本書作為近年出版的一部關於CMOS器件和制造的專業書籍，講解十分細致，對於閱讀中出現的每一個疑問點都能給予及時的解析。本書結構清晰緊密，由粗至細，循序漸進，降低了閱讀難讀，並且內容十分豐富，涵蓋了锗硅應變源漏技術、高k/金屬柵技術、超淺結技術、優選接觸技術、銅互連技術和高遷移率溝道材料技術等。

●第1章 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管基礎
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累積
1.2.2 耗盡
1.2.3 反型
1.2.4 強反型
1.3 MOSFET的品質因數
1.4 MOSFET器件結構的演變
1.5 小結
參考文獻
第2章 器件結構小型化和演化進程
2.1 引言
2.2 尺寸和結構的縮放
2.2.1 縮放原則
2.2.2 器件結構的影響
2.2.3 無結型晶體管
2.3 光刻
2.3.1 增強分辨率
2.3.2 二次圖形化技術
2.3.3 極紫外光刻技術
2.3.4 掩模增強技術
2.4 電子束光刻
2.5 應變工程
第8 章 優選互連技術及其可靠性
8.1 引言
8.2 銅互連集成
8.2.1 大馬士革工藝
8.2.2 銅電阻隨互連微縮的變化
8.2.3 新型銅互連集成方案
8.3 low-k 介質特征和分類
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分類和表征
8.3.3 low-k介質集成挑戰
8.3.4 氣隙在互連中的實現
8.4 銅與硅和介質的相互作用
8.4.1 銅與硅的相互作用
8.4.2 銅與介質的相互作用
8.5 金屬擴散阻擋層
8.5.1 金屬間阻擋層的材料選擇
8.5.2 金屬擴散阻擋層的沉積
8.6 銅金屬化的可靠性
8.6.1 電遷移基礎理論
8.6.2 應力致空洞化
8.7 優選金屬間介質的可靠性
8.7.1 金屬間介質的漏電機理
8.7.2 金屬間介質的擊穿特性
8.8 可靠性統計和失效模型
8.8.1 概率分布函數
8.8.2 擊穿加速模型
8.9 未來的互連
8.10 小結
參考文獻
後記
原著致謝

《CMOS的過去，現在和未來》提供了從基礎知識到CMOS處理和電特性表征的近期新見解，包括基於IV組半導體的光子學的集成。本書探討了在應變工程中在硅上使用異質外延技術以及硅平臺上光子學和高遷移率通道的集成所帶來的陷阱和機遇。它從基本定義和方程式開始，但一直延伸到當前的技術和挑戰，創建了關於技術的起源及其到現在的發展以及對未來趨勢的展望的路線圖。 該書探討了硅以外的材料所帶來的挑戰和機遇，包括對高k材料和金屬柵極，應變工程，溝道材料和遷移率以及接觸的仔細研究。本書的關鍵方法是表征，器件處理和電氣測量。

(瑞典)亨利·H.拉達姆松(Henry H. Radamson)[著]著 著 趙超 譯