●前言
第1章 摻雜半導體的導電性
1.1 摻雜和載流子
1.2 電導率和電阻率
1.3 遷移率
1.4 測量電阻率的四探針方法
1.5 擴散薄層的方塊電阻
第2章 能級和載流子
2.1 量子態和能級
2.2 多子和少子的熱平衡
2.3 費米能級
2.4 電子的平衡統計分布規律
2.5 非平衡載流子的復合
2.6 非平衡載流子的擴散
第3章 pn結
3.1 pn結的電流-電壓關繫
3.2 空間電荷區中的復合和產生電流
3.3 晶體管的電流放大作用
3.4 高摻雜的半導體和pn結
3.5 pn結的擊穿
3.6 pn結的電容效應
3.7 金屬-半導體接觸
第4章 半導體表面
4.1 表面空間電荷區及反型層
4.2 MIS電容器——理想C(V)特性
4.3 實際MIS電容器的C(V)特性及應用
4.4 硅-二氧化硅繫統的性質
4.5 MOS場效應晶體管
4.6 電荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和間隙原子
5.3 位錯
5.4 層錯
5.5 相變和相圖
