了得網工業技術_硅片加工技術

內容簡介

本書在介紹半導體硅的物理、化學和半導體性質的基礎上，全面。繫統地介紹了滿足集成電路芯片工藝特征尺寸線寬0.13-0.10umIC工藝用優質大直徑硅單晶、拋光片以及用於制備硅太陽能電池的硅晶片的制備技術、工藝、設備和相關國內外標準。
本書可供致力於從事半導體材料硅晶片加工技術工作領域的科技人員、工程技術人員、工人閱讀參考，也可供企業管理人員或在校學生和熱愛半導體材料硅的各界人士參考。

篇基礎知識
第1章概述
第2章硅的物理、化學及其半導體性質
2.1硅的基本物理、化學性質
2.2半導體硅的物理、化學性質
2.2.1半導體硅的晶體結構
2.2.2半導體硅的電學性質
2.2.3半導體硅的光學性質
2.2.4半導體硅的熱學性質
2.2.5半導體硅的力學性能
2.2.6半導體硅的化學性質
2.2.7半導體材料的p-n結特性
第二篇集成電路用硅晶片的制備
第3章硅晶片的制備篇基礎知識
第1章概述
第2章硅的物理、化學及其半導體性質
2.1硅的基本物理、化學性質
2.2半導體硅的物理、化學性質
2.2.1半導體硅的晶體結構
2.2.2半導體硅的電學性質
2.2.3半導體硅的光學性質
2.2.4半導體硅的熱學性質
2.2.5半導體硅的力學性能
2.2.6半導體硅的化學性質
2.2.7半導體材料的p-n結特性
第二篇集成電路用硅晶片的制備
第3章硅晶片的制備
3.1對集成電路（IC）用硅單晶、拋光片的技術要求
3.2半導體材料的純度
3.3控制硅片質量的主要特征參數及有關專用技術術語解釋
3.3.1表征硅片加工前的內在質量的特性參數
3.3.2表征硅片加工後的幾何尺寸精度的特性參數
3.3.3硅片質量控制中幾個有關專用技術術語
3.4硅晶片加工的工藝流程
3.5硅單晶棒（錠）的制備
3.5.1直拉單晶硅的生長
3.5.2區熔硅單晶的生長
3.6硅晶棒（錠）的截斷
3.7硅單晶棒外圓的滾磨（圓）磨削
3.8硅單晶片定位面加工
3.9硅單晶棒表面的腐蝕
3.10硅切片
3.11硅片倒角
3.12硅片的雙面研磨或硅片的表面磨削
3.13硅片的化學腐蝕
3.14硅片的表面處理
3.14.1硅片表面的熱處理
3.14.2硅片背表面的增強吸除處理
3.15硅片的邊緣拋光
3.16硅片的表面拋光
3.16.1硅片的表面拋光加工工藝
3.16.2硅片的堿性膠體二氧化硅化學機械拋光原理
3.16.3硅片的多段加壓單面拋光工藝
3.16.4拋光液
3.16.5拋光布
3.16.6硅片表面的粗拋光
3.16.7硅片表面的細拋光
3.16.8硅片表面的終拋光
3.17硅片的激光刻碼
3.18硅片的化學清洗
3.18.1硅片的化學清洗工藝原理
3.18.2美國RCA清洗技術
3.18.3新的清洗技術
3.18.4使用不同清洗繫統對拋光片進行清洗
3.18.5拋光片清洗繫統中硅片的脫水、干燥技術
3.19硅拋光片的潔淨包裝
3.20硅片包裝盒及硅片的運、載花籃、容器清洗繫統
3.20.1硅片包裝盒及硅片的運、載花籃、容器清洗繫統
3.20.2硅片運、載繫統其他相關的工裝用具
第4章其他的硅晶片
4.1硅外延片
4.1.1外延的種類
4.1.2外延的制備方法
4.1.3化學汽相外延原理
4.1.4硅外延繫統
4.2硅锗材料
4.3硅退火片
4.4絕緣層上的硅
第5章硅單晶、拋光片的測試
5.1硅片主要機械加工參數的測量
5.2硅單晶棒或晶片的晶向測量
5.3導電類型（導電型號）的測量
5.4電阻率及載流子濃度的測量
5.5少子壽命測量
5.6氧、碳濃度測量
5.7硅的晶體缺陷測量
5.8電子顯微鏡和其他超微量的分析技術
第三篇太陽能電池產業用硅晶片的制備
第6章太陽能電池用硅晶片基礎知識
6.1太陽能光電轉換原理——光生伏特效應
6.2太陽能電池晶片的主要技術參數
6.3太陽能光伏產業用硅繫晶體材料
6.3.1直拉單晶硅棒（錠）
6.3.2鑄造多晶硅（錠）
6.4晶體硅太陽能電池晶片的結構
第7章太陽能電池用硅晶片的制備技術
7.1太陽能電池產業用硅晶片的技術要求
7.2太陽能電池用硅晶片的加工工藝流程
7.3太陽電池用的硅晶片的加工過程
7.4太陽電池用的硅晶片的加工技術
7.5太陽電池組件裝置的生產工藝過程
7.6太陽能電池的應用
第四篇半導體硅晶片加工廠的廠務繫統要求
第8章潔淨室技術
8.1潔淨室空氣潔淨度等級及標準
8.2潔淨室在半導體工業中適用範圍
8.3潔淨室的設計
8.4潔淨室的維護及管理
第9章半導體工廠的動力供給繫統
9.1電力供給繫統
9.2超純水繫統
9.2.1半導體及IC工業對超純水的技術要求
9.2.2超純水的制備
9.3高純化學試劑及高純氣體
9.3.1半導體工業用的高純化學試劑
9.3.2高純氣體
9.4三廢（廢水、廢氣、廢物）處理繫統及相關安全防務繫統
參考文獻

在線試讀

第二篇集成電路用硅晶片的制備
第3章硅晶片的制備
3.3 控制硅片質量的主要特征參數及有關專用技術術語解釋
硅片的各項質量特性參數可以說是互相關聯的，它是一項綜合影響的技術、質量特征指標，它直接反映出硅片的內在和表面加工質量。
通常控制硅片質量的主要特征參數包括表征硅片加工前的內在質量的特性參數和表征硅片加工後的幾何尺寸精度的特性參數：例如硅片的結晶學參數、電學參數、機械幾何尺寸參數和表面潔淨度及表面金屬離子沾污、含量等。
3.3.1 表征硅片加工前的內在質量的特性參數
（1）硅片的結晶學參數氧及碳含量、晶向和各種缺陷（位錯、氧化誘生堆垛層錯、晶體的原生缺陷——COP缺陷等）。雖說各種缺陷主要取決於晶體生長本身的結晶完整性，但有些也是與其加工有關。硅片在不同加工工序過程中，還是可重新引入相關的微缺陷。
（2）硅片的電學參數導電型號、電阻率、電阻率均勻性、壽命等。這些參數在一定條件下，主要取決於晶體生長的質量。硅片加工過程中一般是無法改變它本身的電學參數。
3.3.2 表征硅片加工後的幾何尺寸精度的特性參數
硅片表面的機械幾何加工尺寸參數和表面狀態質量參數等取決於硅片的加工工藝、技術水平。
……

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