店鋪：機械工業出版社官方旗艦店 出版社：機械工業出版社 ISBN：9787111604983 商品編碼：10026473765040 品牌：機械工業出版社（CMP） 出版時間：2018-10-01 頁數：200 字數：354000 審圖號：9787111604983 作者：趙善麒
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商品參數
| 商品基本信息 | | 商品名稱： | 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）設計與工藝 | | 作者： | 趙善麒 | | 市場價： | 98.00 | | ISBN號： | 9787111604983 | | 版次： | 1-1 | | 出版日期： | 2018-10 | | 頁數： | 294 | | 字數： | 354 | | 出版社： | 機械工業出版社 |
內容介紹
IGBT是新型高頻電力電子技術的CPU，是目前國家重點支持的核心器件，被廣泛應用於國民經濟的各個領域。本書共分10章，包括器件結構和工作原理、器件特性分析、器件設計、器件制造工藝、器件仿真、器件封裝、器件測試、器件可靠性和失效分析、器件應用和衍生器件及SiC-IGBT。 本書面向電氣、自動化、新能源等領域從事電力電子技術的廣大工程技術人員和研究生，既滿足從事器件設計、制造、封裝、測試專業人員的知識和技術需求，也兼顧器件應用專業人員對器件深入了解以滿足更好應用IGBT的願望。
目錄
電力電子新技術繫列圖書序言 前言 *1章器件結構和工作原理1 1.1器件結構1 1.1.1基本胞結構 1 1.1.2縱向結構 3 1.1.3橫向結構8 1.2工作原理與I-U特性11 1.2.1等效電路與模型11 1.2.2工作原理12 1.2.3物理效應14 1.2.4 I-U特性16 參考文獻24 *2章器件特性分析26 電力電子新技術繫列圖書序言
前言
*1章器件結構和工作原理1
1.1器件結構1
1.1.1基本胞結構 1
1.1.2縱向結構 3
1.1.3橫向結構8
1.2工作原理與I-U特性11
1.2.1等效電路與模型11
1.2.2工作原理12
1.2.3物理效應14
1.2.4 I-U特性16
參考文獻24
*2章器件特性分析26
2.1IGBT的靜態特性26
2.1.1通態特性26
2.1.2阻斷特性27
2.2IGBT的動態特性31
2.2.1開通特性31
2.2.2關斷特性34
2.2.3頻率特性40
2.3安全工作區44
2.3.1FBSOA44
2.3.2RBSOA44
2.3.3SCSOA45
參考文獻46
第3章器件設計48
3.1關鍵電參數的設計48
3.1.1關鍵參數48
3.1.2需要協調的參數49
3.2有源區結構設計50
3.胞結構50
3.2.2柵極結構51
3.2.3柵極參數設計52
3.3終端結構設計54
3.3.1場限環終端設計54
3.3.2場板終端設計56
3.3.3橫向變摻雜終端設計57
3.3.4深槽終端設計58
3.4縱向結構設計59
3.4.1漂移區設計59
3.4.2緩衝層設計60
3.4.3集電區設計62
3.4.4增強層設計63
參考文獻65
第4章器件制造工藝67
4.1襯底材料選擇67
4.1.1硅單晶材料67
4.1.2硅外延片69
4.2制作工藝流程69
4.2.1平面柵結構的制作69
4.2.2溝槽柵結構的制作73
4.3基本工藝77
4.3.1熱氧化77
4.3.2摻雜79
4.3.3光刻85
4.3.4刻蝕88
4.3.5化學氣相澱積92
4.3.6物理氣相澱積94
4.3.7減薄與劃片工藝95
4.4工藝質量與參數檢測98
4.4.1工藝質量檢測98
4.4.2工藝參數檢測99
參考文獻103
第5章器件仿真105
5.1半導體計算機仿真的基本概念105
5.1.1工藝仿真105
5.1.2器件仿真106
5.1.3電路仿真107
5.2器件仿真方法、軟件及流程107
5.2.1器件仿真方法（TCAD）107
5.2.2器件仿真與工藝仿真軟件108
5.2.3器件仿真流程111
5.3器件物理模型選取111
5.3.1流體力學能量輸運模型111
5.3.2量子學模型113
5.3.3遷移率模型114
5.3.4載流子復合模型116
5.3.5雪崩產生模型118
5.4器件物理結構與網格劃分119
5.5器件電特性仿真121
5.61200V/100A IGBT設計實例123
5.胞設計123
5.6.2終端設計128
5.6.3器件工藝設計131
參考文獻144
第6章器件封裝147
6.1封裝技術概述147
6.2封裝基本結構和類型149
6.3封裝關鍵材料及工藝152
6.3.1絕緣基板及其金屬化153
6.3.2底板材料160
6.3.3黏結材料162
6.3.4電氣互聯材料167
6.3.5密封材料168
6.3.6塑料外殼材料170
6.3.7功率半導體芯片170
6.4IGBT模塊封裝設計171
6.4.1熱設計172
6.4.2174
6.4.3仿真技術應用175
6.5典型封裝技術與工藝183
6.5.1焊接過程184
6.5.2清洗185
6.5.3鍵合188
6.5.4灌膠保護189
6.5.5測試190
6.6IGBT模塊封裝技術的新進展190
6.6.1低溫燒結技術190
6.6.2壓接技術191
6.6.3雙面散熱技術192
6.6.4引線技術192
6.6.5端子連接技術193
6.6*6SiC器件封裝194
參考文獻194
第7章器件測試195
7.1靜態參數195
7.1.1集電極-發射極電壓UCES195
7.1.2柵極-發射極電壓UGES196
7.1.3*大集電極連續電流IC197
7.1.4*大集電極峰值電流ICM197
7.1.5集電極截止電流ICES198
7.1.6柵極漏電流IGES199
7.1.7集電極*發射極飽和電壓 UCEsat199
7.1.8柵極-發射極閾值電壓 UGE(th)200
7.2動態參數200
7.2.1輸入電容Cies201
7.2.2輸出電容Coes202
7.2.3反向傳輸電容Cres203
7.2.4柵極電荷QG203
7.2.5柵極內阻rg204
7.2.6開通期間的各時間間隔和開通能量205
7.2.7關斷期間的各時間間隔和關斷能量206
7.3熱阻208
7.3.1IGBT的熱阻定義208
7.3.2結-殼熱阻Rth(j-c)和結殼瞬態熱阻抗Zth(j-c)208
7.4安全工作區211
7.4.1*大反偏安全工作區RBSOA211
7.4.2*大短路安全工作區SCSOA213
7.4.3*大正偏安全工作區FBSOA215
7.5UIS測試217
7.6可靠性參數測試218
7.6.1高溫阻斷試驗（HTRB）220
7.6.2高溫柵極偏置(HTGB）220
7.6.3高溫高濕反偏（H3TRB）221
7.6.4間歇工作壽命（PC）222
7.6.5溫度循環（TC）223
參考文獻224
第8章器件可靠性和失效分析225
8.1器件可靠性225
8.1.1閂鎖電流225
8.1.2雪崩耐量231
8.1.3抗短路能力235
8.1.4抗輻射能力238
8.2器件失效分析242
8.2.1過電壓失效243
8.2.2過電流與過熱失效246
8.2.3機械應力失效分析250
8.2.4輻射失效分析252
參考文獻254
第9章器件應用256
9.1IGBT應用繫統介紹256
9.1.1IGBT損耗的計算257
9.1.2IGBT電壓、電流等級選取258
9.2IGBT驅動電路與設計259
9.2.1IGBT的柵極驅動電路260
9.2.2柵極電阻選取260
9.2.3驅動電流262
9.2.4柵極保護262
9.2.5死區時間263
9.3IGBT保護電路263
9.3.1過電流保護電路264
9.3.2過電壓保護電路265
9.3.3過熱保護電路266
9.3.4典型的驅動電路示例267
9.4IGBT評估測試267
9.4.1雙脈衝測試法267
9.4.2雙脈衝測試設備268
參考文獻273
*10章衍生器件及SiC-IGBT274
10.1雙向IGBT274
10.1.1基本結構274
10.1.2器件特性276
10.1.3工藝實現方法278
10.2逆導IGBT279
10.2.1基本結構280
10.2.2器件特性280
10.2.3工藝實現方法283
10.3逆阻IGBT283
10.3.1基本結構283
10.3.2器 顯示全部信息
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