本書主要討論功率半導體器件集成結構胞、基本原理和基礎工藝等。全書共6章，第1章為材料參數物理。討論半導體材料的晶體結構、能帶理論和材料參數。第2章討論PN結的擊穿和終端造型技術，第3章至第6章分別討論功率肖特基整流二極管、PIN二極管、功率晶體管、功率MOSFET和IGBT的結構、工作原理和器件參數，及其制造工藝。這5類器件是功率器件中*典型的結構。它們的基本工作原理也是闡述其他功率器件工作原理的基礎。另外還編入了SiC材料特性、SiC器件制造工藝的特點以及研制的進展。除了不斷地改進器件的結構和加工技術之外，尋找制造功率器件的新材料是很重要的。SiC材料比Si具有禁帶寬度大、擊穿強度高、熱導率高和飽和漂移速度快等優良特性，因此SiC是制造高頻、大功率、耐高溫和抗輻射功率器件的理想材料。
本書內容與《晶體管原理》連接，具有從材料參數物理到器件結構、原理和工藝的較完整的體繫。它可作為微電子技術與微電子學、電子科學與電子技術專業的教材，也可供電力電子技術相關專業的本科生和研究生參考。

本書首先介紹Si和SiC材料的基本物理特性、PN結的終端造型技術，並討論肖特基二極管、PIN整流二極管、功率晶體管的基本結構與特征參數；然後深入討論功率MOSFET和IG胞結構、阻斷特性、正向導通特性、開關特性及其基礎工藝。
本書可以作微電子技術與微電子學、電子科學與電子技術、電力電子技術專業本科生教材或教學參考書。

第1章 材料參數物理
近年來，采用微電子精細結構加工技術開發功率半導體器件已經取得成功，且生產出一繫列性能優良的功率微電子器件。這種器件在家用電器、通信、電力繫統以及交通運輸中得到廣泛應用。同時研究發現，其大電流控制能力、高電壓阻斷能力、高頻響應、開關速度和開關功耗還沒有達到對理想功率器件的要求。究其原因，主要是受到硅材料特性的限制，因此，要開發出理想的功率器件，除了改進器件結構和加工技術之外，尋找新的制作器件的材料是很重要的。
半導體材料所表現出的特性來源於其內部電子可以做多種多樣的運動，因此，要了解材料特性、開發出優良的功率器件，就必須了解半導體中的電子運動規律。為此，本章介紹半導體晶體結構、電子的量子態、能帶理論，重點討論載流子的統計分布、載流子的遷移率、電阻率及其壽命，以期為討論功率器件的特性、優化功率器件參數提供有用的公式和數據。
支配器件工作特性的是材料基本特性，但用來控制材料特性的加工技術和加工功率器件的工藝技術，對於功率器件理想特性的獲得也是十分重要的，因此，本章另一個重點是討論制造功率器件的特殊加工技術，如中子嬗變摻雜控制材料的電阻率以及電子輻射控制少數載流子壽命等。
後一節介紹碳化硅材料。碳化硅材料具有許多優良特性，它是制作高溫、高頻和大功率器件的理想材料。
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