產品名稱：磁摻雜拓撲絕緣體拓撲性質... ISBN編號：9787302491514 書名：磁摻雜拓撲絕緣體拓撲性質研究及新型拓撲材料的尋找（清華大學優秀博士學位論文叢書） 磁摻雜拓撲絕緣體拓撲性質研究及新型拓撲材料的尋找(清華大學優 作者：湯沛哲 代碼：99 開本：16開 是否是套裝：否 出版社名稱：清華大學出版社
" 磁摻雜拓撲絕緣體拓撲性質研究及新型拓撲材料的尋找 作 者:湯沛哲 著  定 價:99 出 版 社:清華大學出版社 出版日期:2018年11月01日 頁 數:160 裝 幀:精裝 ISBN:9787302491514  ●章 緒論
1.1 引言
1.2 拓撲絕緣體簡介
1.3 二維拓撲絕緣體
1.3.1 二維拓撲絕緣體——石墨烯
1.3.2 二維拓撲絕緣體——HgTe量子阱
1.3.3 二維拓撲絕緣體——第二類半導體異質結
1.4 三維拓撲絕緣體
1.4.1 強拓撲絕緣體
1.4.2 弱拓撲絕緣體
1.5 磁性摻雜的拓撲絕緣體
1.5.1 磁性摻雜的二維拓撲絕緣體
1.5.2 磁性摻雜的Bi2Se3族材料薄膜
1.6 論文結構和主要內容
第2章 理論方法
2.1 引言
2.2 絕熱近似
2.3 哈特裡-福克近似
2.3.1 哈特裡方程
2.3.2 福克近似
2.4 密度泛函理論
2.4.1 Hohenberg-Kohn定理
2.4.2 Kohn-Sham方程
2.4.3 交換關聯泛函
2.5 優選局域化瓦尼爾函數
第3章 Cr摻雜的Bi2Se3薄膜的磁性質
3.1 引言
3.2 計算方法
3.3 MBE方法生長的Cr摻雜Bi2Se3薄膜
3.3.1 實驗發現與困境
3.3.2 理論模擬和物理圖像
3.4 Cr沉積的Bi2Se3表面
3.4.1 實驗發現
3.4.2 理論模擬和物理圖像
3.5 本章小結
第4章 Cr摻雜的Bi2Te3和Sb2Te3薄膜的拓撲性質
4.1 引言
4.2 實驗發現
4.3 計算方法
4.4 Cr摻雜4QLSb2Te3薄膜的電子結構和拓撲性質
4.5 自旋極化的雙折射
4.5.1 自旋分辨的量子聚焦
4.5.2 自旋分辨的量子幻影
4.6 本章小結
第5章 Cr摻雜的Bi2(SexTe1.x)3薄膜的拓撲性質
5.1 引言
5.2 實驗發現
5.3 計算方法
5.4 Cr摻雜Bi2(SexTe1.x)3的拓撲性質
5.4.1 CryBi2.ySe3和CryBi2.yTe3的拓撲相變
5.4.2 Cr0.25Bi1.75(SexTe1.x)3的拓撲相變
5.5 有效理論與物理圖像
5.6 本章小結
第6章 弱拓撲絕緣體Bi2TeI
6.1 引言
6.2 計算方法
6.3 Bi2TeI的晶格結構
6.4 Bi2TeI的電子結構性質
6.5 BiTeI-Bi2-BiTeI薄膜的電子結構性質
6.6 本章小結
第7章 二素單質及其衍生物的拓撲性質
7.1 引言
7.2 計算方法
7.3 p-d雜化增大石墨烯的拓撲非平庸能隙
7.4 Ag(111)表面外延生長的硅烯的電子結構
7.5 二維拓撲絕緣體——SnX(X=F,Cl,Br,I,OH)
7.6 二維拓撲絕緣體——啞鈴狀錫烯
7.6.1 電子結構和拓撲性質
7.6.2 h-BN的啞鈴狀錫烯
7.6.3 InSb(111)-(2×2)表面的啞鈴狀錫烯
7.7 本章小結
參考文獻
致謝
在讀期間發表的學術論文與獲得的獎勵
 內容簡介  拓撲絕緣體作為一種新奇的量子材料，因其奇異的量子性質和廣闊的應用前景，現已成為凝聚態物理學很重要的研究熱點之一。磁摻雜拓撲絕緣體，顧名思義，就是在拓撲絕緣體材料中摻素，在體繫本征的拓撲特性中引入鐵磁序而形成的拓撲絕緣體。由於鐵磁序的引入，體繫喪失了時間反演對稱性，使得磁摻雜拓撲絕緣體往往能夠表現出與常規拓撲絕緣體迥異的電子結構性質。深刻地理解這些特性的物理起源，不僅可以深化人們對於拓撲絕緣體的認知，也可為未來設計基於拓撲絕緣體的自旋電子學器件奠定基礎。 "
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