●1 緒論
● 1.1 引言
● 1.2 AIN的結構和性能
●  1.2.1 AIN的結構
●  1.2.2 AIN的性能
● 1.3 AIN的應用領域
●  1.3.1 基體材料和組件封裝材料
●  1.3.2 耐熱衝和熱交換材料
●  1.3.3 其他方面的應用
● 1.4 AIN的熱導率
●  1.4.1 AIN陶瓷的導熱機理
●  1.4.2 影響AIN陶瓷熱導率的主要因素
● 1.5 AIN陶瓷的研究歷程
●2 AIN陶瓷的制備
● 2.1 AIN粉體的制備
●  2.1.1 鋁粉直接氮化法
●  2.1.2 高溫自蔓延法
●  2.1.3 碳熱還原法
●  2.1.4 氣相法
●  2.1.5 有機鹽裂解法
●部分目錄

本書綜合介紹了氮化鋁粉體的制備、氮化鋁陶瓷的制造工藝及應用狀況。重點闡述了氮化鋁陶瓷的高壓燒結，對氮化鋁粉體的高壓燒結特性、顯微結構及導熱性能、燒結助劑的選用、氮化鋁高壓燒結體的結構調整、氮化鋁高壓燒結體的殘餘應力及高壓燒結機理進行了探討和分析。
本書可供從事功能陶瓷研究、開發、生產的科技工作者以及相關專業的大學生、研究生閱讀參考。

    1.3.1.2 陶瓷材料
    陶瓷材料是電子封裝中常用的一種基片材料，其主要優點在於：高的絕緣性能和優異的高頻特性，器件相近的線膨脹率，很高的化學穩定性和較好的熱導率。從20世紀60年代至今，美、日等發達國家相繼研究並推出疊片多層陶瓷基片及封裝材料和工藝，陶瓷基片巳是當今世界上廣泛應用的幾種高技術陶瓷之一。目前，已用於實際生產和開發應用的高導熱陶瓷基片材料主要包括氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹等。氧化鋁陶瓷是目前應用*成熟的陶瓷基片。它具有表面光滑、價格低、耐熱、熱導率高、機械強度高、耐熱衝擊、電絕緣性好、化學穩定性好等諸多優點，其制作和加工技術比較成熟，因而使用*廣泛，占陶瓷基片材料的90%。幾種常用陶瓷封裝材料的性能如表1-4所示。
  &n等