"#介紹微電子以及納米尺度制造相關的工藝技術。#覆蓋集成電路制造所涉及的所有基本單項工藝。#采用商業化模擬工具求解描述各種工藝過程的方程的解析解。"

●第1篇 綜述與題材
第1章 微電子制造引論 2
1.1 微電子工藝：一個簡單的實例 3
1.2 單項工藝與工藝技術 5
1.3 本課程指南 7
1.4 小結 7
第2章 半導體襯底 8
2.1 相圖與固溶度° 8
2.2 結晶學與晶體結構° 12
2.3 晶體缺陷 13
2.4 直拉法(Czochralski法)單晶生長 19
2.5 Bridgman法生長GaAs 26
2.6 懸浮區熔法及其他單晶生長方法 27
2.7 晶圓片制備及其規格 29
2.8 小結與未來發展趨勢 30
習題 31
參考文獻 32
第2篇 單項工藝I：熱處理與離子注入
第3章 擴散 36
3.1 一維費克擴散方程 36
3.2 擴散的原子模型 37
3.3 費克定律的解析解 42
3.4 常見雜質的擴散繫數 45
3.5 擴散分布的分析 48
3.6 SiO2中的擴散 54
3.7 擴散分布的數值模擬 56
3.8 小結 60
習題 60
參考文獻 62
第4章 熱氧化 65
4.1 迪爾-格羅夫氧化模型 65
4.2 線性與拋物線速率繫數 67
4.3 初始階段的氧化 71
4.4 SiO2的結構 73
4.5 氧化層的特性 74
4.6 硅襯底及多晶硅氧化過程中摻雜劑的影響 80
4.7 硅的氮氧化物 83
4.8 其他可選的柵絕緣層+ 84
4.9 氧化繫統 86
4.10 氧化工藝的數值模擬+ 88
4.11 小結 90
習題 90
參考文獻 93
第5章 離子注入 97
5.1 理想化的離子注入繫統 97
5.2 庫侖散射° 103
5.3 垂直投影射程 103
5.4 溝道效應與橫向投影射程 109
5.5 注入損傷 110
5.6 淺結的形成+ 114
5.7 埋層介質+ 116
5.8 離子注入繫統的問題和關注點 118
5.9 注入分布的數值模擬+ 119
5.10 小結 121
習題 121
參考文獻 123
第6章 快速熱處理 127
6.1 灰體輻射、熱交換與光吸收 128
6.2 高強度光源與反應腔設計 130
6.3 溫度的測量 133
6.4 熱塑應力° 136
6.5 雜質的快速熱激活 138
6.6 介質的快速熱處理 140
6.7 金屬硅化物與接觸的形成 141
6.8 其他可選的快速熱處理繫統 143
6.9 小結 144
習題 144
參考文獻 145
第3篇 單項工藝2：圖形轉移
第7章 光學光刻 152
7.1 光學光刻概述 152
7.2 衍射° 156
7.3 調制傳輸函數與光學曝光 158
7.4 光源繫統與空間相干性 161
7.5 接觸式與接近式光刻機 166
7.6 投影式光刻機 168
7.7 優選掩模概念+ 175
7.8 表面反射與駐波 178
7.9 對準 179
7.10 小結 180
習題 181
參考文獻 182
第8章 光刻膠 185
8.1 光刻膠類型 185
8.2 有機材料與聚合物 185
8.3 DQN正性光刻膠的典型反應 187
8.4 對比度曲線 189
8.5 臨界調制傳輸函數 192
8.6 光刻膠的塗敷與顯影 192
8.7 二階曝光效應 197
8.8 優選的光刻膠與光刻膠工藝+ 200
8.9 小結 203
習題 204
參考文獻 206
第9章 非光學光刻技術+ 209
9.1 高能射線與物質之間的相互作用° 209
9.2 直寫電子束光刻繫統 212
9.3 直寫電子束光刻：總結與展望 218
9.4 X射線與EUV光源° 219
9.5 接近式X射線繫統 221
9.6 接近式X射線光刻的薄膜型掩模版 223
9.7 EUV光刻 225
9.8 投影式電子束光刻(SCALPEL) 226
9.9 電子束與X射線光刻膠 228
9.10 MOS器件中的輻射損傷 230
9.11 軟光刻與納米壓印光刻 232
9.12 小結 235
習題 235
參考文獻 236
……

本書對微納制造技術的各個領域都給出了一個全面透徹的介紹，覆蓋了集成電路制造所涉及的所有基本單項工藝，包括光刻、等離子體和反應離子刻蝕、離子注入、擴散、氧化、蒸發、氣相外延生長、濺射和化學氣相澱積等。對每一種單項工藝，不僅介紹了它的物理和化學原理，還描述了用於集成電路制造的工藝設備。本書新增了制作納米集成電路及其他半導體器件所需的各種基本單項工藝，還介紹了22 nm 的FinFET 器件、氮化鎵LED 及薄膜太陽能電池、新型微流體器件的制造工藝流程。

(美)斯蒂芬·A.坎貝爾 著 嚴利人,梁仁榮 譯