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  • 光通信用半導體激光器
    該商品所屬分類:圖書 -> 工業
    【市場價】
    552-800
    【優惠價】
    345-500
    【作者】 大衛·J克洛斯金DavidJKlotzk 
    【出版社】化學工業出版社 
    【ISBN】9787122326478
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
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    內容介紹



    出版社:化學工業出版社
    ISBN:9787122326478
    商品編碼:47477055974

    品牌:文軒
    出版時間:2019-04-01
    代碼:99

    作者:大衛·J.克洛斯金DavidJ.Klotzk

        
        
    "
    作  者:(美)大衛·J.克洛斯金David J.Klotzkin 著 著 賈曉霞//段瑞飛 譯
    /
    定  價:99
    /
    出 版 社:化學工業出版社
    /
    出版日期:2019年04月01日
    /
    頁  數:247
    /
    裝  幀:平裝
    /
    ISBN:9787122326478
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    主編推薦
    當前光網絡和光纖到戶的極速發展,一本針對此領域的工具書非常有必要。本譯著包括光通信基礎、激光器基礎、半導體激光器的基礎、材料、設計、工作、特性以及調制等方面的簡介,甚至還有工藝實現等知識,同時還有很多實例,能使初學者或欲了解光通信激光器的相關領域科研人員,作為全局了解半導體激光器光通信再合適不過了。
    目錄
    ●1緒論:光通信基礎知識11.1概述11.2光通信簡介11.2.1光通信基礎11.2.2重要的巧合31.2.3光放大器41.2.4完整的技術51.3半導體激光器圖片51.4本書結構71.5問題82激光器的基礎知識92.1概述92.2激光器簡介92.2.1黑體輻射92.2.2黑體輻射的統計熱力學觀點112.2.3幾種概率分布函數112.2.4態密度122.2.5黑體光譜152.3黑體輻射:愛因斯坦的觀點162.4激射的含義182.5自發輻射、受激輻射和激射之間的差異202.6一些激射繫統例子212.6.1摻鉺光纖激光器212.6.2氦-氖氣體激光器212.7小結232.8問題242.9習題253半導體激光材料1:基礎263.1概述263.2能帶和輻射復合263.3半導體激光器材料體繫283.4確定帶隙303.4.1Vegard定化合物313.4.2Vegard定化合物323.5晶格常數、應變和臨界厚度333.5.1薄膜外延生長343.5.2應變和臨界厚度343.6直接和間接帶隙373.6.1色散圖373.6.2色散圖的特點403.6.3直接和間接帶隙403.6.4聲子413.7小結433.8問題433.9習題444半導體激光材料2:態密度、量子阱和增益464.1概述464.2半導體中電子和空穴的密度464.2.1方程式(4.9)的變換:有效質量484.2.2方程式(4.9)的變換:包含帶隙504.3量子阱激光材料514.3.1理想量子阱中的能級524.3.2實際量子阱中的能級544.4量子阱中的態密度554.5載流子數574.5.1準費米能級574.5.2空穴數與電子數584.6激射條件594.7光增益604.8半導體光增益614.8.1聯合態密度624.8.2占據因子634.8.3比例常數644.8.4線寬展寬644.9小結654.10學習要點664.11問題664.12習題675半導體激光器的運行705.1概述705.2簡單的半導體激光器715.3激光器的定性模型715.4吸收損失745.4.1帶間和自由載流子吸收755.4.2能帶-雜質吸收765.5速率方程模型775.5.1載流子壽命795.5.2穩態的重要性805.5.3增益和光子壽命的單位815.5.4斜率效率835.6腔面鍍膜器件845.7完整DC分析875.8小結895.9問題905.10習題916半導體激光器電學性質946.1概述946.2p-n結基礎946.2.1載流子密度作為費米能級位置的函數956.2.2p-n結中的能帶結構和電荷986.2.3非偏p-n結中的電流1006.2.3.1擴散電流1006.2.3.2漂移電流1006.2.4內置電壓1016.2.5空間電荷區寬度1026.3外加偏置的半導體p-n結1046.3.1外加偏置和準費米能級1046.3.2復合和邊界條件1056.3.3少子準中性區擴散電流1086.4半導體激光器p-n結1106.4.1二極管理想因子1106.4.2閾值處的固定準費米能級1106.5二極管特性總結1116.6激光器的金屬接觸1126.6.1能級定義1126.6.2能帶結構1146.7激光器歐姆接觸的實現1176.7.1金屬-半導體結中的電流傳導:熱離子發射1186.7.2金屬-半導體結中的電流傳導:隧穿電流1196.7.3二極管電阻和接觸電阻的測量1206.8小結1216.9問題1226.10習題1237光學腔1257.1概述1257.2本章概述1267.3法布裡-珀羅光腔概述1277.4激光腔支持的光學縱模1287.4.1標準具支持的光學模式:一維激光腔1287.4.2長標準具的自由光譜範圍1297.4.3法布裡-珀羅激光器腔體中的自由光譜範圍1317.4.4法布裡-珀羅激光器的光學輸出1337.4.5縱模1347.5基於光譜的增益計算1357.6光腔中的橫向模式1377.6.1真實激光器中橫向模式的重要性1387.6.2全反射1407.6.3橫向電場和橫向磁場模式1417.6.4波導模式的定量分析1427.7二維波導設計1467.7.1二維1467.7.2有效折射率方法1467.7.3針對激光器的波導設計1487.8小結1497.9問題1507.10習題1508激光器調制1538.1概述:數字和模擬光傳輸1538.2數字傳輸規格1548.3激光器小信號調制1558.3.1小信號調制的測量1568.3.2LED的小信號調制1578.3.3回顧激光器速率方程1598.3.4小信號均勻激光器響應的推導1618.3.5小信號激光器均勻響應1638.4激光器AC電流調制1648.4.1推導大綱1648.4.2激光器調制的測量和方程1658.4.3激光器調制響應分析1678.4.4時間常數效應示範1698.5激光器帶寬的極限1708.6相對強度噪聲測量1728.7大信號調制1738.7.1眼圖建模1748.7.2激光器繫統注意事項1758.8小結1768.9學習要點1768.10問題1778.11習題1789分布反饋激光器1809.1單波長激光器1809.2單波長激光器的必要性1819.2.1單波長器件的實現1839.2.2窄增益介質1839.2.3高自由光譜範圍和中等增益帶寬1839.2.4外部布拉格反射器1859.3分布反饋激光器:概述1869.3.1分布反饋激光器:物理結構1869.3.2布拉格波長和耦合1889.3.3單位往返增益1889.3.4增益包封1899.3.5分布反饋激光器:設計與制作1909.3.6分布反饋激光器:零淨相位1919.4分布反饋激光器的實驗數據1949.4.1相位對閾值電流的影響1949.4.2相位對腔體功率分布及斜率的影響1949.4.3相位對單模良率的影響1969.5建模分布反饋激光器1989.6耦合模式理論2019.6.1衍射的直觀圖像2019.6.2分布反饋激光器的耦合模式理論2029.6.3測量κ2069.7固有單模激光器2079.8其他類型的光柵2089.9學習要點2099.10問題2109.11習題21010其他:色散,制造及可靠性21210.1概述21210.2色散和單模器件21310.3激光器的溫度效應21510.3.1波長的溫度效應21510.3.2直流特性的溫度效應21610.4激光器制造:晶圓生長,晶圓制造,芯片制造與測試21910.4.1襯底晶圓制造21910.4.2激光器設計22010.4.3異質結構生長22110.4.3.1異質結構生長:分子束外延22110.4.3.2異質結構生長:金屬有機物化學氣相沉積22110.5光柵制作22310.5.1光柵制作22310.5.2光柵二次生長22410.6晶圓制造22510.6.1晶圓制造:脊形波導22510.6.2晶圓制造:掩埋異質結構與脊形波導22610.6.3晶圓制造:垂直腔面發射激光器22810.7芯片制造23010.8晶圓測試和良率23110.9可靠性23210.9.1單個器件測試和失效模式23310.9.2失效的定義23410.9.3老化速率的阿倫尼烏斯關繫23410.9.4老化速率,FIT和MTBF分析23510.10結束語23710.11小結23810.12問題23910.13習題239附錄241附錄1國際單位制詞頭(SI詞頭)241附錄2單位換算表242附錄3常用物理量242附錄4中英文詞彙對照表243參考文獻247
    內容簡介
    本書以通用光通信以及對半導體激光器的需求開始,通過討論激光器的基礎理論,轉入半導體的有關詳細內容。書中包含光學腔、調制、分布反饋以及半導體激光器電學性能的章節,此外還涵蓋激光器制造和可靠性的主題。本書可供半導體激光器、通信類研發人員、工程師參考使用,也適用於高年級本科生或研究生,作為主修的半導體激光器的課程,亦可作為光子學、光電子學或光通信課程的教材。
    作者簡介
    (美)大衛·J.克洛斯金David J.Klotzkin 著 著 賈曉霞//段瑞飛 譯
    賈曉霞,江蘇華芯半導體科技有限公司,經理、工程師,2005/07–2013/5:海特光電有限責任公司 | 研發部經理從GaAs基半導體激光器和InP基光電探測器的解理工藝工程師開始,逐步學習半導體激光器的各種工藝技術,工藝改進,提升了耦合工藝線和列陣工藝線的產品成品率,生產效率和產品的一致性,在2008年底,被評為海特公司優選工作者。此後作為技術主管,主要負責半導體激光器芯片和光電探測器芯片的所有工藝,並承擔研發部的芯片項目開發。後期擔任研發部經理,主要負責公司半導體激光器芯片和光電探測器芯片的研發以及生產管理。完成多項國家項目,780nm半導體激光器列陣20w,100w項目,635nm紅等
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