《國外電子與電氣工程技術叢書:模擬電路設計·分立與集成(英文版)》特色：涵蓋雙極型和CMOST藝。數字電子技術中CMOST藝占主導地位，模擬電子技術則同時采用CMOS和雙極型工藝，而後者是BiCMOS工藝的基本組成部分和高質量模擬芯片的工藝選擇。涵蓋分立和集成電路設計。當前模擬繫統的終極形式依然是集成電路化，而測試和應用常需要諸如ad—hoc分立設計的輔助功能來實現調節和接口功能。在眾多的應用選擇中。雙極型晶體管（BJT）仍是使用廣泛且可滿足各種需求的分立器件。涵蓋深度半導體理論知識。模擬功能總等

●Preface
Chapter 1
Diodes and the pn Junction 1
1.1 The Ideal Diode 3
1.2 Basic Diode Applications 10
1.3 Operational Amplifiers and Diode Applications 21
1.4 Semiconductors 25
1.5 Thepn Junction in Equilibrium 34
1.6 Effect of External Bias on the SCL Parameters 39
1.7 Thepn Diode Equation 43
1.9 Forward-Biased Diode Characteristics 53
1.10 Dc Analysis ofpn Diode Circuits 58
1.11 Ac Analysis ofpn Diode Circuits 67
1.12 Breakdown-Region Operation 76
1.13 Dc Power Supplies 84
Appendix 1A： SPICE Models for Diodes 90
References 93
Problems 93
Chapter 2
Bipolar Junction Transistors 109
2.1 Physical Structure of the BJT 112
2.2 Basic BJT Operation 117
2.3 The i-v Characteristics of BJTs 130
2.4 Operating Regions and BJT Models 137
2.5 The BJT as an AmpfifierPdwitch 150
2.6 Small-Signal Operation of the BJT 157
2.7 BJT Biasing for Amplifier Design 169
2.8 Basic Bipolar Voltage Amplifiers 177
2.9 Bipolar Voltage and Current Buffers 189
Appendix 2A： SPICE Models for BJTs 201
References 203
Problems 203
Chapter 3
……
Chapter 4
Chapter 5
Chapter 6
Chapter 7
Index

本書以半導體物理理論為基礎，注重闡述模擬電路技術和BiCMOS技術，注重物理概念的詮釋，強調模擬電路的分離和和集成設計。全書主要內容有：PN結二極管、雙極結型晶體管、MOS場效應晶體管、模擬集成電路構建、模擬集成電路、頻率和時間響應、反饋、穩定性和噪聲。

(美)弗蘭克(Sergio Franco) 著;雷鑑銘 注釋 著