內容簡介
隨著信息技術的飛速發展,半導體材料的應用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應用領域素半導體硅材料不再能滿足化需求,化合物半導體應運而生並快速發展。本書以浙江大學材料科學工程學繫“寬禁帶化合物半導體材料與器件”課程講義為基礎,參照全國各高等院校半導體材料與器件相關教材,結合課題組多年的研究成果編寫而成。此書的編寫目的是為高等院校學生提供一本學習和掌握化合物半導體材料與器件的參考書。
全書共10章,主要內容為:緒論;化合物半導體材料基礎;化合物半導體中的缺陷;寬帶隙半導體發光;化合物半導體器件基本原理,包括pn結、超晶格與量子阱;寬帶隙化合物半導體材料及其器件的應用,主要介紹 SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究現狀。
全書共10章,主要內容為:緒論;化合物半導體材料基礎;化合物半導體中的缺陷;寬帶隙半導體發光;化合物半導體器件基本原理,包括pn結、超晶格與量子阱;寬帶隙化合物半導體材料及其器件的應用,主要介紹 SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究現狀。