價帶結構22

    1.7Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構[7] 24

    1.7.1銻化銦的能帶結構24

    1.7.2砷化鎵的能帶結構[8] 25

    1.7.3磷化鎵和磷化銦的能帶結構25

    1.7.4混合晶體的能帶結構25

    ★1.8Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構26

    ★1.8.化合物的能帶結構26

    ★1.8.2混合晶體的能帶結構27

    ★1.9Si1-xGex合金的能帶27

    ★1.10寬禁帶半導體材料29

    ★1.10.1GaN、AlN的晶格結構和能帶[18] 30

    ★1.10.2SiC的晶格結構和能帶32

    習題35

    參考資料35

    第2章半導體中雜質和缺陷能級37

    2.1硅、锗晶體中的雜質能級37

    2.1.1替位式雜質和間隙式雜質37

    2.1.2施主雜質、施主能級38

    2.1.3受主雜質、受主能級39

    2.1.4淺能級雜質電離能的簡單計算[2,3] 41

    2.1.5雜質的補償作用41

    2.1.6深能級雜質42

    2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級45

    ★2.3氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中的雜質能級50

    2.4缺陷、位錯能級52

    2.4.1點缺陷52

    2.4.2位錯53

    習題54

    參考資料55

    第3章半導體中載流子的統計分布56

    3.1狀態密度[1,2] 56

    3.1.1k空間中量子態的分布56

    3.1.2狀態密度57

    3.2費米能級和載流子的統計分布59

    3.2.1費米分布函數59

    3.2.2玻耳茲曼分布函數60

    3.2.3導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度61

    3.2.4載流子濃度乘積n0p0 64

    3.3本征半導體的載流子濃度64

    3.4雜質半導體的載流子濃度67

    3.4.1雜質能級上的電子和空穴67

    3.4.2n型半導體的載流子濃度68

    3.5一般情況下的載流子統計分布76

    3.6簡並半導體[2,5] 81

    3.6.1簡並半導體的載流子濃度81

    3.6.2簡並化條件82

    3.6.3低溫載流子凍析效應83

    3.6.4禁帶變窄效應85

    3.7電子占據雜質能級的概率[2,6,7] 86

    3.7.1電子占據雜質能級概率的討論86

    3.7.2求解統計分布函數88

    習題89

    參考資料90

    第4章半導體的導電性92

    4.1載流子的漂移運動和遷移率92

    4.1.1歐姆定律92

    4.1.2漂移速度和遷移率93

    4.1.3半導體的電導率和遷移率93

    4.2載流子的散射94

    4.2.1載流子散射的概念94

    4.2.2半導體的主要散射機構[1] 95

    4.3遷移率與雜質濃度和溫度的關繫102

    4.3.1平均自由時間和散射概率的關繫102

    4.3.2電導率、遷移率與平均自由時間的關繫102

    4.3.3遷移率與雜質和溫度的關繫104

    4.4電阻率及其與雜質濃度和溫度的關繫108

    4.4.1電阻率和雜質濃度的關繫108

    4.4.2電阻率隨溫度的變化110

    ★4.5玻耳茲曼方程[11]、電導率的統計理論110

    ★4.5.1玻耳茲曼方程111

    ★4.5.2弛豫時間近似112

    ★4.5.3弱電場近似下玻耳茲曼方程的解113

    ★4.5.4球形等能面半導體的電導率114

    4.6強電場下的效應[12]、熱載流子115

    4.6.1歐姆定律的偏離115

    ★4.6.2平均漂移速度與電場強度的關繫116

    ★4.7多能谷散射、耿氏效應120

    ★4.7.1多能谷散射、體內負微分電導120

    ★4.7.2高場疇區及耿氏振蕩122

    習題123

    參考資料125

    第5章非平衡載流子126

    5.1非平衡載流子的注入與復合126

    5.2非平衡載流子的壽命127

    5.3準費米能級129

    5.4復合理論130

    5.4.1直接復合131

    5.4.2間接復合132

    5.4.3表面復合137

    5.4.4俄歇復合139

    5.5陷阱效應141

    5.6載流子的擴散運動143

    5.7載流子的漂移擴散、愛因斯坦關繫式147

    5.8連續性方程式149

    5.9硅的少數載流子壽命與擴散長度153

    習題154

    參考資料155

    第6章pn結156

    6.1pn結及其能帶圖156

    6.1.1pn結的形成和雜質分布[13] 156

    6.1.2空間電荷區157

    6.1.3pn結能帶圖158

    6.1.4pn結接觸電勢差159

    6.1.5pn結的載流子分布160

    6.2pn結電流-電壓特性161

    6.2.1非平衡狀態下的pn結161

    6.2.2理想pn結模型及其電流-電壓方程[4] 164

    6.2.3影響pn結電流-電壓特性偏離理想方程的各種因素[1,2,5] 167

    6.3pn結電容[1,2,6] 171

    6.3.1pn結電容的來源171

    6.3.2突變結的勢壘電容173

    6.3.3線性緩變結的勢壘電容177

    6.3.4擴散電容180

    6.4pn結擊穿[1,2,8,9] 181

    6.4.1雪崩擊穿181

    6.4.2隧道擊穿(齊納擊穿)[10] 181

    6.4.3熱電擊穿183

    6.5pn結隧道效應[1,10] 183

    習題186

    參考資料186

    第7章金屬和半導體的接觸187

    7.1金屬半導體接觸及其能級圖187

    7.1.1金屬和半導體的功函數187

    7.1.2接觸電勢差188

    7.1.3表面態對接觸勢壘的影響190

    7.2金屬半導體接觸整流理論192

    7.2.1擴散理論193

    7.2.2熱電子發射理論195

    7.2.3鏡像力和隧道效應的影響197

    7.2.4肖特基勢壘二極管199

    7.3少數載流子的注入和歐姆接觸200

    7.3.1少數載流子的注入200

    7.3.2歐姆接觸201

    習題203

    參考資料203

    第8章半導體表面與MIS結構204

    8.1表面態204

    8.2表面電場效應[5,6] 207

    8.2.1空間電荷層及表面勢207

    8.2.2表面空間電荷層的電場、電勢和電容209

    8.3MIS結構的C-V特性216

    8.3.1理想MIS結構的C-V特性[5,7] 216

    8.3.2金屬與半導體功函數差對MIS結構C-V特性的影響[5] 220

    8.3.3絕緣層中電荷對MIS結構C-V特性的影響[7] 221

    8.4硅—二氧化硅繫統的性質[7] 223

    8.4.1二氧化硅層中的可動離子[8] 223

    8.4.2二氧化硅層中的固定表面電荷[7] 225

    8.4.3在硅—二氧化硅界面處的快界面態[5] 226

    8.4.4二氧化硅層中的電離陷阱電荷[7] 228

    8.5表面電導及遷移率228

    8.5.1表面電導[1] 228

    8.5.2表面載流子的有效遷移率229

    ★8.6表面電場對pn結特性的影響[7] 230

    ★8.6.1表面電場作用下pn結的能帶圖230

    ★8.6.2 表面電場作用下pn結的反向電流232

    ★8.6.3表面電場對pn結擊穿特性的影響234

    ★8.6.4表面純化235

    習題235

    參考資料236

    第9章半導體異質結構237

    9.1半導體異質結及其能帶圖[79] 237

    9.1.1半導體異質結的能帶圖237

    9.1.2突變反型異質結的接觸電勢差及勢壘區寬度243

    9.1.3突變反型異質結的勢壘電容[48] 245

    9.1.4突變同型異質結的若干公式246

    9.2半導體異質pn結的電流-電壓特性及注入特性246

    9.2.1突變異質pn結的電流—電壓特性[7,17] 247

    9.2.2異質pn結的注入特性[17] 250

    9.3半導體異質結量子阱結構及其電子能態與特性252

    9.3.1半導體調制摻雜異質結構界面量子阱252

    9.3.2雙異質結間的單量子阱結構254

    9.3.3雙勢壘單量子阱結構及共振隧穿效應[23] 258

    ★9.4半導體應變異質結構259

    ★9.4.1應變異質結260

    ★9.4.2應變異質結構中應變層材料能帶的改性261



     
    網友評論  我們期待著您對此商品發表評論
     
    相關商品
    在線留言 商品價格為新臺幣
    關於我們 送貨時間 安全付款 會員登入 加入會員 我的帳戶 網站聯盟
    DVD 連續劇 Copyright © 2024, Digital 了得網 Co., Ltd.
    返回頂部