●第1章 半導體異質結構的基本物理性質
1.1 半導體材料和半導體異質結構
1.1.1 半導體材料的導電類型和晶體結構
1.1.2 半導體異質結構界面的晶格失配
1.2 半導體異質結構的能帶圖
1.2.1 不考慮界面態的異質結構能帶圖
1.2.2 考慮界面態的異質結構能帶圖
1.2.3 界面漸變異質結構的能帶圖及Anderson模型的修正
1.3 半導體異質結構中的二維電子氣
1.3.1 異質結構中二維電子氣的形成
1.3.2 異質結構中二維電子氣的基本物理性質
1.4 半導體異質結構的電學特性
1.4.1 異質結構的電流-電壓特性
1.4.2 異質結構的勢壘電容
1.4.3 異質結構的載流子注入特性
參考文獻
第2章 氮化鎵基寬禁帶半導體的基本物理性質
2.1 氮化鎵基半導體的基本物理性質
2.1.1 GaN基半導體的基本物理性質概述
2.1.2 GaN基半導體的晶體結構
2.1.3 GaN基半導體的能帶結構
2.1.4 GaN基半導體的極化性質
2.2 領化驚基半導體異質結構的基本物理性質
2.2.1 GaN基異質結構的極化性質
2.2.2 GaN基異質結構的能帶結構
2.2.3 晶格匹配的IneAlgN/GaN異質結構
參考文獻
第3章 氮化鎵基半導體及其異質結構的外延生長
3.1 氮化鎵基半導體的外延生長方法
3.1.1 金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）
3.1.2 分子束外延（MBE）
3.1.3 氫化物氣相外延（HVPE）
3.2 氮化鎵基半導體的異質外延生長
3.2.1 GaN基半導體外延生長的襯底選擇
3.2.2 藍寶石襯底上GaN及其異質結構的外延生長
3.2.3 SiC襯底上GaN及其異質結構的外延生長
3.2.4 Si襯底上GaN及其異質結構的外延生長
3.2.5 Si襯底上GaN的大失配誘導應力控制外延方法
3.2.6 InxAl1-xN/GaN和AlN/GaN異質結構的外延生長
參考文獻
第4章 氮化鎵基半導體異質結構中二維電子氣的輸運性質
4.1 氮化鎵基異質結構二維電子氣的經典輸運性質
4.1.1 半導體異質結構中2DEG低場輸運的Drude模型
4.1.2 AlxGa1-xN/GaN異質結構中2DEG的高遷移率特性及其散射機制
4.2 氮化鎵及其異質結構的高場輸運性質
4.2.1 GaN的微分負阻效應
4.2.2 GaN中高場電子漂移速度的尺效應
4.3 氮化鎵基異質結構中二維電子氣的量子輸運性質
4.3.1 異質界面量子阱的精細能帶結構和多子帶占據
4.3.2 GaN基異質結構中導帶E~k關繫的非掀物性
4.3.3 GaN基異質結構中2DEG的子帶間散射
4.3.4 GaN基異質結構中2DEG的弱局域化和弱反局域化
參考文獻
第5章 氮化鎵基半導體異質結構中二維電子氣的自旋性質
5.1 氮化鎵基半導體異質結構中二維電子氣的本征自旋性質
5.1.1 GaN基半導體中的自旋軌道耦合
5.1.2 GaN基異質結構中2DEG的零場自旋分裂
5.1.3 GaN基異質結構中2DEG的圓偏振光電流效應
5.2 氮化鎵基異質結構中二維電子氣的自旋輸運性質
5.2.1 GaN基異質結構中2DEG的反常圓偏振光電流效應
5.2.2 GaN基異質結構中2DEG的光致反常霍爾效應
5.2.3 GaN基異質結構量子點接觸中2DEG的自旋輸運性質
5.3 氮化鎵基半導體中的自旋注入和自旋弛豫
5.3.1 半導體中的自旋注入和自旋弛豫
5.3.2 GaN基半導體中的自旋注人和自旋弛豫
5.4 氮化鎵基半導體自旋電子學器件
參考文獻
第6章 氮化鎵基半導體異質結構應用於射頻電子器件
6.1 氮化鎵基射頻電子器件概述
6.2 碳化硅襯底上氮化鎵基射頻電子器件
6.2.1 SiC襯底上GaN基率器件的優勢和發展歷程
6.2.2 GaN基率器件的散熱技術
6.3 硅襯底上氮化驚基射頻電子器件
6.3.1 AlN/Si界面電導和Si襯底上GaN基HEMT器件的射頻損耗
6.3.2 Si襯底上GaN基射頻電子器件的主展和發展趨勢
6.4 氮化鎵基超高頻電子器件
6.4.1 GaN基超高頻電子器件的工作原理
6.4.2 GaN基超高頻電子材料與器件關鍵技術
6.4.3 GaN基超高頻電子器件的研究現狀和面臨的問題
6.5 氮化鎵基射頻電子器件的應用和發展趨勢
6.5.1 GaN基射頻電子器件在移動通信領域的應用
6.5.2 GaN基射頻電子器件在雷達領域的應用
6.5.3 GaN基射頻電子材料和器件的發展趨勢
參考文獻
第7章 氮化鎵基半導體異質結構應率電子器件
7.1 氮化率電子器件概述
7.2 氮化鎵基異質界面的能帶調控和增強型器件
7.2.1 GaN其HEMT器件的凹柵槽刻蝕增強型技術
7.2.2 GaN基HEMT器件的F離子注入增強型技術
7.2.3 GaN基HEMT器件的P型蓋帽層增強型技術
7.2.4 GaN基HEMT與Si基MOSFET級聯的增強型技術
7.3 氯化率電子器件表面/界面局域態特性與調控
7.3.1 表面/界面態對GaN基電子器件性能的影響
7.3.2 GaN基異質結構和電子器件中表面/界面態的表征
……
