內容簡介
《半導體物理導論》的主要內容包括：章半導體的晶體結構與價鍵模型。第二章半導體的電子結構。第三章半導體中的載流子定性描述。第四章半導體中的載流子定量描述。第五章半導體中載流子的電輸運。第六章低維半導體中的量子輸運和石墨烯電輸運。第七章金屬—半導體的接觸。第八章半導體表面效應和MIS結構。第九章半導體的內光電效應和發光現像。
目錄
篇 半導體基礎概要 章 半導體的晶體結構與價鍵模型 1.1 材料和晶體的分類 1.2 晶面、晶向和密勒指數 1.3 原子價鍵 1.4 三維晶體結構的定性描述 1.5 π電子晶體結構簡介 1.6 本章小結 第2章 半導體的電子結構 2.1 量子力學初步概要 2.2 晶體能帶模型 2.3 金屬、半導體和絕緣體 2.4 半導體的帶隙結構 2.5 部分半導體的能帶結構 2.6 有效質量 2.7 能帶工程簡介 2.8 本章小結n第二篇 半導體中的載流子 第3章 半導體中載流子的定性描述 3.1 熱平衡態與非平衡態 3.2 雜質與雜質能級 3.3 載流子的產生 3.4 載流子的復合與俘獲 3.5 本章小結 第4章 半導體中載流子的定量統計描述 4.1 載流子濃度 4.2 本征半導體 4.3 非本征半導體的載流子 4.4 非平衡載流子 4.5 陷阱 4.6 準費米能級 4.7 本章小結 第5章 三維半導體中載流子的電輸運 5.1 漂移運動與漂移電流 5.2 擴散運動與擴散電流 5.3 電流密度方程與愛因斯坦關繫 5.4 連續性方程 5.5 本章小結 第6章 低維半導體中載流子的量子輸運 6.1 量子輸運的基本概念和流守恆 6.2 電子緊束縛近似模型和周期結構中電子波函數 6.3 無序和安德森局域化 6.4 量子輸運的常用計算方法 6.5 石墨烯和石墨烯納米帶的電學性質 6.6 本章小結n第三篇 半導體的結與光電效應 第7章 金屬—半導體的接觸 7.1 金屬—半導體接觸的能帶圖 7.2 肖特基勢壘的整流特性 7.3 肖特基勢壘的電流輸運 7.4 勢壘電容 7.5 肖特基二極管的應用 7.6 金屬—半導體歐姆接觸 7.7 本章小結 第8章 半導體表面效應和MIS結構 8.1 理想MIS結構的能帶圖以及電荷分布 8.2 空間電荷區 8.3 理想MIS結構的C—V特性 8.4 非理想MIS結構的GV特性 8.5 場效應和表面電導 8.6 MOS電容器的發展狀況 8.7 本章小結 第9章 半導體的光吸收、光發射及光電效應 9.1 半導體與光的相互作用 9.2 直接帶隙與間接帶隙躍遷 9.3 半導體的光吸收 9.4 半導體的光發射 9.5 半導體的光電效應 9.6 本章小結 部分習題參考答案n附錄
