冀婷、徐閏、朱燕艷、方澤波編著的《稀土高K
柵介質材料》全面繫統地介紹了稀土高k柵介質材料
的組成、結構、性能、制備及應用知識。並論述了稀
土金屬和合金材料、稀土磁性材料、稀土發光和激光
材料、稀土熱電和電子發射材料、稀土催化材料、稀
土儲氫材料和核材料、稀土超導材料、稀土高分子材
料、鈧及其材料應用等。

第1章 緒論
1.1 引言
1.2 MOSFET的按比例縮小
1.3 柵介質的按比例縮小
1.3.1 柵介質的漏電流和功率損耗
1.3.2 SiO2的極限問題
1.4 用高K材料代替SiO2作為柵介質的必要性及其特性需求
1.4.1 高介電常數與高K／Si界面勢壘
1.4.2 高K材料與Si的熱穩定性
1.4.3 高K材料與si的界面質量
1.4.4 高K材料的薄膜形態
1.4.5 工藝兼容性
1.5 稀土高K柵介質材料
參考文獻
第2章 薄膜的生長技術和表征技術
2.1 锗硅的分子束外延生長技術
2.1.1 分子束外延技術簡介
2.1.2 锗硅分子束外延繫統
2.1.3 硅襯底片的清洗
2.1.4 锗襯底片的清洗
2.2 表征技術
2.2.1 反射式高能電子衍射
2.2.2 俄歇電子能譜
2.2.3 原子力顯微鏡
2.2.4 X射線衍射
2.2.5 X射線光電子能譜
2.2.6 透射電子顯微鏡
2.2.7 電學性質表征
參考文獻
第3章 Er2O3薄膜的生長、結構及其物理性質
3.1 單晶Er2O3薄膜在si(001)襯底上的生長及電學性質
3.1.1 單晶Er2O3薄膜的生長
3.1.2 氣壓及襯底溫度對薄膜生長的影響
3.1.3 單晶Er2O3薄膜的電學性質
3.2 單晶Er203薄膜在si(111)襯底上的生長
3.2.1 不同襯底對薄膜結晶度的影響
3.2.2 不同襯底對薄膜表面形貌及界面的影響
3.3 非晶Er2O3薄膜在Si(001)襯底上的生長及電學性質
3.3.1 非晶Er2O3薄膜的生長
3.3.2 組分與結構特性
3.3.3 高真空退火樣品的電學性質
3.3.4 氧氣氛退火對非晶Er2O3薄膜結構及電學性質的影響
3.4 Er2O3薄膜的熱穩定性
3.4.1 氣氛對Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.4.2 溫度Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.4.3 襯底晶向Er2O3薄膜熱穩定性的影響
3.5 Er2O3／si的能帶偏移及漏電流輸運機制
3.5.1 Er2O3／si的能帶偏移
3.5.2 Al(Pt)／Er203／si結構的FN隧穿
參考文獻
第4章 Tm2o3薄膜的生長、結構及其物理性質
4.1 單晶Tm2o3薄膜在si(001)襯底上的生長及物理性質
4.1.1 單晶Tm2o3薄膜的生長
4.1.2 單晶Tm2o3薄膜的微結構
4.1.3 生長氣壓對薄膜微結構的影響
4.1.4 單晶Tm2o3薄膜的電學性質
4.1.5 單晶Tm2o3薄膜的熱穩定性
4.2 非晶Tm2o3薄膜在si(001)襯底上的生長及電學性質
4.2.1 非晶Tm2o3薄膜的生長
4.2.2 非晶Tm2o3薄膜的電學性質
4.3 Tm2o3／si的能帶偏移及漏電流輸運機制
4.3.1 Tm203／si的能帶偏移
4.3.2 Al(Pt)／Tm2o3／Si結構的FN隧穿
4.4 金屬／Tm2o3／si結構漏電流輸運機制及能帶圖
參考文獻
第5章 Er2O3薄膜在高遷移率襯底上的生長及物理性質
5.1 Er2O3薄膜在Ge(001)襯底上的生長及電學性質
5.1.1 Er2O3薄膜在Ge(001)襯底上的生長
5.1.2 溫度薄膜生長的影響
5.1.3 溫度對薄膜電學性質的影響
5.2 Er2O3／Ge的能帶偏移
5.3 Er2O3薄膜的局域電學性質及退火對其影響
5.3.1 Er2O3薄膜的形貌與局域電學性質
5.3.2 氧氣氛退火對薄膜局域電學性質的影響
5.3.3 氮氣氛退火對薄膜局域電學性質的影響
5.3.4 退火前後形貌特征
5.3.5 Er2O3薄膜的局域組分、結構與電學性質的關繫
參考文獻