●第1章 表面、界面物理：定義及其重要性
附錄Ⅰ 超高真空(UHV)技術
附錄Ⅱ 粒子光學和光譜學的基礎
問題
第2章 嚴格定義的表面、界面及薄膜的制備
2.1 需要超高真空的原因
2.2 UHV條件下的材料界面解理
2.3 離子轟擊與退火
2.4 蒸發與分子束外延(MBE)
2.5 利用化學反應外延生長膜
附錄Ⅲ 俄歇電子能譜(AES)
附錄Ⅳ 二次離子質譜(SIMS)
問題
第3章 表面、界面和薄膜的形貌與結構
3.1 表面應力、表面能和宏觀形狀
3.2 弛豫、重構和缺陷
3.3 二維點陣、超結構和倒易空間
3.3.1 表面點陣和超結構
3.3.2 二維倒易點陣列
3.4 固一固界面結構模型
3.5 薄膜的形核和生長
3.5.1 薄膜生長的模型
3.5.2 形核的“毛細模型
3.6 薄膜生長研究：實驗方法和結果
附錄Ⅴ 掃描電子顯微鏡(SEM)和微探針技術
附錄Ⅵ 掃描隧道顯微鏡(STM)
附錄Ⅶ 表面擴展X射線吸收精細結構(SEXAFS)
問題
第4章 表面和薄膜散射
4.1 表面散射運動學理論
4.2 低能電子衍射的運動學理論
4.3 從LEED圖中能知道什麼
4.4 動力學LEED理論和結構分析
4.4.1 匹配公式化
4.4.2 多重散射理論體繫
4.4.3 結構分析
4.5 非彈性表面散射實驗的運動學理論
4.6 非彈性電子散射的電介質理論
4.6.1 固體散射
4.6.2 表面散射
4.7 薄表面層的介電散射
4.8 一些低能電子在表面非彈性散射的實驗例子
4.9 顆粒散射的經典條件
4.10 原子踫撞的守恆定律：表面化學分析
4.11 盧瑟福背散射(RBS)：通道和阻塞
附錄Ⅷ 低能電子衍射(LEED)和反射高能電子衍射(RHEED)
附錄Ⅸ X射線衍射(XRD)對薄膜特性的描述
附錄Ⅹ 電子能量損失譜(EELS)
問題
第5章 表面聲子
5.1 線性鏈上的“表面”晶格振動的存在
5.2 擴展到具有表面的三維固體
5.3 瑞利波
5.4 作為高頻過濾器的瑞利波的應用
5.5 表面-聲子(等離)極化子
5.6 實驗和實際計算的散射曲線
附錄Ⅺ 原子和分子束散射
問題
第6章 表面電子態
6.1 近自由電子模型中半無限鏈的表面電子態
6.2 三維晶體表面態及其帶電特征
6.2.1 本征表面態
6.2.2 非本征表面態
6.3 光電發射理論
6.3.1 概述
6.3.2 角積分的光電發射
6.3.3 體與表面態發射
6.3.4 初始態的對稱性和選擇定則
6.3.5 多體方面
6.4 一些金屬表面態能帶結構
6.4.1 類s和類p表面態
6.4.2 類d表面態
6.4.3 空表面態和像勢表面態
6.5 半導體的表面態
6.5.素半導體
6.5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
6.5.3 Ⅲ族氮化物
6.5.4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
6.6 表面態自旋軌道耦合
6.6.1 在二維電子氣中的自旋軌道耦合
6.6.2 Au和半金屬表面自旋分裂表面態
6.6.3 拓撲絕緣體表面態
附錄Ⅻ 光電發射和逆光電發射
問題
第7章 半導體界面的空間電荷層
7.1 空間電荷層的定義與分類
7.2 肖特基耗盡空間電荷層
7.3 弱空間電荷層
7.4 高度簡並半導體的空間電荷層
7.5 空間電荷層與費米能級釘扎的一般情況
7.6 量子化聚集與反型層
7.7 特殊界面及其表面勢
7.8 硅MOS場效應晶體管
7.9 磁場導致的量子效應
7.10 二維等離
附錄Ⅷ 光學表面技術
問題
第8章 金屬-半導體結和半導體異質結
8.1 決定固-固界面電子結構的一般原理
8.2 金屬-半導體界面的金屬誘導間隙態
8.3 在半導體異質結界面的VIGS
8.4 界面態的結構與化學性質依賴的模型
8.5 金屬-半導體結與半導體異質結構的應用
8.5.1 肖特基勢壘
8.5.2 半導體異質結和調制摻雜
8.5.3 高電子遷移率場效應晶體管(HEMT)
8.6 在半導體界面二維電子氣的量子效應
附錄ⅪⅤ 肖特基勢壘高度與能帶遷移的電子學測量
問題
第9章 界面處的集體現像：超導電性和鐵磁性
9.1 在界面的超導電性
9.1.1 基本表述
9.1.2 超導電性的基礎
9.1.3 Andreev反射
9.1.4 貫穿正常導體-超導體界面輸運現像的簡單模型
9.2 具有彈道傳輸行為的約瑟夫森結
9.2.1 約瑟夫森效應
9.2.2 約瑟夫森電流和Andreev能級
9.2.3 亞簡諧能隙結構
9.3 超導體-半導體2DEG-超導約瑟夫森結的實驗例證
9.3.1 Nb-2DEG-Nb結的制備
9.3.2 通過Nb-2DEG-Nb結的臨界電流
9.3.3 電流載荷區
9.3.4 非平衡載流子的超流控制
9.4 表面與薄膜內的鐵磁性
9.4.1 鐵磁性的能帶模型
9.4.2 降維體繫的鐵磁理論
9.5 磁量子阱態
9.6 磁性層間耦合
9.7 巨磁阻和自旋轉矩機制
9.7.1 巨磁阻(GMR)
9.7.2 磁各向異性和磁疇
9.7.3 自旋轉矩效應：磁開關器件
附錄ⅩⅤ 磁光特性：克爾效應
附錄ⅩⅥ 自旋極化掃描隧道顯微鏡(SP-STM)
問題
第10章 固體表面的吸附現像
10.1 物理吸附
10.2 化學吸附
10.3 吸附物導致功函數變化
10.4 吸附層的二維相轉變
10.5 吸附動力學
附錄ⅩⅦ 解吸附技術
附錄ⅩⅧ 用於功函數變化與半導體界面研究的開爾文探針和光電
發射測量
問題
參考文獻
第1章
第2章
第3章
第4章
第5章
第6章
第7章
第8章
第9章
第10章
中英文名詞對照表

本書從實驗和理論兩方面探討了表面與界面的物理問題。除了探討真正意義上的固態表面與界面的制備技術外，還重點探討了界面的結構、振動態及電學性質的基本物理模型，也涉及表面吸附與薄膜層狀生長的基本問題。由於現代微電子學的重要性，本書還特別強調了半導體界面和異質結的電學性質。在實驗方面，本書的另一大特點是通過一繫列“附錄”的形式講述了超高真空、電子光學、表面譜學和界面電學等表征技術方面的基礎知識，為讀者提供了快速、全面了解現代各種表面、界面表征技術的重要信息。
在早期版本中，表面和薄膜的制備，原子結構、形貌，振動態與電子輸運性質以及吸附的基礎知識均被論及。表面和界面的電子態、半導體空間電荷層和異質結等內容由於在現代信息技術和納米結構研究中的重要性也被重點論述。第六版增加了特殊的章節，重點描述界面和薄膜的集體耦合行為，例如超導電性和磁學，而磁學的討論中又包括了巨磁阻和自旋矩傳輸機理等重要內等