隨著太赫茲技術的發展，傳統固態器件在耐受功率等方面已經很難提升，導致現有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲繫統工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數的優點，在研制大功率固態源、高速調制和高靈敏探測方面具有優勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的近期新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、倍頻器、功率放大器、直接調制器件和高靈敏探測器件等，涉及器件的基本工作原理、設計方法、工藝方法、測試方法和應用等。本書是在作者近幾年來一直從事氮化物太赫茲器件研究工作的基礎上，借鋻了國內外相關領域的核心研究成果，並通過大量的應用實例來讓從事實踐的工程師掌握基本的固態太赫茲知識，並盡量減少純粹的數學分析。
本書供從事氮化物半導體太赫茲器件的研究人員及工程技術人員學習參考。
