產品名稱：硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝...

ISBN編號：9787568410304

書名：硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝層的研究 硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝層的研究

作者：杜文漢

代碼：35

開本：32開

是否是套裝：否

出版社名稱：江蘇大學出版社

●章 緒論
1.1 背景簡介
1.1.1 Sr/Si體繫研究的興起
1.1.2 硅基氧化物晶態外延生長研究近況
1.1.3 Sr/Si表面的研究近況
1.1.4 SrTiO3/Si(100)和Sr/Si體繫研究存在的問題
1.2 研究內容
1.3 主要實驗方法和儀器
1.3.1 PLD實驗方法
1.3.2 STM簡介
1.3.3 儀器繫統
第2章 Sr/Si(100)再構表面的制備
2.1 引言
2.2 Sr/Si(100)的獲得
2.2.1 Si(100)襯底再構表面的獲得
2.2.2 SrO/Si(100)的制備
2.2.3 SrO/Si(100)結構表征方法
2.3 Sr/Si(100)表面SrO晶態的形成
2.4 Sr/Si(100)高溫退火情況
2.5 高溫SrO/Si(100)表面隨時問的變化
2.6 結論
第3章 Sr/Si(100)-2×3表面的幾何結構及初始氧化研究
3.1 引言
3.2 實驗及理論計算方法
3.2.1 實驗方法
3.2.2 理論計算
3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的電子和幾何結構
3.3.1 Sr/Si(100)-2×3表面STM特征
3.3.2 I-V和dI/dV特性
3.3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的幾何結構與電子之間的相互關聯
3.3.4 Sr/Si(100)-2×3電子態變溫結果
3.3.5 Sr/Si(100)-2×6及2×3的極低偏壓圖像
3.4 Sr/Si(100)-2×3表面的初始氧化及其結構
3.4.1 Sr/Si(100)-2×3表面氧化及還原過程
3.4.2 氧的初始吸附和氧化位
3.5 Sr/Si(100)-2×3干淨表面的原始缺陷及其電子態
3.6 結論
第4章 Sr/Si(100)-2ב1’再構表面及原子的動態移動
4.1 引言
4.2 Sr/Si(100)-2ב1’表面的獲得
4.3 實驗主要結果及討論
4.3.1 Sr/Si(100)-2ב1’表面的結構
4.3.2 Sr/Si(100)-2ב1’表面室溫下原子的遷移現像
4.4 結論
第5章 Sr/Si(111)-3×2表面結構及原子遷移
5.1 引言
5.2 Sr/Si(111)-3×2表面的獲得
5.2.1 襯底Si(111)-7×7
5.2.2 Sr/Si(111)-3×2表面的獲得
5.3 Sr/Si(111)-3×2表面形貌及原子鏈的整體遷移
5.3.1 Sr/Si(111)-3×2表面的典型形貌
5.3.2 Sr/Si(111)-3×2表面的電子結構
5.3.3 Sr/Si(111)-3×2表面的結構模型
5.3.4 Sr原子鏈的移動現像及機制
5.4 結論
第6章 TiSi2/Si(100)納米島的STM研究
6.1 引言
6.2 實驗過程與結果分析
6.2.1 實驗過程
6.2.2 結果分析
6.3 納米島產生的原因
6.4 結論
第7章 總結及展望
7.1 主要結論
7.1.13 種表面再構的分析比較
7.1.2 幾種新現像的發現與解釋
7.2 展望
參考文獻