●第1章天地間的軟錯誤：歷史回顧、實驗證據和未來趨勢
●1.1介紹
●1.2歷史
●1.3電子繫統中的軟錯誤
●1.4等比例縮小對於軟錯誤的影響
●1.4.1SRAM軟錯誤率的變化趨勢
●1.4.2DRAM軟錯誤率的變化趨勢
●1.4.3鎖存器和觸發器的軟錯誤率
●1.4.4組合邏輯電路軟錯誤率
●1.4.5單粒子閂鎖變化趨勢
●1.4.6未來趨勢
●1.5結論
●參考文獻
●第2章單粒子效應：機理和分類
●2.1介紹
●2.2背景環境、作用機理及反衝能量損失
●2.2.1自然輻照環境
●2.2.2中子和物質的相互作用：產生高能反衝物
●2.2.3反衝物：離化和射程
●2.2.4電離
●部分目錄

本書繫統闡述了軟錯誤發生的復雜物理過程，全書共分為10章。主要介紹了軟錯誤研究歷史和未來發展趨勢；單粒子效應發生機制與分類；JEDEC標準；門級建模與仿真；電路級和繫統級單粒子效應建模與仿真；硬件故障注入；采用加速測試與錯誤率預估技術，評估驗證面向空間或地面環境的集成電路；電路級軟錯誤抑制技術；軟件級軟錯誤抑制技術；高可靠電子繫統軟錯誤性能的技術指標與驗證方法。全書總結了過去，預測了未來趨勢，闡述了單粒子的翻轉物理機制、建模、軟錯誤抑制技術以及業界和學界的研究成果。

(法)尼古拉季斯(Michael Nicolaidis) 主編;韓鄭生,畢津順 譯 著作

譯  者  序

電子繫統的軟錯誤，對於許多人來說可能還比較陌生。搞過電子繫統測試和維修的人都有體會，繫統的短路或斷路這些硬錯誤比較好找到，也好處理。而對於線路受傷、接觸不良等錯誤，查找起來挑戰就比較大。
隨著集成電路按照摩爾定律快速發展，器件的特征尺寸越來越小、電路規模越來越大、電路速度越來越快、繫統功能越來越復雜。由其組成的電子繫統出現的軟錯誤更加怪異，對其進行的測試、診斷難度更大，對其預測和采取保護措施的代價越來越大，如以犧牲面積、速度來換取高可靠性。以往在空間等不計成本的特殊領域纔用到的冗餘技術、容錯糾錯技術，在使用近期新技術的產品中也不得不采用。
本書是為應對這些挑戰所編著的，介紹了器件級、電路級、行為級和繫統級等不同層次消除或抑制軟錯誤的技術。
本書第1章至第6章由畢津順翻譯，第7章至第10章由韓鄭等