| | | 透明氧化物半導體(精)/半導體科學與技術叢書 | 該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信 | 【市場價】 | 1355-1964元 | 【優惠價】 | 847-1228元 | 【介質】 | book | 【ISBN】 | 9787030416643 | 【折扣說明】 | 一次購物滿999元台幣免運費+贈品 一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品 一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品 一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
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出版社:科學
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ISBN:9787030416643
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作者:馬洪磊//馬瑾|主編:夏建白
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頁數:374
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出版日期:2014-10-01
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印刷日期:2014-10-01
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包裝:精裝
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開本:16開
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版次:1
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印次:1
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字數:474千字
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透明氧化物半導體因其優異的光學、電學、磁性 特性,已廣泛應用於電子學、微電子學和光電子學領 域,在透明電子學、柔性電子學和自旋電子學等諸多 領域具有巨大的現實和潛在應用前景。由馬洪磊、馬 瑾所著的《透明氧化物半導體(精)》繫統地論述透明 氧化物半導體薄膜的制備技術、理論基礎,分別闡述 已經得到廣泛應用或具有重要應用前景的八種典型氧 化物半導體薄膜的晶體結構、形貌、缺陷、電子結構 、電學性質、磁學性質、壓電性質、光學性質、氣敏 性質和光催化性質,評述新興透明氧化物電子學。 本書可作為高等學校凝聚態物理、微電子學與固 體電子學、光電子學、材料物理與化學、電子材料與 元器件等相關專業研究生的教材或參考書,也可供從 事相關專業教學、科研的高等學校教師、研究院所科 研人員和工程技術人員參考。
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前言 緒論 第1章 氧化物薄膜的制備技術 1.1 真空蒸發技術 1.1.1 金屬和化合物蒸發 1.1.2 蒸發源的加熱裝置 1.2 MBE技術 1.3 濺射技術 1.3.1 雙極直流反應濺射 1.3.2 偏壓濺射 1.3.3 射頻濺射 1.3.4 磁控濺射 1.3.5 離子束濺射 1.4 離子鍍技術 1.5 CVD技術 1.5.1 APCVD和LPCVD技術 1.5.2 PECVD技術 1.5.3 MOCVD技術 1.6 溶液鍍膜技術 1.6.1 噴塗高溫分解 1.6.2 浸塗技術 1.6.3 化學溶解生長 1.6.4 sol-gel技術 1.7 陽極氧化技術 1.7.1 陽極氧化技術 1.7.2 等離子體陽極氧化技術 參考文獻 第2章 氧化物半導體基礎 2.1 金屬氧化物晶體結構 2.1.1 MO型金屬氧化物的典型晶體結構 2.1.2 MO2型金屬氧化物晶體的典型晶體結構 2.1.3 M2O3型金屬氧化物的典型晶體結構 2.2 金屬氧化物的缺陷 2.2.1 金屬氧化物晶體缺陷類型 2.2.2 金屬氧化物晶體點缺陷理論基礎 2.3 金屬氧化物半導體的電學性質 2.3.1 金屬氧化物半導體的電子結構 2.3.2 金屬氧化物半導體的載流子濃度 2.3.3 金屬氧化物半導體載流子輸運散射機制 2.4 氧化物半導體的磁學性質 2.4.1 稀磁氧化物半導體的摻雜元素 2.4.2 氧化物半導體的鐵磁性起源 2.5 透明氧化物半導體的光學性質 2.5.1 透明氧化物半導體的光學常數 2.5.2 Burstein—Moss移動 2.5.3 透明氧化物半導體薄膜的PL特性 2.6 金屬氧化物半導體的氣敏特性 參考文獻 第3章 ZnO薄膜 3.1 ZnO薄膜的晶體結構 3.1.1 ZnO的晶體結構 3.1.2 ZnO薄膜的XRD譜 3.1.3 ZnO薄膜的Raman譜 3.1.4 ZnO薄膜的RHEED圖案 3.1.5 ZnO薄膜的HRTEM圖像 3.2 ZnO的電子結構 3.3 ZnO的本征點缺陷 3.4 ZnO薄膜的電學性質 3.4.1 本征ZnO的弱n型導電 3.4.2 ZnO的摻雜 3.4.3 ZnO薄膜載流子散射機制 3.5 ZnO薄膜的磁學性質和壓電性質 3.5.1 ZnO基稀磁半導體 3.5.2 ZnO薄膜的壓電性質 3.6 ZnO薄膜的光學性質 3.6.1 ZnO薄膜的光透射譜 3.6.2 ZnO薄膜的PL特性 3.6.3 ZnO薄膜的激子受激發射特性 參考文獻 第4章 SnO2薄膜 4.1 SnO2薄膜的晶體結構 4.1.1 SnO2的晶體結構 4.1.2 SnO2薄膜的XRD譜 4.1.3 SnO2薄膜的Raman譜 4.1.4 SnO2薄膜的TEM和HRTEM圖像 4.1.5 SnO2薄膜的XPS譜 4.1.6 SnO2薄膜的RBS譜 4.2 金紅石Sn02的電子結構 4.3 SnO2薄膜的電學性質 4.3.1 金紅石SnO2的本征缺陷 4.3.2 金紅石SnO2薄膜的摻雜 4.3.3 金紅石SnO2薄膜載流子散射機制 4.3.4 鈮鐵礦SnO2薄膜的電學性質 4.4 SnO2薄膜的磁學性質 4.5 SnO2薄膜的光學特性 4.5.1 SnO2薄膜的光透射譜 4.5.2 SnO2薄膜的PL特性 4.6 金紅石SnO2薄膜的氣敏特性 參考文獻 第5章 TiO2薄膜 5.1 TiO2薄膜的晶體結構 5.1.1 TiO2的晶體結構 5.1.2 TiO2薄膜的XRD譜 5.1.3 TiO2薄膜的Raman譜 5.1.4 TiO2薄膜的XPS譜 5.1.5 TiO2的RBS譜 5.2 TiO2的電子結構 5.3 TiO2的本征點缺陷 5.4 TiO2薄膜的電學性質 5.5 TiO2薄膜的磁學性質 5.6 TiO2薄膜的光學性質 5.6.1 TiO2薄膜的光透射譜 5.6.2 TiO2薄膜的PL特性 5.6.3 TiO2薄膜的光學常數 5.7 TiO2薄膜的光催化特性 參考文獻 第6章 In2O3薄膜 6.1 In2O3薄膜的晶體結構 6.1.1 In2O3薄膜的晶體結構 6.1.2 In2O3薄膜的XRD譜 6.1.3 In2O3薄膜的Raman譜 6.1.4 In2O3薄膜的HRTEM圖像 6.1.5 In2O3薄膜的XPS譜 6.1.6 In2O3薄膜的RBS譜 6.2 In2O3的電子結構 6.3 IIn2O3薄膜的電學性質 6.3.1 In2O3的本征點缺陷 6.3.2 In2O3薄膜的電導特性 6.3.3 In2O3薄膜載流子散射機制 6.4 In2O3薄膜的磁學性質 6.5 In2O3薄膜的光學性質 6.5.1 In2O3薄膜的光透射譜 6.5.2 In2O3薄膜的PL特性 6.5.3 In2O3薄膜的光學常數 6.6 In2O3薄膜的氣敏特性 參考文獻 第7章 Ga2O3薄膜 7.1 Ga2O3薄膜的晶體結構 7.1.1 Ga2O3的晶體結構 7.1.2 Ga2O3薄膜的XRD譜 7.1.3 β-Ga2O3的薄膜HRTEM圖像 7.1.4 β-Ga2O3薄膜的Raman譜 7.1.5 β-Ga2O3的XPS譜 7.1.6 Ga2O3薄膜的RBS譜 7.2 Ga2O3的電子結構 7.3 Ga2O3薄膜的電學性質 7.3.1 Ga2O3的點缺陷 7.3.2 Ga2O3薄膜的電學性質 7.4 Ga2O3薄膜的光學性質 7.4.1 Ga2O3薄膜的光透射譜 7.4.2 GGa2O3薄膜的PL特性 7.4.3 Ga2O3的薄膜CL特性 7.4.4 Ga2O3薄膜的光學常數 7.5 β-Ga2O3薄膜的氣敏特性 參考文獻 第8章 MgZnO薄膜 8.1 MgZnO薄膜的晶體結構 8.1.1 MgZnO薄膜的晶體結構 8.1.2 MgZnO薄膜的XRD譜 8.1.3 MgZnO薄膜的Raman譜 8.1.4 MgZnO薄膜的AFM圖像 8.1.5 MgZnO薄膜的TEM和HRTEM圖像 8.1.6 MgZnO的XPS譜 8.1.7 MgZnO薄膜的RBS譜 8.2 MgZnO的電子結構 8.3 MgznO薄膜的電學和磁學性質 8.3.1 MgZnO薄膜的電學性質 8.3.2 MgZnO薄膜的磁學性質 8.4 MgZnO的光學性質 8.4.1 MgZnO薄膜的光透射譜 8.4.2 MgZnO薄膜的PL特性 8.4.3 MgZnO薄膜的長波光學聲子性質 8.4.4 MgZnO薄膜的光學常數 參考文獻 第9章 GaIno和InGazno薄膜 9.1 引言 9.2 GaInO薄膜 9.2.1 GaInO薄膜的晶體結構 9.2.2 GaInO薄膜的電學性質 9.2.3 GaInO薄膜的光學性質 9.3 InGaZnO薄膜 9.3.1 InGaZnO薄膜的晶體結構 9.3.2 InGaZnO薄膜的電學性質 9.3.3 InGaZnO薄膜的光學性質 參考文獻 **0章 透明氧化物電子學 10.1 引言 10.2 透明氧化物薄膜晶體管 10.2.1 C—IGZO—TFT 10.2.2 a—IGZO—TFT 10.2.3 ZnO—一TFT 10.3 紫外發光二極管和激光二極管 10.3.1 UV—LED 10.3.2 UV—LD 10.4 透明UV探測器 參考文獻 索引 《半導體科學與技術叢書》已出版書目 彩圖
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