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    【作者】 李雲奇 
    【出版社】化學工業出版社 
    【ISBN】9787122127808
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    內容介紹



    出版社:化學工業出版社
    ISBN:9787122127808
    商品編碼:1027076420

    品牌:文軒
    出版時間:2012-08-01
    代碼:85

    作者:李雲奇

        
        
    "
    作  者:李雲奇 著作
    /
    定  價:85
    /
    出 版 社:化學工業出版社
    /
    出版日期:2012年08月01日
    /
    頁  數:310
    /
    裝  幀:平裝
    /
    ISBN:9787122127808
    /
    目錄
    ●第1章真空鍍膜概論
    1.1概述
    1.2影響固體表面結構、形貌及其性能的因素
    1.2.1原子和分子構成固體物質
    1.2.2多晶體物質結構
    1.2.3材料受到的各種應力負荷
    1.2.4材料加工所帶來的缺陷
    1.2.5基片表面塗敷硬質薄膜的必要性
    1.3真空鍍膜及其工藝特點和應賦予塗層的功能
    1.4薄膜的特征
    1.4.1薄膜的結構特征
    1.4.2金屬薄膜的電導特征
    1.4.3金屬薄膜電阻溫度繫數特征
    1.4.4薄膜的密度特征
    1.4.5薄膜的時效變化特征
    1.5薄膜的應用
    1.5.1電子工業用薄膜
    1.5.2光學工業中應用的各種光學薄膜
    1.5.3機械、化工、石油等工業中應用的硬質膜、耐蝕膜和潤滑膜
    1.5.4有機分子薄膜
    1.5.5民用及食品工業中的裝飾膜和包裝膜
    1.6真空鍍膜的發展歷程及近期新進展
    參考文獻
    第2章真空鍍膜技術基礎
    2.1真空鍍膜物理基礎
    2.1.1真空及真空狀態的表征和測量
    2.1.2氣體的基本性質
    2.1.3氣體的流動與流導
    2.1.4氣體分子與固體表面的相互作用
    2.2真空鍍膜低溫等離子體基礎
    2.2.1等離子體及其分類與獲得
    2.2.2低氣壓下氣體的放電
    2.2.3低氣壓下氣體放電的類型
    2.2.4低氣壓下冷陰極氣體輝光放電
    2.2.5低氣壓非自持熱陰極弧光放電
    2.2.6低氣壓自持冷陰極弧光放電
    2.2.7磁控輝光放電
    2.2.8空心冷陰極輝光放電
    2.2.9高頻放電
    2.2.10等離子體宏觀中性特征及其中性空間強度的判別
    2.3薄膜的生長與膜結構
    2.3.1膜的生長過程及影響膜生長的因素
    2.3.2薄膜的結構及其結構缺陷
    2.4薄膜的性質及其影響因素
    2.4.1薄膜的力學性質及其影響因素
    2.4.2薄膜的電學性質
    2.4.3薄膜的光學性質及其影響膜折射率的因素
    2.4.4薄膜的磁學性質
    參考文獻
    第3章蒸發源與濺射靶
    3.1蒸發源
    3.1.1蒸發源及其設計與使用中應考慮的問題
    3.1.2電阻加熱式蒸發源
    3.1.3電子束加熱式蒸發源
    3.1.4空心熱陰極等離子體電子束蒸發源
    3.1.5感應加熱式蒸發源
    3.1.6激光加熱式蒸發源
    3.1.7輻射加熱式蒸發源
    3.1.8蒸發源材料
    3.1.9蒸發源的發射特性及膜層的厚度分布
    3.2濺射靶
    3.2.1濺射靶的結構及其設計要求
    3.2.2濺射靶材
    參考文獻
    第4章真空蒸發鍍膜
    4.1真空蒸發鍍膜技術
    4.1.1真空蒸發鍍膜原理及蒸鍍條件
    4.1.2薄膜材料
    4.1.3合金膜的蒸鍍
    4.1.4化合物膜的蒸鍍
    4.1.5影響真空蒸鍍性能的因素
    4.2分子束外延技術
    4.2.1分子束外延生長的基本原理與過程
    4.2.2分子束外延生長的條件、制備方法與特點
    4.2.3分子束外延生長參數選擇
    4.2.4影響分子束外延的因素
    4.2.5分子束外延裝置
    4.3真空蒸發鍍膜設備
    4.3.1真空蒸發鍍膜機的類型及其結構
    4.3.2真空蒸發鍍膜機中的主要構件
    4.4真空蒸發塗層的制備實例
    4.4.1真空蒸鍍鋁塗層
    4.4.2真空蒸鍍Cd(Se,S)塗層
    4.4.3真空蒸鍍ZrO2塗層
    4.4.4分子束外延生長金單晶塗層
    參考文獻
    第5章真空濺射鍍膜
    5.1真空濺射鍍膜的復興與發展
    5.2真空濺射鍍膜技術
    5.2.1真空濺射鍍膜的機理分析及其濺射過程
    5.2.2靶材粒子向基體上的遷移過程
    5.2.3靶材粒子在基體上的成膜過程
    5.2.4濺射薄膜的特點及濺射方式
    5.2.5直流濺射鍍膜
    5.2.6磁控濺射鍍膜
    5.2.7射頻濺射鍍膜
    5.2.8反應濺射鍍膜
    5.2.9中頻濺射與脈衝濺射鍍膜
    5.2.10對向靶等離子體濺射鍍膜
    5.2.11偏壓濺射鍍膜
    5.3真空濺射鍍膜設備
    5.3.1間歇式真空濺射鍍膜機
    5.3.2半連續磁控濺射鍍膜機
    5.3.3大面積連續式磁控濺射鍍膜設備
    參考文獻
    第6章真空離子鍍膜
    6.1真空離子鍍膜及其分類
    6.2離子鍍膜原理及其成膜條件
    6.3離子鍍膜過程中等離子體的作用及到達基體入射的粒子能量
    6.4離子轟擊在離子鍍過程中產生的物理化學效應
    6.5離化率與中性粒子和離子的能量及膜層表面上的活化繫數
    6.5.1離化率
    6.5.2中性粒子所帶的能量
    6.5.3離子能量
    6.5.4膜層表面的能量活化繫數
    6.6離子鍍塗層的特點及其應用範圍
    6.7離子鍍膜的參數
    6.7.1鍍膜室的氣體壓力
    6.7.2反應氣體的分壓
    6.7.3蒸發源功率
    6.7.4蒸發速率
    6.7.5蒸發源和基體間的距離
    6.7.6沉積速率
    6.7.7基體的負偏壓
    6.7.8基體溫度
    6.8離子鍍膜裝置及常用的幾種鍍膜設備
    6.8.1直流二極、三極及多極型離子裝置
    6.8.2活性反應離子鍍裝置
    6.8.3空心陰極放電離子鍍膜裝置
    6.8.4射頻放電離子鍍裝置
    6.8.5磁控濺射離子鍍膜裝置
    6.8.6真空陰極電弧離子鍍膜裝置
    6.8.7冷電弧陰極離子鍍膜裝置
    6.8.8熱陰極強流電弧離子鍍裝置
    參考文獻
    第7章離子束沉積與離子束輔助沉積
    7.1離子束沉積技術
    7.1.1離子束沉積原理及特點
    7.1.2直接引出式離子束沉積技術
    7.1.3質量分離式離子束沉積技術
    7.1.4離化團束沉積技術
    7.1.5等離子體浸沒式沉積技術
    7.1.6氣固兩用離子束沉積技術
    7.2離子束輔助沉積技術
    7.2.1離子束輔助沉積過程的機理
    7.2.2離子束輔助沉積的方式及其能量選擇範圍
    7.2.3離子束輔助沉積技術的特點
    7.2.4離子束輔助沉積裝置
    7.2.5微波電子回旋等離子體增強濺射沉積裝置
    7.2.6離子源
    參考文獻
    第8章化學氣相沉積
    8.1概述
    8.2CVD技術中的各類成膜方法及特點
    8.3CVD技術的成膜條件及其反應類型
    8.3.1CVD反應的條件
    8.3.2CVD技術的反應類型
    8.4化學氣相沉積用先驅反應物質的選擇
    8.5影響CVD沉積薄膜質量的因素
    8.5.1沉積溫度對膜質量的影響
    8.5.2反應氣體濃度及相互間的比例對膜質量的影響
    8.5.3基片對膜質量的影響
    8.6常壓化學氣相沉積技術與裝置
    8.6.1常壓CVD技術的一般原理
    8.6.2常壓的CVD裝置
    8.7低壓化學氣相沉積(LPCVD)
    8.7.1LPCVD的原理及特點
    8.7.2LPCVD裝置的組成
    8.7.3LPCVD制備塗層的實例
    8.8等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
    8.8.1PECVD的成膜過程及特點
    8.8.2PECVD裝置
    8.8.3PECVD薄膜的工藝實例
    8.9金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)
    8.10光輔助化學氣相沉積(PHCVD)
    參考文獻
    第9章薄膜的測量與監控
    9.1概述
    9.2薄膜厚度的測量
    9.2.1薄膜厚度的光學測量法
    9.2.2薄膜厚度的電學測量法
    9.2.3薄膜厚度的機械測量法
    9.3薄膜應力的測量
    9.3.1基片變形法
    9.3.2衍射法
    9.4薄膜的附著力測量
    9.4.1膠帶剝離法
    9.4.2拉倒法
    9.4.3拉張法
    9.4.4劃痕法
    9.5薄膜的硬度測量
    9.5.1維氏硬度
    9.5.2努氏硬度
    9.6薄膜的光譜特性測量
    參考文獻
    第10章薄膜性能分析
    10.1概述
    10.2電子作用於固體表面上所產生的各種效應
    10.2.1背散射電子
    10.2.2二次電子
    10.2.3吸收電子和透射電子
    10.2.4俄歇電子
    10.2.5特征X射線
    10.2.6陰極熒光
    10.2.7電子束感生電流
    10.3離子作用於固體表面所產生的效應
    10.3.1一次離子的表面散射
    10.3.2反向散射離子
    10.3.3正負二次電子
    10.4光子作用於固體表面所產生的效應
    10.4.1波長較短的X射線
    10.4.2波長較長的X射線
    10.5薄膜形貌觀察與結構分析
    10.5.1光學顯微鏡
    10.5.2掃描電子顯微鏡
    10.5.3透射電子顯微鏡
    10.5.4X射線衍射儀
    10.5.5低能電子衍射和反射式高能電子衍射
    10.5.6掃描探針顯微鏡
    10.6薄膜組成分析
    10.6.1俄歇電子能譜儀
    10.6.2二次離子質譜分析儀
    10.6.3盧瑟福背散射分析儀
    10.6.4X射線光電子能譜儀
    參考文獻
    第11章真空鍍膜技術中的清潔處理
    11.1概述
    11.2真空鍍膜設備的清潔處理
    11.2.1真空鍍膜設備污染物的來源及清潔處理
    11.2.2真空鍍膜設備真空繫統的清洗處理
    11.3真空鍍膜設備的環境要求
    11.4真空鍍膜工藝對環境的要求
    11.4.1真空鍍膜工藝對環境的基本要求
    11.4.2基片表面污染物來源及清潔處理
    11.5鍍件表面處理的基本方法
    11.6真空鍍膜常用材料的清洗方法
    11.7真空鍍膜設備型號編制方法、試驗方法
    11.7.1真空設備型號編制方法(JB/T 7673—1995)
    11.7.2真空鍍膜設備通用技術條件(摘自GB/T 11164—99)
    參考文獻
    內容簡介
    《真空科學技術叢書:真空鍍膜》是本著突出近代真空鍍膜技術進步,注重繫統性、強調實用性而編著的。全書共11章,內容包涵了真空鍍膜中物理基礎,各種蒸發源與濺射靶的設計、特點、使用要求,各種真空鍍膜方法以及薄膜的測量與監控,真空鍍膜工藝對環境的要求等。本書具有權威性、實用性和通用性。 《真空科學技術叢書:真空鍍膜》可作為從事真空鍍膜技術的技術人員、真空專業的本科生、研究生教材使用,亦可供鍍膜、表面改型等專業和真空行業技術人員參考。
    精彩內容
         真空科學技術是現代科學技術中應用最為廣泛的高技術之一。制備超純材料需要超高真空技術,太陽能薄膜電池及芯片制作需要清潔真空技術,航天器空間環境地面模擬設備需要大型真空容器技術。真空科學技術已滲透到人們的教學、科研、生產過程、經濟活動以及日常生活中的方方面面,人們普遍認識到了真空科學技術的重要性。
             真空科學技術是一門涉及多學科、多專業的綜合性應用技術,它吸收了眾多科學技術領域的基礎理論和近期新成果,使自己不斷地進步和發展。真空科學技術的應用標志著國家科學和工業現代化的水平,大力發展真空科學技術是振興民族工業,實現國家現代化的基本出發點。
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