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  • 硅集成電路工藝基礎第2版 關旭東 大學教材大中專 新華書店正版圖
    該商品所屬分類:教材 -> 教材
    【市場價】
    464-672
    【優惠價】
    290-420
    【出版社】北京大學出版社 
    【ISBN】9787301241097
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
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    內容介紹



    ISBN編號:9787301241097
    書名:硅集成電路工藝基礎第二版 硅集成電路工藝基礎第二版
    作者:無

    代碼:52
    是否是套裝:否
    出版社名稱:北京大學出版社

    適用學齡段:大學一年級

        
        
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    硅集成電路工藝基礎

    作  者: 關旭東
    size="731x8"
    定  價: 52
    size="731x8"
    出?版?社: 北京大學出版社
    size="731x8"
    出版日期: 2014年04月01日
    size="731x8"
    頁  數: 391
    size="731x8"
    裝  幀: 平裝
    size="731x8"
    ISBN: 9787301241097
    size="731x8"
    目錄
    ●章硅晶體和非晶體
    ●1.1硅的晶體結構
    ●1.1.l晶胞
    ●1.1.2原子密度
    ●1.1.3共價四面體
    ●1.1.4晶體內部的空隙
    ●1.2晶向、晶面和堆積模型
    ●1.2.1晶向
    ●1.2.2晶面
    ●1.2.3堆積模型
    ●1.2.4雙層密排面
    ●1.3硅晶體中的缺陷
    ●1.3.1點缺陷
    ●1.3.2線缺陷
    ●1.3.3面缺陷
    ●1.3.4體缺陷
    ●1.4硅中的雜質
    ●1.5雜質在硅晶體中的溶解度
    ●1.6非晶硅結構和特性
    ●1.6.1非晶硅的結構......
    內容虛線

    內容簡介

    size="789x11"

    關旭東編著的《硅集成電路工藝基礎(第2版21世紀微電子學專業規劃教材)》繫統地講述了硅集成電路制造的基礎工藝,重點放在工藝物理基礎和基本原理上。全書共十一章,其中靠前章簡單地講述了硅的晶體結構和非晶體結構及其特點,第二章到第九章分別講述了硅集成電路制造中的基本單項工藝,包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連,很後兩章分別講述的是工藝集成和薄膜晶體管的制裝工藝。
    本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生的教材或參考書,也可供從事集成電路制造的工藝技術人員閱讀。

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