內容簡介
《硅技術的發展和未來》涵蓋了半導體硅及硅基材料、多晶硅和光伏技術、硅外延和薄膜、硅摻雜、器件、化合物半導體、品格缺陷、雜質影響等多方面的內容,並涉及量子計算機、碳納米管在微電子中的應用、情境智能繫統、大腦半導體等諸多新概念;繫統總結了世界半導體硅材料的發展歷史、研究現狀,並指出了今後的發展方向。其內容廣泛,數據詳實,可作為高等院校、科研院所和相關單位從事半導體材料學習、科研和開發人員的參考用書。
.3.3 器件結構的加工和退火
厚度小於平衡臨界厚度tcm啪的應變層具有固有的穩定性,但亞穩層通過明顯高於其生長溫度的熱處理也能使其變成穩定態。主要原因是SiGe結構的頂上有硅帽層,生長這一層有兩個用途:制備功能器件(如HBT的發射極)和便於完成某些加工,如氧化、覆蓋保護層。計及這一帽層,平衡臨界厚度增加一倍,但其動力學甚至更強,因為人們容易理解,從表面成核位置開始,位錯半環不會通過非應變的帽層。直到850℃,已成功生長出應變SiGe層。
對於小的熱負載(thermal budget)加工,瞬時增強擴散(TED)日益重要,這一點並非隻對異質結構如此。但在異質結構中,為抑制硼的擴散,一直十分強調碳摻雜的作用。間隙原......
"