●第1章 半導體中的電子運動狀態
1.1 半導體材料
1.1.1 半導體材料的原子構成
1.1.2 半導體材料的結構
1.1.3 金剛石結構
1.1.4 固體的缺陷與雜質
1.2 量子力學初步
1.2.1 量子力學的基本原理
1.2.2 薛定諤方程及其波函數的意義
1.2.3 薛定諤方程的應用——自由電子與束縛態電子
1.2.4 薛定諤方程的應用——單電子原子中電子的狀態
1.2.5 薛定諤方程的應用——多電子原子中電子的狀態
1.3 晶體中電子的運動狀態
1.3.1 能帶的形成
1.3.2 一維無限晶體的能帶
1.3.3 半導體的價鍵模型和能帶模型
1.3.4 半導體的有效質量
1.3.5 空穴
1.3.6 金屬、半導體和絕緣體的能帶與導電性能差異
1.3.7 三維無限晶體的能帶
習題1
第2章 平衡半導體中的載流子濃度
2.1 狀態密度函數
2.2 費米-狄拉克分布函數
2.3 平衡載流子濃度
2.3.1 平衡半導體中載流子濃度的公式
2.3.2 本征半導體中的載流子濃度
2.3.3 載流子濃度的乘積
2.3.4 本征費米能級位置
2.4 隻含一種雜質的雜質半導體中的載流子濃度
2.4.1 施主雜質和受主雜質
2.4.2 施主雜質能級上的電子和受主雜質能級上的空穴
2.4.3 電中性條件
2.5 補償半導體的載流子濃度
2.6 費米能級的位置
2.7 簡並半導體
2.7.1 簡並半導體的載流子濃度
2.7.2 禁帶變窄效應
習題2
第3章 載流子的輸運
3.1 載流子的熱運動
3.2 載流子的漂移運動
3.2.1 漂移電流密度
3.2.2 遷移率
3.2.3 電導率和電阻率
3.3 載流子的擴散運動
3.4 愛因斯坦關繫
3.4.1 電場作用下的能帶圖
3.4.2 愛因斯坦關繫的推導
3.5 霍爾效應
習題3
第4章 過剩載流子
4.1 載流子的產生和復合
4.1.1 決定載流子產生率的因素
4.1.2 決定載流子復合率的因素
4.1.3 熱平衡狀態下載流子的產生和復合
4.1.4 外力作用下載流子的產生和復合
4.2 準費米能級
4.3 過剩載流子的性質
4.3.1 載流子的連續性方程
4.3.2 與時間有關的擴散方程
4.4 雙極輸運及其輸運方程
4.4.1 雙極輸運的概念
4.4.2 雙極輸運方程
4.4.3 小注入條件下的雙極輸運方程
4.4.4 雙極輸運方程應用
習題4
第5章 pn結
5.1 pn結的形成及其基本結構
5.1.1 合金法及形成的pn結的雜質分布
5.1.2 擴散法及形成的pn結的雜質分布
5.2 平衡pn結及其能帶
5.2.1 平衡pn結
5.2.2 平衡pn結的能帶
5.3 平衡pn結的參數
5.3.1 內建電勢差
5.3.2 平衡pn結的內建電場強度及電勢分布函數
5.3.3 空間電荷區寬度
5.3.4 空間電荷區的載流子濃度
5.3.5 線性緩變結的靜電特性
5.4 pn結二極管的電流-電壓特性方程
5.4.1 靜電特性結果在外加電壓pn結中的推廣
5.4.2 pn結電流-電壓特性方程的定性推導
5.4.3 pn結電流-電壓特性方程的定量推導
5.4.4 對理想pn結電流-電壓關繫的修正
5.5 pn結的小信號模型
5.5.1 pn結反偏時的小信號模型
5.5.2 pn結正偏時的小信號模型
5.6 pn結二極管的瞬態響應
5.6.1 關瞬態
5.6.2 開瞬態
5.7 隧道二極管
5.8 pn結在光電器件中的應用
5.8.1 光電檢測器
5.8.2 太陽能電池
5.8.3 發光二極管
習題5
第6章 器件制備基本工藝
6.1 器件制備基本工藝
6.1.1 襯底材料的準備
6.1.2 氧化
6.1.3 薄膜生長
6.1.4 薄膜的圖形化
6.1.5 摻雜
6.2 pn結二極管的制備
習題6
第7章 金屬半導體接觸和異質結
7.1 金屬半導體接觸
7.1.1 金屬和半導體的功函數
7.1.2 理想的金屬半導體接觸
7.1.3 表面態對金屬半導體接觸勢壘的影響
7.1.4 理想金屬半導體接觸的特性
7.1.5 金屬半導體接觸的電流-電壓關繫
7.1.6 鏡像力的影響
7.1.7 肖特基勢壘二極管和pn結二極管的比較
7.1.8 歐姆接觸
7.2 異質結
7.2.1 異質結的分類及其能帶圖
7.2.2 突變反型異質結的靜電特性
7.3 異質結的電流-電壓特性
7.3.1 突變反型異質結中的電流輸運模型
7.3.2 突變同型異質結中的電流輸運模型
7.3.3 異質結的注入比特性
習題7
第8章 雙極晶體管
8.1 雙極晶體管的基本情況
8.1.1 雙極晶體管的結構
8.1.2 雙極晶體管的特性參數
8.2 雙極晶體管的電流-電壓特性
8.2.1 理想晶體管模型及其求解
8.2.2 理想晶體管輸入/輸出特性曲線
8.2.3 非理想晶體管
8.2.4 非理想晶體管輸入/輸出特性曲線
8.3 晶體管的反向特性
8.3.1 晶體管的反向電流
8.3.2 晶體管的反向擊穿電壓

本書繫統且全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性，內容涵蓋量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件等。全書共8章，主要內容包括：半導體中的電子運動狀態、平衡半導體中的載流子濃度、載流子的輸運、過剩載流子、pn結、器件制備基本工藝、金屬半導體接觸和異質結、雙極晶體管。本書語言簡明扼要、通俗易懂，具有很強的專業性、技術性和實用性，並配有電子課件PPT、知識點視頻、習題參考答案等。 本書既可作為高等學校電子科學與技術、微電子技術、光電信息工程等專業本科生的教材，又可作為相關領域工程技術人員的參考書。

呂淑媛 著