《納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應研究》的作者陳榮梅主要從事集成電路的輻射效應，碳納米管互連線和晶體管的集成工藝、物理分析和電路建模與設計的研究工作，其研究成果得到國際知名專家和同行的高度認可。本書深入研究了納米體硅CMOS工藝邏輯電路中單粒子效應的產生與傳播受電路工作電壓、頻率和版圖結構這些電路內在因素以及溫度和總劑量兩種空間環境變量的影響規律及其機理，可供相關領域的研究人員深度閱讀。

●第1章緒論
1.1課題背景和意義
1.2空間輻射環境
1.3邏輯電路的輻射效應
1.3.1單粒子效應和總劑量效應
1.3.2邏輯電路的單粒子效應
1.4國內外研究現狀
1.4.1納米邏輯電路SEU軟錯誤傳播規律
1.4.2版圖結構對納米邏輯電路SET影響
1.4.3總劑量效應對納米邏輯電路SEE影響
1.4.4溫度對納米邏輯電路SEE影響
1.5本書的目標和研究內容
第2章納米邏輯電路SEU軟錯誤傳播規律的研究
2.1本章引論
2.2邏輯電路SEU傳播模型分析和仿真驗證
2.2.1現有的邏輯電路SEU傳播模型分析
2.2.2現有的邏輯電路SEU傳播模型仿真驗證
2.2.3改進的邏輯電路SEU傳播模型
2.3改進的邏輯電路SEU傳播模型的實驗驗證
2.3.1電路設計和實驗方法
2.3.2實驗結果和討論
2.4改進的邏輯電路SEU傳播模型的應用
2.4.1觸發器SEU軟錯誤的加固策略
2.4.2邏輯電路SEE軟錯誤動態截面評估
2.5單粒子軟錯誤傳播規律的影響因素
2.5.1電路設計
2.5.2組合邏輯延遲時間的影響
2.5.3入射粒子LET的影響
2.5.4觸發器抗SEU性能的影響
2.5.5邏輯電路單粒子軟錯誤截面的預測
2.6本章小結
第3章版圖結構對納米邏輯電路SET影響的研究
3.1本章引論
3.2電路設計和實驗方法
3.2.1電路設計
3.2.2實驗方法
3.3實驗結果和討論
3.3.1SET脈衝寬度測量精度和測量下限的標定
3.3.2SET脈衝寬度展寬因子的標定
3.3.3重離子垂直入射實驗結果和分析
3.3.4重離子斜入射實驗結果和分析
3.3.5激光微束單粒子效應實驗結果和分析
3.3.6對比分析和討論
3.4本章小結
第4章總劑量對納米邏輯電路SEE影響的研究
4.1引言
4.2實驗方法
4.3總劑量致靜態漏電流變化
4.4總劑量對邏輯電路SEU的影響
4.4.1實驗結果
4.4.2實驗結果討論
4.5總劑量對邏輯電路SET的影響
4.5.1實驗結果
4.5.2實驗結果討論
4.6本章小結
第5章溫度對納米邏輯電路SEE的影響
5.1引言
5.2電路設計和實驗方法
5.2.1電路設計
5.2.2實驗方法
5.3溫度對邏輯電路SEU的影響
5.3.1實驗結果
5.3.2實驗結果討論
5.4溫度對邏輯電路SET的影響
5.4.1實驗結果
5.4.2實驗結果討論
5.5本章小結
第6章總結與展望
6.1研究總結
6.2本書創新點
6.3需進一步開展的研究
參考文獻
在學期間發表的相關學術論文
相關研究成果
致謝

《納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應研究/清華大學優秀博士學位論文叢書》深入研究了納米體硅CMOS工藝邏輯電路中單粒子效應的產生與傳播受電路工作電壓、頻率和版圖結構等電路內在因素，以及溫度和總劑量兩種空間環境變量的影響規律及其機理。具體包括：①量化了SEU軟錯誤在邏輯電路中的傳播概率模型，並將其應用到單粒子效應的實驗評估中，同時提出SEU軟錯誤的加固策略；②研究了保護環加固與商用版圖結構電路對單粒子多瞬態效應的敏感性差異；③研究了邏輯電路的單粒子軟錯誤截面變化受工作電壓和測試向量的影響；④研究了不同電路工作電壓下邏輯電路的單粒子軟錯誤截面隨溫度的變化。《納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應研究/清華大學優秀博士學位論文叢書》可供納米集成電路輻射效應、單粒子效應的科研人員，以及抗輻射集成電路設計的工程師參考閱讀。