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  • 阻變存儲器——器件、材料、機理、可靠性及電路
    該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信
    【市場價】
    662-960
    【優惠價】
    414-600
    【作者】 林殷茵,宋雅麗,薛曉勇 著 
    【所屬類別】 圖書  工業技術  電子通信  電子元件/組件 
    【出版社】科學出版社 
    【ISBN】9787030414991
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
    一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品
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    內容介紹



    開本:16開
    紙張:膠版紙
    包裝:平裝

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787030414991
    作者:林殷茵,宋雅麗,薛曉勇著

    出版社:科學出版社
    出版時間:2014年08月 

        
        
    "

    編輯推薦
    從事微電子行業高校、研究所及企業相關研究人員,包括研究生和大學生 
    內容簡介
    《阻變存儲器——器件、材料、機理、可靠性及電路》繫統總結、歸納和對比了近來國際上以及林教授組在阻變存儲器核心技術上研究的*成果以及發展趨勢,如阻變存儲器材料、機理、器件、電路設計,內容非常深入和繫統完整。《阻變存儲器——器件、材料、機理、可靠性及電路》會對大陸的研究者深入了解阻變存儲器這一國際熱點研究領域的進展、發展軌跡、聚焦問題以及當前的走勢。
    目錄
    前言
    第1章RRAM概述
    參考文獻
    第2章2D RRAM的結構
    2.11T
    2.1.結構
    2.1.2單極和雙極操作
    2.2采用二極管作為選通器
    2.2.1單極操作的1D
    2.2.2采用雙向二極管作為選通器件的RR
    2.3自整流RR
    2.3.1混合型RRAM
    2.3.2互補型RRAM器件
    參考文獻前言

    第1章RRAM概述 

    參考文獻 

    第2章2D RRAM的結構 

    2.11T

    2.1.結構

    2.1.2單極和雙極操作

    2.2采用二極管作為選通器

    2.2.1單極操作的1D

    2.2.2采用雙向二極管作為選通器件的RR

    2.3自整流RR

    2.3.1混合型RRAM

    2.3.2互補型RRAM器件

    參考文獻

    第3章RRAM的阻變機理

    3.1導電細絲的類型及其相應的阻變過程 

    3.1.1金屬導電絲型RRAM 

    3.1.2氧空位導電絲RRAM 

    3.2RRAM的FORMING過程

    3.3導電細絲的微縮化及其對性能的影響

    參考文獻

    第4章影響RRAM讀寫性能的主要因素和優化方法

    4.1降低RESET電流的方法

    4.1.1構建多層結構

    4.1.2通過控制限流降低功耗

    4.2操作算法提高RRAM讀寫特性

    4.2.1自適應寫操作算法提高寫成功率和Roff/Ron窗口

    4.2.2操作算法提高參數一致性

    4.3工藝方法提高讀寫參數一致性 

    4.3.1電極效應

    4.3.2插入緩衝層和構建雙層結構

    4.3.3嵌入金屬來控制導電通路

    參考文獻 

    第5章RRAM的可靠性

    5.1保持特性當前的測試方法

    5.2保持特性的模型和改善方法 

    5.2.1RRAM保持特性失效模型

    5.2.2通過形成高密度的氧空位CF改善保持特性

    5.2.3通過動態自適應寫操作算法改善保持特性

    5.3耐久性模型和改善方法

    5.3.1耐久性失效模型 

    5.3.2高耐久性的器件結構 

    5.3.3通過編程算法提高耐久性 

    參考文獻 

    第6章提高RRAM讀寫速度及帶寬的電路技術

    6.1提高讀速度的電路技術

    6.1.1基於反饋調節的位線偏壓方案 

    6.1.2PTADB方案 

    6.2提高讀帶寬的電路技術

    6.2.1片上所有sA同時工作 

    6.2.2交替頁訪問並結合DDR接口輸出 

    6.3加快寫速度及帶寬的電路技術

    參考文獻 

    第7章提高RRAM讀寫良率和可靠性的電路技術 

    7.1提高讀良率的電路技術

    7.1.1PSRC方案 

    7.1.2SARM方案 

    7.1.3BDD-CSA方案 

    7.1.4TABB方案 

    7.1.5SSC-CSA方案 

    7.2提高寫良率降低寫功耗的電路技術 

    7.2.1自適應寫模式 

    7.2.2帶反饋的自定時寫方案 

    7.3提高耐久性和保持特性的電路技術 

    7.3.1兩步FORMING方案

    7.3.2阻值驗證寫方案 

    7.3.3動態自適應寫方法 

    參考文獻 

    第8章3D RRAM集成及電路技術

    8.1傳統交叉點架構的漏電通路及功耗問題 

    8.2基於lTXR的3D RRAM

    8.2.1lT及陣列架構

    8.2.2克服寫干擾的編程算法

    8.2.3克服讀干擾的措施

    8.3基於1D的3D RRAM 

    8.3.1陣列架構 

    8.3.2可以補償漏電流來精確檢測阻態變化的寫電路技術

    8.3.3采用位線電容隔離來加快sA翻轉的讀電路

    8.4采用雙向二極管作為選通器件的3D RRAM

    8.4.1陣列架構 

    8.4.2lBDlR陣列的編程條件 

    8.4.3采用的多位寫架構 

    8.5具有較低光刻成本的豎直3D堆疊方式 

    8.5.和陣列的截面圖

    8.5.2光刻方面的成本優勢

    參考文獻


     
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