●第1章 緒論
●1.1 引言
●1.2 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的應用
●1.2.1 光電解水制氫
●1.2.2 光催化
●1.2.3 太陽能電池
●1.2.4 傳感器
●1.2.5 儲氫
●1.2.6 生物醫學
●1.2.7 其他
●1.3 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的制備
●1.3.1 模板法
●1.3.1.1 以氧化鋁為模板
●1.3.1.2 以納米線為模板
●1.3.2 陽極氧化法
●1.3.2.1 TiO2納米管陣列的形成機理
●1.3.2.2 制備參數對TiO2納米管陣列結構及性能的影響
●1.4 高度有序的TiO2納米管陣列薄膜的改性
●1.4.1 染料敏化
●1.4.2 離子摻雜
●部分目錄

    《TiO2納米管陣列的沉積改性與物性研究》從有利於後續功能化改性的納米管陣列的制備出發，通過掌握CdS及CdSe在TiO2納米管內的沉積機理，實現其在納米管內的可控沉積。然後將特定功函的金屬沉積在CdSe／CdS／TiO2材料上。改性過程將窄帶半導體材料的可控沉積、改性成分長效保護、異質結／Schottky結等多重技術結合起來，探求TiO2納米管陣列改性材料的性能與各相關參數的關繫及其電荷傳輸機制，將為納米TiO2光催化劑、光電轉換器件等的發展開闢一個新的方向，為設計和制備具有良好光電轉換性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依據。 

    通過調節Cd2+的濃度，先後實現了CdS和CdSe納米材料在Ti02納米管內的可控沉積，從而獲得了各組分厚度漸變的CdSe-CdS-TiO2體繫；在納米維度空間內實施沉積時，離子從管外遷移至管內的過程可能成了沉積的控制步驟。CdSe/CdS/TiO2體繫在紫外到可見光區的吸收強度隨沉積量的增加而增強，光學能帶隙也隨沉積量的增加而稍微下降。其光電性能與CdSe層及CdS層的量、納米管陣列的內徑相關。
    對於TiO2復合功能材料而言，改性材料的特性及改性材料與TiO2接觸的緊密程度不僅決定著TiO2復合功能材料的性能，也決定著改性材料本身的化學穩定性--這一點對具有光腐蝕特點的材料顯得尤為重要。CdS和CdSe具有窄的能帶隙和大的電荷傳輸速率，當以CdS或者CdSe對T1O2納米管陣列進行改性等