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    【作者】 方海生,劉勝 
    【所屬類別】 圖書  工業技術  化學工業  一般問題 
    【出版社】科學出版社 
    【ISBN】9787030611628
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    內容介紹


    開本:16開
    紙張:膠版紙
    包裝:平脊精裝

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787030611628
    作者:方海生,劉勝

    出版社:科學出版社
    出版時間:2023年02月 

        
        
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    內容簡介

    本書主要介紹了晶體生長技術及相關晶體缺陷,結合計算流體力學數值模擬和實驗研究,繫統的從熱流體輸運、化學反應等方面闡明了晶體生長技術的要點和優化方法。為了讀者更繫統的了解晶體缺陷的理論和研究方法,本書也詳細介紹了分子動力學和*性原理的研究策略,並應用於晶體缺陷的研究。本書的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論,把傳統的工程熱物理理論知識應用到國際前沿領域的研究中,促進了傳統學科的發展。

    目錄
    目錄
    序一
    序二
    序三
    前言
    第1章 引論 1
    1.1 背景介紹 1
    1.1.1 晶體的用途 1
    1.1.2 研究的意義 4
    1.2 典型的晶體生長技術 6
    1.2.1 塊狀晶體生長技術 6
    1.2.2 薄膜晶體生長技術 12
    1.3 晶體生長數值研究的狀況 13
    1.4 本書的內容安排 14目錄
    序一
    序二
    序三
    前言
    第1章 引論 1
    1.1 背景介紹 1
    1.1.1 晶體的用途 1
    1.1.2 研究的意義 4
    1.2 典型的晶體生長技術 6
    1.2.1 塊狀晶體生長技術 6
    1.2.2 薄膜晶體生長技術 12
    1.3 晶體生長數值研究的狀況 13
    1.4 本書的內容安排 14
    參考文獻 15
    第2章 晶體生長原理 19
    2.1 相變熱力學原理 19
    2.1.1 固/液相平衡及相圖 19
    2.1.2 相圖與晶體生長 22
    2.2 生長界面與晶體缺陷 23
    2.2.1 生長界面的演化 23
    2.2.2 生長界面與晶體缺陷 24
    2.2.3 生長界面臨界速度 27
    2.3 晶體成品檢測 29
    2.4 晶體制備繫統優化的任務 37
    參考文獻 38
    第3章 晶體生長中的流動與傳熱 40
    3.1 流動類型 40
    3.2 傳熱模式 42
    3.2.1 傳熱基本模式 42
    3.2.2 熱輻射理論 44
    3.2.3 輻射模型的適用性 47
    3.2.4 輻射與生長界面.50
    3.3 常用熱物性參數 51
    3.4 湍流流動與傳熱 59
    參考文獻 60
    第4章 計算流體力學基礎 62
    4.1 計算流體力學的發展 62
    4.2 控制方程與邊界條件 63
    4.2.1 流動與傳熱方程組 63
    4.2.2 組分輸運方程 64
    4.2.3 邊界條件 66
    4.3 控制方程的離散與求解 68
    4.4 傳統SIMPLE方法 71
    4.5 網格劃分和處理方法 73
    4.5.1 正交網格 73
    4.5.2 廣義曲線坐標繫中的控制方程 78
    4.5.3 曲線有限體積SIMPLER算法 82
    4.6 其他網格技術 84
    4.6.1 結構網格 84
    4.6.2分析 86
    4.6.3 無網格技術 87
    參考文獻 88
    第5章 晶體生長中的傳質與化學反應 90
    5.1 溶質輸運與分凝 90
    5.2 化學反應 97
    5.2.1 化學反應動力學基礎 98
    5.2.2 體積氣相反應 100
    5.2.3 表面固相反應 101
    5.3 與組分相關的晶體缺陷 102
    參考文獻 103
    第6章 熱應力及相關缺陷 105
    6.1 熱應力產生機制 105
    6.2 熱應力的物理模型 105
    6.2.1 彈性常數矩陣轉換 106
    6.2.2 熱應變矢量轉換 109
    6.2.3 熱場與應力場耦合問題 110
    6.3 熱應力計算模型及應用 111
    6.4 與應力相關的晶體缺陷 113
    6.4.1 位錯 113
    6.4.2 開裂 115
    參考文獻 118
    第7章 塊狀晶體生長研究 119
    7.1 多晶硅鑄錠繫統的研究和優化 119
    7.1.1 多晶硅研究現狀 119
    7.1.2 多晶硅定向凝固繫統 122
    7.1.3 數學物理模型 124
    7.1.4 多晶硅制備過程優化 127
    7.2 泡生法制備繫統的研究和優化 141
    7.2.1 藍寶石研究現狀 141
    7.2.2 泡生法單晶生長繫統 144
    7.2.3 數學物理模型 145
    7.2.4 計算結果分析 149
    7.3 提拉法制備繫統的研究和優化 163
    7.3.1 工藝參數的影響 164
    7.3.2 工藝參數綜合評估 167
    7.3.3 包裹體雜質研究 169
    7.4 內部熱輻射的影響 173
    7.4.1 內部熱輻射與凝固界面 173
    7.4.2 內部熱輻射與雜質缺陷 175
    7.5 塊狀晶體研結 179
    參考文獻 180
    第8章 薄膜晶體生長研究 184
    8.1 氮化鎵薄膜晶體介紹 184
    8.2 氮化鎵薄膜制備實驗 186
    8.2.1 MOCVD的基本原理和繫統組成 186
    8.2.2 MOCVD反應器的分類 188
    8.2.3 薄膜缺陷的實驗研究 189
    8.2.4 外延片的生長均勻性 197
    8.3 薄膜制備過程數學模型 204
    8.3.1 模型假設與簡化 204
    8.3.2 控制方程與邊界條件 204
    8.3.3 簡化化學反應模型 207
    8.4 薄膜制備過程的研究 208
    8.4.1 國內外研究現狀 208
    8.4.2 反應器幾何模型與基準條件 211
    8.4.3 幾何結構的影響 215
    8.4.4 工藝參數的影響 226
    8.5 薄膜應力分析 234
    8.5.1 國內外研究現狀 234
    8.5.2 與應力相關的溫度場 234
    8.


     
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