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產品名稱:半導體激光器設計理論 半導 半導體激光器設計理論 是否是套裝:否 書名:半導體激光器設計理論 半導體激光器能帶結構和光增益的 半導體激光器設計理論 半導體激光器設計理論 半導體激光器能帶結構和光增益的 半導體激光器設計理論 代碼:178 出版社名稱:科學出版社 出版時間:2016年3月 作者:郭長志 開本:16開 ISBN編號:9787030473400
" 半導體激光器能帶結構和光增益的量子理論 作 者:郭長志 編著 定 價:178 出 版 社:科學出版社 出版日期:2016年03月01日 頁 數:479 裝 幀:精裝 ISBN:9787030473400 ●總序 ●引言 ●第1章半導體及其低維結構能帶理論 ●1.1能帶論的基礎 ●1.1.1單電子能帶模型的三個基本近似 ●1.1.2晶格周期性的作用 ●1.1.3晶格電子能譜及其表述方式 ●1.1.4能帶結構的計算 ●1.2有效質量分析與k·p微擾論 ●1.2.1有效質量分析 ●1.2.2k·p微擾論的有限個能帶模型 ●1.2.3凱恩簡並四帶模型,有自旋一軌道相互作用的k·p法 ●1.2.4拉廷格—科恩簡並價帶k·p微擾論 ●1.2.5應變對能帶結構的影響 ●1.2.6GaN的能帶結構 ●1.3非均勻半導體—半導體異質結構 ●1.3.1模型固體理論 ●1.3.2包絡函數理論和有效質量方程 ●1.3.3半導體量子阱的能帶結構 ●1.3.4量子阱的子帶結構...... 內容簡介 量子理論是研究半導體激光器中:①體半導體、量子阱、量子線、量子點等增益介質的電子能譜結構,及其②電子與輻射光場的相互作用,包括光的產生、吸收、放大和散射等涉及不同能帶之間、能帶以內不同子帶或各種晶格缺陷和雜質能級之間的光躍遷和非光躍遷、帶內散射和弛豫等決定半導體激光器涉及光電性能的重要量子行為。其中①和②分別用單電子近似理論和半經典理論處理。任務是研究對半導體激光器的激射閾值、激光功率、調制速率、器件結構和激光波段等的設計都有根本意義的激光材料光增益譜結構和激光量子效率等。郭長志編著的《半導體激光器能帶結構和光增益的量子理論》論述既重基礎又涉前沿,既重物理概念又重推導編程演算,很後對全量子理論也有簡要的介紹。 本書適合有關專業的研究人員和教師、研究生、大學高年級本科生作為專業課本、參考書或自修提高的讀物。 "![](http://img.alicdn.com/imgextra/i2/2455124912/TB25FwaolsmBKNjSZFsXXaXSVXa_!!2455124912-0-item_pic.jpg)
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