●第1章半導體產業介紹
目標
1.1引言
1.2產業的發展
1.3電路集成
1.4集成電路制造
1.5半導體趨勢
1.6電子時代
1.7在半導體制造業中的職業
1.8小結
第2章半導體材料特性
目標
2.1引言
2.2原子結構
2.3周期表
2.4材料分類
2.5硅
2.6可選擇的半導體材料
2.7小結
第3章器件技術
目標
3.1引言
3.2電路類型
3.件結構
3.件結構
3.5CMOS器件的閂鎖效應
3.6集成電路產品
3.7小結
第4章硅和硅片制備
目標
4.1引言
4.2半導體級硅
4.3晶體結構
4.4晶向
4.5單晶硅生長
4.6硅中的晶體缺陷
4.7硅片制備
4.8質量測量
4.9外延層
4.10小結
第5章半導體制造中的化學品
目標
5.1引言
5.2物質形態
5.3材料的屬性
5.4工藝用化學品
5.5小結
第6章硅片制造中的沾污控制
目標
6.1引言
6.2沾污的類型
6.3沾污的源與控制
6.4硅片濕法清洗
6.5小結
第7章測量學和缺陷檢查
目標
7.1引言
7.2集成電路測量學
7.3質量測量
7.4分析設備
7.5小結
第8章工藝腔內的氣體控制
目標
8.1引言
8.2真空
8.3真空泵
8.4工藝腔內的氣流
8.5殘氣分析器
8.6等離子體
8.7工藝腔的沾污
8.8小結
第9章集成電路制造工藝概況
目標
9.1引言
9.2CMOS工藝流程
9.3CMOS制作步驟
9.4小結
第10章氧化
目標
10.1引言
10.2氧化膜
10.3熱氧化生長
10.4高溫爐設備
10.5臥式與立式爐
10.6氧化工藝
10.7質量測量
10.8氧化檢查及故障排除
10.9小結
第11章澱積
目標
11.1引言
11.2膜澱積
11.3化學氣相澱積
11.4CVD澱積繫統
11.5介質及其性能
11.6旋塗絕緣介質
11.7外延
11.8CVD質量測量
11.9CVD檢查及故障排除
11.10小結
第12章金屬化
目標
12.1引言
12.2金屬類型
12.3金屬澱積繫統
12.4金屬化方案
12.5金屬化質量測量
12.6金屬化檢查及故障排除
12.7小結
第13章光刻：氣相成底膜到軟烘
目標
13.1引言
13.2光刻工藝
13.3光刻工藝的8個基本步驟
13.4氣相成底膜處理
13.5旋轉塗膠
13.6軟烘
13.7光刻膠質量測量
13.8光刻膠檢查及故障排除
13.9小結
第14章光刻：對準和曝光
目標
14.1引言
14.2光學光刻
14.3光刻設備
14.4混合和匹配
14.5對準和曝光質量測量
14.6對準和曝光檢查及故障排除
14.7小結
第15章光刻：光刻膠顯影和優選的光刻技術
目標
15.1引言
15.2曝光後烘焙
15.3顯影
15.4堅膜
15.5顯影檢查
15.6優選的光刻技術
15.7顯影質量測量
15.8顯影檢查及故障排除
15.9小結
第16章刻蝕
目標
16.1引言
16.2刻蝕參數
16.3干法刻蝕
16.4等離子體刻蝕反應器
16.5干法刻蝕的應用
16.6濕法腐蝕
16.7刻蝕技術的發展歷程
16.8去除光刻膠
16.9刻蝕檢查
16.10刻蝕質量測量
16.11干法刻蝕檢查及故障排除
16.12小結
第17章離子注入
目標
17.1引言
17.2擴散
17.3離子注入
17.4離子注入機
17.5離子注入在工藝集成中的發展趨勢
17.6離子注入質量測量
17.7離子注入檢查及故障排除
17.8小結
第18章化學機械平坦化
目標
18.1引言
18.2傳統的平坦化技術
18.3化學機械平坦化
18.4CMP應用
18.5CMP質量測量
18.6CMP檢查及故障排除
18.7小結
第19章硅片測試
目標
19.1引言
19.2硅片測試
19.3測試質量測量
19.4測試檢查及故障排除
19.5小結
第20章裝配與封裝
目標
20.1引言
20.2傳統裝配
20.3傳統封裝
20.4優選的裝配與封裝
20.5封裝與裝配質量測量
20.6集成電路封裝檢查及故障排除
20.7小結
附錄A化學品及安全性
附錄B淨化間的沾污控制
附錄C單位
附錄D作為氧化層厚度函數的顏色
附錄E光刻膠化學的概要
附錄F刻蝕化學
