內容簡介
《電子技術基礎》為普通高等教育“十一五”規劃教材(高職高專教育)。全書共分為十章,主要內容有半導體器件、基本放大電路、集成運算放大器和負反饋放大電路、正弦波振蕩電路、直流穩壓電路、數字電路基礎、集成邏輯門電路和組合邏輯電路、集成觸發器與時序邏輯電路、DAC和ADC、存儲器和可編程邏輯器件。《電子技術基礎》各章均配有大量的例題和習題,便於學生正確理解課程內容,也便於自學。
《電子技術基礎》主要作為高職高專非電類相關專業的教材和函授培訓教材,亦供從事電工電子技術方面工作的工程技術人員參考。
空間電荷區裡,由於內部載流子擴散運動而形成內電場,內電場方向由N區指向P區。在內電場的作用下,少數載流子產生漂移運動,即N區的少子(空穴)漂移到P區,P區的少於(自由電子)漂移到N區。漂移運動的結果是使空間電荷區變窄。顯然,漂移運動的方向與擴散運動的方向相反。由於內電場阻止多子的擴散運動、增強少子的漂移運動,因此又將這個空間電荷區稱為阻擋層。
當多子的擴散運動和少子的漂移運動達到動態平衡時,由多子擴散運動所形成的擴散電流和少子的漂移運動所形成的漂移電流相等,且兩者方向相反。此時,空間電荷區的寬度一定,PN結電流為零,PN結處於動態的穩定狀態。
二、PN結的單向導電性
(一)正向特性
若PN結外加正向電壓,即P區接電源正極,N區接電源負極,則稱PN結處於正向偏置(簡稱正偏),如圖1.7所示。此時,在PN結處外電場方向與內......
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