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  • 摻雜GaN納米線制備技術
    該商品所屬分類:工業技術 -> 一般工業技術
    【市場價】
    795-1152
    【優惠價】
    497-720
    【作者】 崔真 
    【所屬類別】 圖書  工業技術  一般工業技術 
    【出版社】冶金工業出版社 
    【ISBN】9787502496401
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
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    內容介紹



    開本:16開
    紙張:膠版紙
    包裝:平裝-膠訂

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787502496401
    作者:崔真

    出版社:冶金工業出版社
    出版時間:2023年10月 

        
        
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    內容簡介
    本書共分9章,主要內素摻雜GaN納米線的制備工藝與性能測試。對摻雜可以改善GaN納米線電學特性的原行了討論。另外,還介紹了Al覆GaN納米線的制備及表征,分析了Al覆GaN納米線的形成機理。本書內容涉及物理、化學、材料和電子信息等多個領域的相關知識,書中詳細地給出了各種摻雜GaN納米線制備的很好工藝,以便讀者更好地了解本書的內容。本書可供電子科學與技術、微電子學與固體電子學、光電信息工程、物理學類本科生、研究生及相關領域工程技術人員閱讀。也可作為高等院校相關專業師生的教學參考書。
    目錄
    目錄1緒論11.1納米材料概述11.2GaN材料概述11.2.1物理性質21.2.2化學性質21.2.3電學性質21.2.4光學特性21.3GaN納米線的合成方法31.3.1分子束外延法31.3.2金屬有機化學氣相沉積法31.3.3氫化物輸運氣相外延生長法41.3.4模板生長法41.3.5激光燒蝕法41.3.6氧化物輔助生長法41.3.7化學氣相沉積法51.3.8溶膠凝膠法51.4納米線的生長機制51.4.1氣液固機制51.4.2氣固機制.3GaN納米線表征與性能測試方法61.5場71.5.1典FN理論71.5.2半導體場致電子發射91.5.3相關概念10參考文獻112P摻雜GaN納米線的制備及性能142.1實驗原料142.2襯底的處理152.3實驗步驟及形貌分析162.3.1基本實驗步驟162.3.2不同氨化溫度對P摻雜GaN納米線形貌的影響162.3.3不同氨化時間對P摻雜GaN納米線形貌的影響172.3.4不同氨氣流量對P摻雜GaN納米線形貌的影響182.3.5不同濃度P摻雜對GaN納米線形貌的影響192.4P摻雜GaN納米線的物相分析212.4.1純淨GaN納米線的物相分析212.4.2摻雜源比例為1∶30的P摻雜GaN納米線的物相分析222.4.3摻雜質量比為1∶的P摻雜GaN納米線的物相分析232.4.4摻雜質量比為1∶10的P摻雜GaN納米線的物相分析242.5P摻雜GaN納米線的性能252.6P摻雜GaN納米的生長機制分析26參考文獻273Te摻雜GaN納米線的制備及性能283.1實驗方法及設備283.2實驗過程293.3樣品的表征與分析303.3.1樣品的表征方法303.3.2Ga2O3和Te質量比對納米線的影響303.3.3反應溫度對納米線的影響343.3.4Te摻雜GaN納米線的Raman分析3Te摻雜GaN納米線的性能38參考文獻414Sn摻雜GaN納米線的制備及性能424.1實驗方案424.1.1制備方法424.1.2實驗品的選擇434.2實驗設備434.3實驗過程444.4結果與討論454.4.1氨化溫度對Sn摻雜GaN納米線的影響454.4.2氨氣流量對Sn摻雜GaN納米線的影響4.3氨化時間對Sn摻雜GaN納米線的影響4.4Sn摻雜濃度對GaN納米線材料的影響484.4.5Sn摻雜GaN納米線的XRD表征494.4.6Sn摻雜GaN納米線的EDX表征504.5Sn摻雜GaN納米線生長機制分析524.5.1氣液固生長機制524.5.2Sn摻雜GaN納米線的生長機制分析524.6Sn摻雜GaN納米線的性能53參考文獻545Ge摻雜GaN納米線的制備及性能565.1制備方法565.2表征方法575.3實驗過程575.3.1實驗原料與主要設備575.3.2Ge摻雜GaN納米線的制備575.4不同濃度Ge摻雜GaN納米線的制備及性能5.4.1樣品制備5.4.2SEM表征655.4.3EDS表征XRD表征6.5TEM表征685.5六稜錐狀Ge摻雜GaN納米線的制備及性能695.5.1樣品制備695.5.2SEM表征705.5.3EDS表征705.5.4XRD表征715.5.5生長機理分析72參考文獻736Sb摻雜GaN納米線的制備及性能746.1實驗儀器746.2實驗方法和品試劑756.2.1實驗方法756.2.2品試劑756.3樣品表征方法75樣品制備及形貌分析75.1氨化溫度對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響7.2氨化時間對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響77.3氨氣流量對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響78.4摻雜質量比對Sb摻雜GaN納米線形貌的影響816.5不同摻雜質量比的Sb摻雜GaN納米線物相分析836.5.1不同摻雜質量比的Sb摻雜GaN納米線XRD分析836.5.2不同摻雜質量比的Sb摻雜GaN納米線EDS分析856.6Sb摻雜GaN納米線的生長機制分析86參考文獻877CSn共摻GaN納米線的制備及性能887.1實驗方法及設備試劑887.1.1實驗方法887.1.2實驗設備及實驗品試劑897.2襯底的選擇897.3實驗步驟及形貌分析907.3.1實驗步驟907.3.2氨化溫度對CSn共摻GaN納米線形貌的影響917.3.3不同濃度CSn共摻對GaN納米線形貌的影響937.3.4摻雜比為1∶1∶15時氨化時間和氣流量對納米線形貌的影響957.3.5摻雜比為1∶1∶時氨化時間和氣流量對納米線形貌的影響9CSn共摻GaN納米線的EDS表征987.5CSn共摻GaN納米線的XRD表征100參考文獻1018SeTe共摻GaN納米線的制備及性能1038.1SeTe共摻GaN納米線的制備1038.2實驗結果與分析1048.2.1不同氨化溫度對SeTe共摻GaN納米線形貌的影響1048.2.2不同氨氣流量對SeTe共摻GaN納米線形貌的影響1048.2.3不同氨化時間對SeTe共摻GaN納米線形貌的影響1068.2.4摻雜濃度對SeTe共摻GaN納米線形貌的影響1088.3SeTe共摻GaN納米線的物相分析1088.3.1純淨GaN納米線的物相分析1088.3.2摻雜比例為∶1∶1的GaN納米線的物相分析1098.3.3摻雜比例為10∶1∶1 GaN納米線的物相分析1108.4SeTe共摻GaN納米線生長機制的分析1118.5SeTe共摻GaN納米線的性能112參考文獻1159GaN/AlN核殼結構納米線的制備及理論研究1169.1理論計算概念簡介1169.1.1性原理1169.1.2波恩奧本海默近似1179.1.3單電子近似1189.1.4密度泛函理論1199.1.5KS方程與交換關聯能1199.2計算軟件簡介1219.2.1MS軟件1219.2.2VASP軟件1229.3參數設定與模型構建1229.4計算結果與分析1239.4.1吸附能計算1239.4.2晶格參數優化1249.4.3能帶結構與電子態密度分析1259.4.4不同核直徑對GaN/AlN核殼納米線電子結構的調控1259.4.5對GaN/AlN核殼納米線電子結構的調控1279.4.6差分電荷密度分析1289.4函數計算1289.4.8光學特性分析1299.5實驗方案設計1389.5.1襯底預處理1389.5.2生長核材料1399.5.覆殼層材料1409.6實驗品1409.6.1生長GaN納米線1419.6.覆AlN殼層1419.7結果與分析1429.7.1研究生長溫度對GaN/AlN核殼結構納米線的影響1429.7.2研究NH3流量對GaN/AlN核殼結構納米線的影響1469.7.3研究Al源位置對GaN/AlN核殼結構納米線的影響1489.7.4GaN/AlN核殼結構納米線EDS表征測試1529.7.5GaN/AlN核殼結構納米線XRD表征測試1539.7.6GaN/AlN核殼結構納米線的TEM表征測試1539.7.7GaN/AlN核殼結構納米線PL譜155參考文獻156


     
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