基本信息

書名:半導體制造技術

定價

作者:(美)誇克,(美)瑟達著,韓鄭生等譯

出版社：電子工業出版社

出版日期：2015-06-01

ISBN：9787121260834

字數：986000

頁碼：600

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

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編輯推薦

《國外電子與通信教材繫列:半導體制造技術》旨在介紹半導體集成電路產業中的新工具和技術，以便提離讀者在工作過程中理解與使用相同或類似工具的能力。全書在細節上覆蓋了用於亞0.25μm（0.18μm及以下）工藝的新技術，通過描述早期的工具和工藝來闡明現代技術的發展。書中包括銅互連、化學機械平坦化（CMP）、低k介質工藝、淺槽隔離（STI）、深紫外化學放大光刻膠、步進與掃描繫統、具有雙大馬士革的銅金屬化等。書中還解釋了產業變化漫長歷史中的所有工藝和設備，以及工藝需求和設備性能的技術關繫，並給出了設備潛在性能與 佳制造所需工藝參數之間的折中。

內容提要

本書詳細追述了半導體發展的歷史並吸收了各種新技術資料，學術界和工業界對本書的評價都很高。全書共分20章，根據應用於半導體制造的主要技術分類來安排章節，包括與半導體制造相關的基礎技術信息；總體流程圖的工藝模型概況，用流程圖將硅片制造的主要領域連接起來；具體講解每一個主要工藝；集成電路裝配和封裝的後部工藝概況。此外，各章為讀者提供了關於質量測量和故障排除的問題，這些都是會在硅片制造中遇到的實際問題。

目錄

章 半導體產業介紹
目標
1.1 引言
1.2 產業的發展
1.3 電路集成
1.4 集成電路制造
1.5 半導體趨勢
1.6 電子時代
1.7 在半導體制造業中的職業
1.8 小結

第2章 半導體材料特性
目標
2.1 引言
2.2 原子結構
2.3 周期表
2.4 材料分類
2.5 硅
2.6 可選擇的半導體材料
2.7 小結

第3章 器件技術
目標
3.1 引言
3.2 電路類型
3.3件結構
3.4件結構
3.5 CMOS器件的閂鎖效應
3.6 集成電路產品
3.7 小結

第4章 硅和硅片制備
目標
4.1 引言
4.2 半導體級硅
4.3 晶體結構
4.4 晶向
4.5 單晶硅生長
4.6 硅中的晶體缺陷
4.7 硅片制備
4.8 質量測量
4.9 外延層
4.10 小結

第5章 半導體制造中的化學品
目標
5.1 引言
5.2 物質形態
5.3 材料的屬性
5.4 工藝用化學品
5.5 小結

第6章 硅片制造中的沾污控制
目標
6.1 引言
6.2 沾污的類型
6.3 沾污的源與控制
6.4 硅片濕法清洗
6.5 小結

第7章 測量學和缺陷檢查
目標
7.1 引言
7.2 集成電路測量學
7.3 質量測量
7.4 分析設備
7.5 小結

第8章 工藝腔內的氣體控制
目標
8.1 引言
8.2 真空
8.3 真空泵
8.4 工藝腔內的氣流
8.5 殘氣分析器
8.6 等離子體
8.7 工藝腔的沾污
8.8 小結

第9章 集成電路制造工藝概況
目標
9.1 引言
9.2 CMOS工藝流程
9.3 CMOS制作步驟
9.4 小結

0章 氧化
目標
10.1 引言
10.2 氧化膜
10.3 熱氧化生長
10.4 高溫爐設備
10.5 臥式與立式爐
10.6 氧化工藝
10.7 質量測量
10.8 氧化檢查及故障排除
10.9 小結

1章 澱積
目標
11.1 引言
11.2 膜澱積
11.3 化學氣相澱積
11.4 CVD澱積繫統
11.5 介質及其性能
11.6 旋塗絕緣介質
11.7 外延
11.8 CVD質量測量
11.9 CVD檢查及故障排除
11.10 小結

2章 金屬化
目標
12.1 引言
12.2 金屬類型
12.3 金屬澱積繫統
12.4 金屬化方案
12.5 金屬化質量測量
12.6 金屬化檢查及故障排除
12.7 小結

3章 光刻：氣相成底膜到軟烘
目標
13.1 引言
13.2 光刻工藝
13.3 光刻工藝的8個基本步驟
13.4 氣相成底膜處理
13.5 旋轉塗膠
13.6 軟烘
13.7 光刻膠質量測量
13.8 光刻膠檢查及故障排除
13.9 小結

4章 光刻：對準和曝光
目標
14.1 引言
14.2 光學光刻
14.3 光刻設備
14.4 混合和匹配
14.5 對準和曝光質量測量
14.6 對準和曝光檢查及故障排除
14.7 小結

5章 光刻：光刻膠顯影和先進的光刻技術
目標
15.1 引言
15.2 曝光後烘焙
15.3 顯影
15.4 堅膜
15.5 顯影檢查
15.6 先進的光刻技術
15.7 顯影質量測量
15.8 顯影檢查及故障排除
15.9 小結

6章 刻蝕
目標
16.1 引言
16.2 刻蝕參數
16.3 干法刻蝕
16.4 等離子體刻蝕反應器
16.5 干法刻蝕的應用
16.6 濕法腐蝕
16.7 刻蝕技術的發展歷程
16.8 去除光刻膠
16.9 刻蝕檢查
16.10 刻蝕質量測量
16.11 干法刻蝕檢查及故障排除
16.12 小結

7章 離子注入
目標
17.1 引言
17.2 擴散
17.3 離子注入
17.4 離子注入機
17.5 離子注入在工藝集成中的發展趨勢
17.6 離子注入質量測量
17.7 離子注入檢查及故障排除
17.8 小結

8章 化學機械平坦化
目標
18.1 引言
18.2 傳統的平坦化技術
18.3 化學機械平坦化
18.4 CMP應用
18.5 CMP質量測量
18.6 CMP檢查及故障排除
18.7 小結

9章 硅片測試
目標
19.1 引言
19.2 硅片測試
19.3 測試質量測量
19.4 測試檢查及故障排除
19.5 小結

第20章 裝配與封裝
目標
20.1 引言
20.2 傳統裝配
20.3 傳統封裝
20.4 先進的裝配與封裝
20.5 封裝與裝配質量測量
20.6 集成電路封裝檢查及故障排除
20.7 小結

附錄A 化學品及安全性
附錄B 淨化間的沾污控制
附錄C 單位
附錄D 作為氧化層厚度函數的顏色
附錄E 光刻膠化學的概要
附錄F 刻蝕化學

作者介紹

作者:Michael Quirk、 Julian Serda (邁克爾.誇克 朱利安.瑟達 ) 譯者:韓鄭生 等
Michael Quirk致力於半導體工藝方面的培訓課程。Julian Serda：任職於AMD公司。

序言