自1965年被提出以來，半導體產業的發展一直遵循著摩爾定律。但隨著近些年來越來越小的線寬技術的出現，在單一芯片上集成更高密度的電路並實現更多的功能變得越來越困難，成本也越來越高，於是出現了“超越摩爾”的呼聲。三維芯片集成與封裝技術目前被認為是超越摩爾定律，持續實現器件小型化、高密度、多功能化解決方案的核心技術。三維封裝技術，簡單來說，就是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個封裝體內，在垂直方向上疊放兩個或者更多芯片的技術。通俗點說，就像蓋房子，在占地面積不變的情況下，增加層高，以實現更大的使用等

●譯者序
原書前言
第1章 半導體IC封裝的3D集成1
1.1引言1
1.2 3D集成2
1.3 3D IC封裝4
1.4 3D Si集成5
1.5 3D IC集成7
1.5.1混合存儲器立方7
1.5.2寬I/O DRAM和寬I/O29
1.5.3高帶寬存儲器9
1.5.4寬I/O存儲器（或邏輯對邏輯）11
1.5.5無源轉接板（2.5D IC集成）12
1.6 TSV時代之前的供應鏈13
1.6.1前道工藝13
1.6.2後道工藝13
1.6.3封裝和測試代工13
1.7 TSV時代的供應鏈——誰制造TSV？14
1.7.1TSV通過先通孔工藝制造14
1.7.2TSV通過中通孔工藝制造14
1.7.3TSV通過後通孔（從正面）工藝制造14
1.7.4TSV通過後通孔（從背面）工藝制造14
1.7.5無源TSV轉接板怎麼樣？14
1.7.6誰想為無源轉接板制造TSV？15
1.7.7總結和建議15
1.8 TSV時代的供應鏈——誰負責MEOL、組裝和測試？15
1.8.1寬I/O存儲器（面對背）的中通孔TSV制造工藝15
1.8.2寬I/O存儲器（面對面）的中通孔TSV制造工藝16
1.8.3寬I/O DRAM的中通孔TSV制造工藝17
1.8.4帶有TSV/RDL無源轉接板的2.5D IC集成17
1.8.5總結和建議19
……

本書繫統地討論了用於電子、光電子和MEMS器件的2.5D、3D，以及3DIC集成和封裝技術的近期新進展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡地討論了IC的3D集成和封裝關鍵技術中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導體產業中IC按照摩爾定律的發展以及演變的歷史，闡述3D集成和封裝的優勢和挑戰，結合當前3D集成關鍵技術的發展重點討論TSV制程與模型、晶圓減薄與薄晶圓在封裝組裝過程中的拿持晶圓鍵合技術、3D堆疊的微凸點制造與組裝技術、3DSi集成、2.5D/3DIC集成和采用無源轉接板的3DIC集成、2.5D/3DIC集成的熱管理技術、封裝基板技術，以及存儲器、LED、MEMS、CIS3DIC集成等關鍵技術問題，最後討論3DIC封裝技術。
本書適合從事電子、光電子、MEMS等器件3D集成的工程師、科研人員和技術管理人員閱讀，也可以作為高等院校相關專業高年級本科生和研究生的教材和參等