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  • 硅通孔與三維集成電路
    該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信
    【市場價】
    616-892
    【優惠價】
    385-558
    【介質】 book
    【ISBN】9787030471642
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    內容介紹



    • 出版社:科學
    • ISBN:9787030471642
    • 作者:朱樟明//楊銀堂
    • 頁數:234
    • 出版日期:2016-01-01
    • 印刷日期:2016-01-01
    • 包裝:平裝
    • 開本:16開
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字數:295千字
    • 朱樟明、楊銀堂著的《硅通孔與三維集成電路》
      繫統討論了基於硅通孔的三維集成電路設計所涉及的
      一些關鍵科學問題,包括硅通孔寄生參數提取、硅通
      孔電磁模型、新型硅通孔結構、三維集成互連線、三
      維集成電路熱管理、硅通孔微波/毫米波特性、碳納
      米硅通孔及集成互連線等,對想深入了解硅通孔和三
      維集成電路的工程人員和科研人員具有很強的指導意
      義和實用性。本書所提出的硅通孔結構、硅通孔解析
      模型、硅通孔電磁模型、三維集成電路熱管理、三維
      集成互連線建模和設計等關鍵技術,已經在IEEE TED
      、IEEE MWCL等國外著名期刊上發表,可以直接供讀
      者參考。
      本書可作為集成電路設計、集成電路封裝、微電
      子封裝等相關專業的工程師和專業研究人員的參考書

    • 前言
      第1章 三維集成電路概述
      1.1 三維集成電路
      1.1.1 三維集成電路的優勢
      1.1.2 三維集成電路的發展現狀
      1.1.3 三維集成電路的發展趨勢
      1.1.4 三維集成電路面臨的挑戰
      1.2 TSV技術
      1.2.1 Tsv在三維集成電路中扮演的角色
      1.2.2 TSV技術的主要研究方向及進展
      參考文獻
      第2章 基於TSV的三維集成電路工藝技術
      2.1 基於TSV的三維集成電路的分類
      2.1.1 TSV的制造順序
      2.1.2 堆疊方式
      2.1.3 鍵合方式
      2.2 TSV制造技術
      2.2.1 通孔刻蝕
      2.2.2 *緣層
      2.2.3 黏附層和擴散阻擋層
      2.2.4 種子層
      2.2.5 導電材料填充
      2.3 減薄技術
      2.3.1 機械研磨
      2.3.2 邊緣保護
      2.3.3 減薄後處理
      2.4 對準技術
      2.4.1 紅外對準
      2.4.2 光學對準
      2.4.3 倒裝芯片
      2.4.4 芯片自組裝對準
      2.4.5 模板對準
      2.5 鍵合技術
      2.5.1 Si02融合鍵合
      2.5.2 金屬鍵合
      2.5.3 高分子鍵合
      參考文獻
      第3章 TSVRLC寄生參數提取
      3.1 圓柱形TSV寄生參數提取
      3.1.1 寄生電阻
      3.1.2 寄生電感
      3.1.3 寄生電容
      3.2 錐形TSV寄生參數提取
      3.2.1 寄生電阻
      3.2.2 寄生電感
      3.2.3 寄生電容
      3.3 環形TSV寄生參數提取
      3.3.1 寄生電阻
      3.3.2 寄生電感
      3.3.3 寄生電容
      3.4 同軸TsV寄生參數提取
      3.4.1 寄生電阻
      3.4.2 寄生電感
      3.4.3 寄生電容
      參考文獻
      第4章 考慮TSV效應的互連線模型
      4.1 考慮TSV尺寸效應的互連線長分布
      4.1.1 忽略TsV尺寸效應的互連線長分布模型
      4.1.2 考慮TsV尺寸效應的互連線長分布模型
      4.2 考慮TsV寄生效應的互連延時和功耗模型
      4.2.1 互連延時
      4.2.2 互連功耗
      4.2.3 模型驗證與比較
      4.3 三維集成電路的TSV布局設計
      4.3.1 RLC延時模型
      4.3.2 信號反射
      4.3.3 多目標協同優化算法
      4.3.4 結果比較
      參考文獻
      第5章 TSV熱應力和熱應變的解析模型和特性
      5.1 圓柱形TSv熱應力和熱應變的解析模型
      5.2 環形TSV熱應力和熱應變的解析模型和特性
      5.2.1 解析模型
      5.2.2 模型驗證
      5.2.3 阻止區
      5.3 同軸TSV熱應力和熱應變的解析模型和特性
      5.3.1 解析模型
      5.3.2 模型驗證
      5.3.3 阻止區
      5.3.4 特性分析
      5.4 雙環TsV熱應力和熱應變的解析模型和特性
      5.4.1 與同軸TSV熱應力對比
      5.4.2 熱應力解析模型及驗證
      5.4.3 和同軸TSv的K0z及等效面積對比
      5.4.4 不同Tsv結構高頻電傳輸特性對比
      5.5 考慮硅各向異性時TSV熱應力的研究方法
      參考文獻
      第6章 三維集成電路熱管理
      6.1 熱分析概述
      6.1.1 熱傳遞基本方式
      6.1.2 穩態傳熱和瞬態傳熱
      6.1.3 線性與非線性熱分析
      6.2 *高層芯片溫度的解析模型和特性
      6.2.1 忽略TSv的*高層芯片溫度解析模型
      6.2.2 考慮TSv的*高層芯片溫度解析模型
      6.2.3 特性分析
      6.3 各層芯片溫度的解析模型和特性
      6.3.1 忽略TSV的各層芯片溫度的解析模型
      6.3.2 考慮TSV的各層芯片溫度的解析模型
      6.3.3 特性分析
      6.4 三維單芯片多處理器溫度特性
      6.4.1 3DCMt,溫度模型
      6.4.2 熱阻矩陣
      6.4.3 特性分析
      6.5 熱優化設計技術
      6.5.1 CNTTSV技術
      6.5.2 熱沉優化技術
      6.5.3 液體冷卻技術
      參考文獻
      第7章 新型TSV的電磁模型和特性
      7.1 GSG型空氣隙TSV的電磁模型和特性
      7.1.1 寄生參數提取
      7.1.2 等效電路模型及驗證
      7.1.3 特性分析
      7.1.4 和GS型空氣隙TSV特性比較
      7.1.5 溫度的影響
      7.2 GSG型空氣腔TSV的電磁模型和特性
      7.2.1 工藝技術
      7.2.2 品質因數
      7.2.3 特性分析
      7.2.4 等效電路模型及驗證
      7.3 sDTSV的電磁模型和特性
      7.3.1 結構
      7.3.2 等效電路模型
      7.3.3 模型驗證
      7.3.4 RLCG參數全波提取方法
      7.3.5 特性分析
      參考文獻
      第8章 CNTTSV和三維集成電路互連線
      8.1 CNT制各
      8.1.1 CNT牛長
      8.1.2 CNT致密化
      8.2 CNT等效參數提取
      8.2.1 等效電阻
      8.2.2 等效電感
      8.2.3 等效電容
      8.3 信號完整性分析
      8.3.1 耦合串擾
      8.3.2 信號傳輸
      8.3.3 無畸變TSV設計
      參考文獻
     
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