●章緒論1
1.1Sb基化合物半導體材料特性及生長技術1
1.2InAs/AlSb異質結材料優勢5
1.3InAs/AlSb HEMT器件的研究進展7
1.4本書研究內容和安排10
第二章HEMT器件基礎理論13
2.1半導體異質結13
2.2調制摻雜和2DEG15
2.2.1調制滲雜15
2.2.2二維電子氣量子化17
2.2.3勢阱中的二維電子氣面密度19
2.3金屬半導體界面20
2.3.1歐姆接觸20
2.3.2肖特基接觸21
2.3.3費米能級釘扎效應24
2.4IInAs/AlSb HEMT器件工作原理25
2.4.1HEMT器件直流特性25
2.4.2HEMT器件交流特性29
2.5HEMT器件中容易出現的問題30
2.6本章小結33
……
內容簡介
本書包括五個部分,即Sb基高電子遷移率晶體管的應用及發展、高電子遷移率晶體管的工作原理、晶體管的仿真、器件外延材料生長、InAs/AlSb HEMT器件制作工藝。本書可被從事Sb基高電子遷移率晶體管的研究人員作為參考書。