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  • 晶體硅太陽電池制造技術 王文靜 新能源應用技術叢書
    該商品所屬分類:圖書 -> 機械工業出版社
    【市場價】
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    【優惠價】
    338-490
    【作者】 王文靜 
    【出版社】機械工業出版社 
    【ISBN】9787111452720
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    內容介紹



    店鋪:機械工業出版社官方旗艦店
    出版社:機械工業出版社
    ISBN:9787111452720

    商品編碼:10026475156846
    品牌:機械工業出版社(CMP)
    出版時間:2017-10-01

    頁數:200
    字數:423000
    審圖號:9787111452720

    作者:王文靜

        
        
    "baecf198635367d9.jpgeef3fc2728ae9c53.jpg

    商品參數

      商品基本信息
    商品名稱:   晶體硅太陽電池制造技術
    作者:   王文靜
    市場價:   69.80
    ISBN號:   9787111452720
    版次:   1-2
    出版日期:    
    頁數:   352
    字數:   423
    出版社:   機械工業出版社


    內容介紹

    本書不僅介紹了太陽電池每個工藝環節的工藝流程及參數,而且分析了該工藝環節的原理、控制難點,以及與其他工藝環節之間的關聯性。此外,還在每章節後給出了論文索引,便於讀者繼續學習。本書在結構上遵循晶體硅太陽電池制造的各個環節的步驟逐步介紹其原理、工藝技術、設備種類。在深入介紹其原理的同時,對於生產線的工藝技術及設備進行了論述。

    目錄

    前言 *1章 晶體硅太陽電池的原理及工藝流程 1 1.1 晶體結構與能帶理論 1 1.2 光吸收 5 1.3 載流子的復合 9 1.4 半導體pn結 10 1.5 載流子的輸運機理 11 1.6 載流子的收集 13 1.7 光管理 14 1.8 晶體硅太陽電池的基本結構 16 1.9 晶體硅太陽電池的性能 17 1.10 晶體硅太陽電池的結構參數優化 19 1.11 晶體硅太陽電池的基本制備工藝 25
    前言
    *1章 晶體硅太陽電池的原理及工藝流程 1
    1.1 晶體結構與能帶理論 1
    1.2 光吸收 5
    1.3 載流子的復合 9
    1.4 半導體pn結 10
    1.5 載流子的輸運機理 11
    1.6 載流子的收集 13
    1.7 光管理 14
    1.8 晶體硅太陽電池的基本結構 16
    1.9 晶體硅太陽電池的性能 17
    1.10 晶體硅太陽電池的結構參數優化 19
    1.11 晶體硅太陽電池的基本制備工藝 25
    參考文獻 26
    *2章 表面織構化工藝 28
    2.1 減反及陷光原理 28
    2.2 晶體硅電池產業中的表面織構化及清洗工藝 30
    2.3 堿腐蝕制絨 33
    2.3.1 反應原理 33
    2.3.2 金字塔的成核與生長 34
    2.3.3 添加劑 35
    2.3.4 堿性制絨工藝條件分析 36
    2.3.5 絨面結構對反射率及電池性能的影響 38
    2.4 多晶硅片的表面織構化 38
    2.4.1 反應原理 39
    2.4.2 工藝條件的影響 41
    2.4.3 絨面結構對反射率及電池性能的影響 44
    2.5 等離子體刻蝕 45
    參考文獻 47
    第3章 擴散 51
    3.1 擴散原理 51
    3.1.1 擴散的基本物理機理 51
    3.1.2 擴散方程 52
    3.1.3 磷擴散的原理 55
    3.1.4 硼擴散的原理 57
    3.2 氣相擴散 57
    3.3 固態源擴散 61
    3.4 擴散相關工藝 62
    3.4.1 氧化過程中雜質的擴散行為 62
    3.4.2 雜質在氧化硅中的擴散 65
    3.5 擴散對太陽電池性能的影響 67
    3.5.1 擴散吸雜 67
    3.5.2 優化發射極 70
    3.6 擴散特性的測量技術 72
    3.6.1 傾斜和染色法 72
    3.6.2 四探針測試法 73
    3.6.3 擴展電阻測試法 73
    3.6.4 電容法 74
    3.6.5 二次離子質譜(SIMS) 74
    3.6.6 電容-電壓(C-V)曲線 75
    3.7 擴散設備 76
    參考文獻 79
    第4章 鈍化和減反射技術 83
    4.1 過剩載流子的復合機理 83
    4.2 表面復合 87
    4.2.1 表面復合速率與有效少子壽命 87
    4.2.2 平帶近似條件下表面復合速率的計算 90
    4.2.3 介質層鈍化的表面復合理論 92
    4.3 Si-SiO2界面 105
    4.3.1 SiO2薄膜制備技術 105
    4.3.2 SiO2薄膜的表面缺陷特性 107
    4.3.3 影響Si-SiO2界面態的因素 111
    4.3.4 Si-SiO2的界面復合特性 111
    4.4 Si-SiNx界面 115
    4.4.1 SiNx膜制備技術 116
    4.4.2 SiNx制備工藝 119
    4.4.3 SiNx薄膜的電荷特性 129
    4.4.4 SiNx表面復合速率和有效少子壽命 136
    4.4.5 p型Si-SiNx界面的寄生漏電現像 141
    4.5 Si-Al2O3界面 143
    4.5.1 Al2O3制備技術 144
    4.5.2 ALD制備的Al2O3膜特性 145
    4.5.3 Al2O3膜的鈍化特性 150
    4.5.4 鈍化機理 154
    4.5.5 Al2O3膜的穩定性 156
    4.5.6 Al2O3的疊層結構 157
    4.5.7 工業規模的ALD技術 158
    4.6 小結 161
    參考文獻 163
    第5章 電極制備技術 175
    5.1 前電極優化原則 175
    5.1.1 遮光損失 175
    5.1.2 串聯損失 176
    5.1.3 並聯電阻 178
    5.1.4 接觸復合損失 179
    5.1.5 電極優化原則 179
    5.2 絲網印刷法制備電極工藝 180
    5.2.1 絲印技術 180
    5.2.2 電極制備工藝 186
    5.3 銀電極接觸及導電機理 188
    5.3.1 銀電極接觸形成機理 188
    5.3.2 銀電極導電機理 193
    5.3.3 影響接觸電阻的因素分析 194
    5.4 背接觸及背表面場的形成 197
    5.4.1 鋁背場形成機理及作用 197
    5.4.2 影響背場質量的因素 199
    5.4.3 背反射 201
    5.4.4 燒結導致的硅片彎曲 202
    5.5 電極制備新技術 202
    5.5.1 二次印刷法 203
    5.5.2 噴墨打印法 203
    5.5.3 化學鍍/電鍍法 204
    參考文獻 205
    第6章 硅片和太陽電池的幾種測試方法 210
    6.1 少子壽命測試 210
    6.1.1 少子壽命測試簡介 210
    6.1.2 載流子壽命測試在Si片和太陽電池中的應用 211
    6.2 少子壽命測試方法 213
    6.2.1 基於光電導技術的測試方法 215
    6.2.2 表面光電壓(SPV)法 221
    6.2.3 調制自由載流子吸收(MFCA) 223
    6.2.4 IR載流子密度成像(CDI) 223
    6.2.5 電子束誘導電流(EBIC)方法 224
    6.2.6 光束誘導電流(LBIC)方法 225
    6.3 反射光譜分析 226
    6.4 太陽電池的I-V特性測試 228
    6.4.1 暗I-V表征雙二極管模型(pn結特性的測量) 229
    6.4.2 電池在光照狀態下的負載特性(光照I-V曲線) 230
    6.5 太陽電池的光譜響應曲線測試 234
    6.5.1 基於濾波片的測試繫統 236
    6.5.2 基於光柵單色儀的光譜響應測試繫統 237
    6.6 晶體硅太陽電池的失效分析 239
    6.6.1 發射光譜技術介紹 240
    6.6.2 電致發光測試(EL) 242
    6.6.3 光致發光測試(PL) 244
    6.6.4 熱紅外成像測試 246
    6.6.5 鎖相熱成像(LIT)測試 247
    6.7 小結 251
    參考文獻 251
    第7章 晶體硅太陽電池生產線整體工藝控制技術 254
    7.1 晶體硅太陽電池生產工藝中各種影響 顯示全部信息



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