本書全面介紹了數字電子技術的基礎知識及其應用，從邏輯電路的邏輯門、布爾代數等概念出發，詳細闡述了數字電子技術的基本概念及分析設計原理。本書主要講解邏輯門和的設計，對NMOS、PMOS邏輯設計、存及其周邊電路、觸發器及雙極型邏輯設計都進行了詳細的論述，並且包含了對ECL、CML和TTL的討論。

●第1章 數字電子電路簡介
1.1 理想邏輯門
1.2 邏輯電平和噪聲容限
1.2.1 邏輯電平
1.2.2 噪聲容限
1.2.3 邏輯門的設計目標
1.3 邏輯門的動態響應
1.3.1 上升時間和下降時間
1.3.2 傳輸延遲
1.3.3 功耗-延遲積
1.4 布爾代數回顧
1.5 NMOS邏輯設計
1.5.1 帶負載電阻的NMOS反相器
1.5.2 Ms的W/L設計
1.5.3 負載電阻設計
1.5.4 負載線的可視化
1.5.5 開關器件的導通電阻
1.5.6 噪聲容限分析
1.5.7 VIL和VOH的計算
1.5.8 VIH和VOL的計算
1.5.9 電阻負載反相器噪聲容限
1.5.10 負載電阻問題
1.6 晶體管替代負載電阻方案
1.6.1 NMOS飽和負載反相器
1.6.2 帶線性負載設備的NMOS反相器
1.6.3 帶耗盡型負載的NMOS反相器
1.7 NMOS反相器小結與比較
1.8 速度飽和對靜態反相器設計的影響
1.8.1 開關晶體管設計
1.8.2 負載晶體管設計
1.8.3 速度飽和影響小結
1.9 NMOS與非門及或非門
1.9.1 或非門
1.9.2 與非門
1.9.3 NMOS耗盡型工藝中的或非門及與非門版圖
1.10 復雜NMOS邏輯設計
1.11 功耗
1.11.1 靜態功耗
1.11.2 動態功耗
1.11.3 MOS邏輯門的功率縮放
1.12 MOS邏輯門的動態特性
1.12.1 邏輯電路中的電容
1.12.2 帶阻性負載的NMOS反相器的動態響應
1.12.3 比較NMOS延遲反相器
1.12.4 速度飽和對反相器延遲的影響
1.12.5 基於參考電路仿真的縮放
1.12.6 固有門延遲的環形振蕩器測量法
1.12.7 無負載反相器的延遲
1.13 PMOS邏輯
1.13.1 PMOS反相器
1.13.2 與非門和或非門
小結
關鍵詞
參考文獻
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習題
第2章 CMOS邏輯電路設計
2.1 CMOS反相器
2.2 CMOS反相器的靜態特性
2.2.1 CMOS電壓傳輸特性
2.2.2 CMOS反相器的噪聲容限
2.3 CMOS反相器的動態特性
2.3.1 傳播延遲估計
2.3.2 上升時間和下降時間
2.3.3 按性能等比例縮放
2.3.4 速度飽和效應對CMOS反相器延遲的影響
2.3.5 級聯反相器延遲
2.4 CMOS功耗及功耗-延遲積
2.4.1 靜態功耗
2.4.2 動態功耗
2.4.3 功耗-延遲積
2.5 CMOS或非門和與非門
2.5.1 CMOS或非門
2.5.2 CMOS與非門
2.6 CMOS復雜門電路設計
2.7 邏輯門的最小尺寸設計及性能
2.8 級聯緩衝器
2.8.1 級聯緩衝器延遲模型
2.8.2 很優級數
2.9 CMOS傳輸門
2.10 雙穩態電路
2.10.1 雙穩態鎖存器
2.10.2 RS觸發器
2.10.3 采用傳輸門的D鎖存器
2.1O.4 主從D觸發器
2.11 CMOS閂鎖效應
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第3章 MOS存儲器及其電路
3.1 隨機存取存儲器
3.1.1 RAM存儲器架構
3.1.2 256Mb存儲器芯片
3.2 靜態存
3.2.1 的隔離和訪問（6）
3.2.2 讀操作
3.2.3 向6寫數據
3.3 動態
3.3.1 1
3.3.2 1的數據存儲
3.3.3 1的數據讀取
3.3.4 4
3.4 感測放大器
3.4.1 6的感測放大器
3.4.2 1的感測放大器
3.4.3 升壓字線電路
3.4.4 鐘控CMOS感測放大器
3.5 地址譯碼器
3.5.1 或非門譯碼器
3.5.2 與非門譯碼器
3.5.3 傳輸管列譯碼器
3.6 隻讀存儲器
3.7 閃存
3.7.1 浮柵技術
3.7.2 NOR電路實現
3.7.3 NAND電路實現
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第4章 雙極型邏輯電路
4.1 電流開關（發射極耦合對）
4.1.1 電流開關靜態特性的數學模型
4.1.2 對於υⅠ＞VREF的電流開關分析
4.1.3 υⅠ＜VREF時的電流開關分析
4.2 發射極耦合邏輯門
4.2.1 υⅠ=VH時的ECL門
4.2.2 υⅠ=VI時的ECL門
4.2.3 ECL門的輸入電流
4.2.4 ECL小結
4.3 ECL門的噪聲容限分析
4.3.1 VIL、VOH、VIH和VOL
4.3.2 噪聲容限
4.4 電流源的實現
4.5 ECL或-或非門
4.6 射極跟隨器
4.7 “發射極點接”及“線或”邏輯
4.7.1 射極跟隨器輸出的並聯連接
4.7.2 “線或”邏輯函數
4.8 ECL功耗-延遲特性
4.8.1 功耗
4.8.2 門延遲
4.8.3 功耗-延遲積
4.9 正射極耦合邏輯
4.10 電流型邏輯
4.10.1 CML邏輯門
4.10.2 CML邏輯電平
4.10.3 VFF供電電壓
4.10.4 高電平CML
4.10.5 降低CML功耗
4.10.6 源極耦合FET邏輯
4.11 飽和雙極型反相器
4.11.1 靜態反相器特性
4.11.2 雙極型晶體管的飽和電壓
4.11.3 負載線可視化
4.11.4 飽和BJT的開關特性
4.12 晶體管-晶體管邏輯
4.12.1 vI=VL時的TTL反相器分析
4.12.2 vI= VH時的TTL反相器分析
4.12.3 功耗
4.12.4 TTL傳播延遲和功率-延遲積
4.12.5 TTL的電壓傳輸特性和噪聲容限
4.12.6 標準TTL的扇出
4.13 TTL中的邏輯函數
4.13.1 多發射極輸入晶體管
4.13.2 TTL與非門
4.13.3 輸入鉗位二極管
4.14 肖特基鉗位TTL
4.15 ECL和TTL的功耗延遲對比
4.16 BiCMOS邏輯
4.16.1 BiCMOS緩衝器
4.16.2 BiNMOS反相器
4.16.3 BiCMOS邏輯門
小結
關鍵詞
參考文獻
擴展閱讀
習題
附錄A 標器件值
A.1 電阻
A.2 電容
A.3 電感
附錄B 固態器件模型及SPICE仿真參數
B.1 pn結二極管
B.2 MOS場效應管
B.3 結型場效應管
B.4 雙極型晶體管

本書是微電子電路設計領域的一部大作，作者具有豐富的業界設計經驗，經過連續5版的不斷改進，已經成為微電子電路設計領域的權威教材及工具書。書中涉及範圍廣泛，將數字電路或者模擬電路部分單獨拿出來都可以自成體繫，單獨學習。為了方便國內讀者學習，翻譯時拆分成3卷，分別是《深入理解微電子電路設計—器件原理及應用（原書第5版）》《深入理解微電子電路設計——數字電子技術及應用（原書第5版）》和《深入理解微電子電路設計——模擬電子技術及應用（原書第5版）》。本書全面講述了微電子電路的基礎知識及其應用技術，書中沒有簡單羅器件或者電路，而是關注於讓讀器件或電路背後的基本概念、設計方法和仿真驗證手段，從全局上把握微電子電路的發展、現狀及主要技術等內容。全書內容覆蓋了固態電子學、半導體器件、數字電路及模擬電路領域的主要內容，讀者可以更好地理解和把握微電子電路的設計方法和設計理念。等