●章 石墨烯簡介/ 001
1.1 發展歷程001
1.2 結構與性質002
1.3 分類及命名004
1.4 結構表征與性能測量005
1.4.1光學顯微分析005
1.4.2拉曼光譜分析006
1.4.3電子顯微分析007
1.4.4掃描探針顯微分析008
1.4.5其他表征技術008
1.4.6電學性能測量008
1.5 石墨烯的應用010
1.6 制備方法011
參考文獻012
第2章 化學氣相沉積技術/ 017
2.1 CVD的特征、分類及發展017
2.1.1CVD的特征017
2.1.2CVD的分類018
2.1.3CVD的發展020
2.2 CVD反應原理021
2.2.1CVD反應過程021
2.2.2CVD反應類型022
2.2.3CVD的熱、動力學原理024
2.3 真空技術基礎028
2.3.1真空的概念及分類028
2.3.2真空繫統抽氣過程定量描述029
2.3.3真空繫統及真空泵031
2.3.4真空測量及真空檢漏032
2.4 CVD繫統簡介034
2.4.1CVD繫統的組成034
2.4.2常見CVD繫統035
2.5 CVD反應過程控制040
2.5.1CVD反應的主要參數040
2.5.2CVD工藝參數及過程控制041
2.6 CVD制備石墨烯概述042
2.6.1CVD制備石墨烯的發展歷程042
2.6.2CVD制備石墨烯的分類044
參考文獻045
第3章 石墨烯的成核與生長/ 047
3.1 石墨烯CVD生長過程047
3.2 氣相反應048
3.3 甲烷的吸附與分解050
3.4 活性基團052
3.5 石墨烯的成核055
3.6 石墨烯單晶的生長形狀060
3.6.1Wulff構型060
3.6.2熱力學平衡結構060
3.6.3動力學穩定性和生長行為063
3.6.4單晶形狀的實驗結果064
參考文獻078
第4章 石墨烯單晶制備/ 081
4.1 石墨烯成核密度的控制081
4.1.1基底表面的影響081
4.1.2碳雜質的影響082
4.1.3溫度的影響086
4.1.4甲烷和氫氣的影響088
4.1.5限域生長089
4.1.6氧的影響090
4.1.7基底表面鈍化093
4.1.8多級生長094
4.1.9定位成核095
4.2 同取向外延生長098
4.2.1大面積Cu(111)單晶基底制備099
4.2.2石墨烯的外延生長103
參考文獻105
第5章 石墨烯的層數控制/ 107
5.1 表面控制生長108
5.1.1共生長109
5.1.2面上生長111
5.1.3面下生長121
5.1.4影響石墨烯層數的因素125
5.2 溶解度控制生長143
5.2.1降溫速度控制144
5.2.2容量控制144
5.2.3溶解度控制146
參考文獻148
第6章 石墨烯薄膜的轉移/ 151
6.1 聚合物輔助基底刻蝕法151
6.1.1PDMS輔助轉移152
6.1.2PMMA輔助轉移154
6.1.3TRT輔助轉移157
6.2 聚合物輔助剝離法157
6.2.1機械剝離158
6.2.2電化學剝離轉移161
6.3 直接轉移法166
6.3.1熱層壓法166
6.3.2靜電吸附167
6.3.3“面對面”轉移170
6.3.4自組裝層171
參考文獻172
第7章 面向工業應用的石墨烯薄膜制備/ 175
7.1 低溫制備技術175
7.1.1TCVD法176
7.1.2PECVD法188
7.2 非金屬基底制備技術193
7.2.1半導體/絕緣介質基底193
7.2.2h-BN基底209
7.2.3玻璃基底211
7.2.4其他半導體或高k介質基底215
7.3 大面積及工業化制備217
7.3.1片式制備217
7.3.2卷對卷制備與轉移218
參考文獻223
第8章 總結與展望/ 228
參考文獻232

本書根據作者多年的石墨烯薄膜制備經驗和研究成果，並結合靠前外石墨烯薄膜制備的很新研究進展編撰而成。本書主要介紹基於化學氣相沉積法的石墨烯薄膜制備技術，首先對石墨烯概念、發展歷程和表征進行概括介紹，接著簡單介紹化學氣相沉積技術，然後繫統介紹石墨烯的成核與生長、單晶石墨烯的制備、石墨烯的層數控制，進一步介紹石墨烯薄膜的轉移技術以及面向工業應用的石墨烯薄膜規模化制備技術，很後對石墨烯薄膜現有制備技術進行總結，並對石墨烯薄膜的未來發展進行了展望。
本書對石墨烯薄膜制備技術進行了全面繫統的介紹，既方便初學者對該技術快速了解，又能使專業科研與技術人員對該技術有繫統深入的認識。希望本書能對石墨烯薄膜制備技術的發展與創新提供啟發與指導。