●nbsp;緒論brnbsp;功能陶瓷概論br2nbsp;功能陶瓷顯微結構圖像的制備方法br3nbsp;功能陶瓷內功能過程的觀測br4nbsp;功能陶瓷顯微結構的觀察與分析br4nbsp;關於壓電瓷的圖像分析br42nbsp;關於PIC熱敏電阻瓷的討論br43nbsp;關於晶粒異常生長現像br44nbsp;制造工藝對PTC陶瓷電阻溫度繫數α的影響br45nbsp;影響鐵電耦合的因素及壓電瓷近期新進展br2nbsp;功能陶瓷顯微結構圖像br2nbsp;晶粒結構及電場條件下電疇的生成與排列br22nbsp;鐵電陶瓷的電疇形態br23nbsp;晶界勢壘的顯微圖像br24nbsp;晶界性質br25nbsp;熱腐蝕過程中的晶界遷移br26nbsp;晶粒異常生長和晶界遠心遷移br27nbsp;其他陶瓷典型的顯微結構形貌br28nbsp;陶瓷制備工藝與材料顯微結構及性能影響br3nbsp;PTC陶瓷的生產工藝與應用br3nbsp;PTC陶件技術的發展過程br32nbsp;PTC陶件生產工藝發展過程br32nbsp;粉體制備工藝改進br322nbsp;PTC陶件脫水工藝創新br323nbsp;PTC陶件成型工藝設備更新br33nbsp;PTC陶件在加熱器中的應用br33nbsp;PTC熱敏電阻的電阻溫度特性br332nbsp;件的電流時間特性br333nbsp;件的電壓一電流特性伏安特性br34nbsp;PTC陶件在加熱器件與設備中的應用br4nbsp;功能陶瓷的重要應用及進展br4nbsp;壓電陶瓷br4nbsp;壓電陶瓷在國防方面應用及進展br42nbsp;壓電陶瓷在其他方面的應用進展br42nbsp;PTC陶瓷的應用進展br43nbsp;其他功能陶瓷應用br44nbsp;新材料推動技術創新br參考文獻

本圖冊收錄了中科院上海硅酸鹽研究所在功能陶瓷研究中所獲得的部分顯微結構圖像，包括：陶瓷內部呈現的功能過程細節，電疇在晶界處的萌發、生長及取向排列，空間電荷在晶界區的阻留，不同應力狀態的晶界，高應變能的晶界區，晶粒在燒結過程中的異常生長，晶粒的殼芯結構，以及陶瓷產品生產中出現的缺陷等，約一百幅。另外，還介紹及討論了功能陶瓷的生產技術發展和主要應用。

祝炳和,王依琳,邱傳貢 著

本圖冊中收集了上海硅酸鹽研究所原四室在功能陶瓷研究中所獲得的顯微結構圖像。如：在外電場作用下，陶瓷內部呈現的功能過程細節；電疇在晶界處的萌發、生長及取向排列；空間電荷在晶界區的阻留；不同應力狀態的晶界；高應變能的晶界區，常常是材料性能老化的根源；晶粒在燒結過程中的異常生長，常是引發陶瓷產品廢品的根源；PTC半導瓷顯微結構的發展和形成，主要是由晶粒異常生長所決定；晶粒的殼芯結構；通過熱腐蝕及化學腐蝕，可以了解晶界遷移和電疇排列的細節；以及陶瓷產品生產中出現缺陷的分析。圖像共約一百幅。