第一部分  單個射頻模塊
  第1章  低噪聲放大器
    1.1  引言
    1.2  單端單管低噪聲放大器
    1.3  單端級聯低噪聲放大器
    1.4  帶自動增益控制(AGC)性能的低噪聲放大器
    參考文獻
  第2章  混頻器
    2.1  引言
    2.2  無源混頻器
    2.3  有源混頻器
    2.4  設計方案
    附錄
    參考文獻
  第3章  差分對
    3.1  為什麼需要差分對
    3.2  可以用一個電容來隔離直流偏置嗎
    3.3  差分對電路的基本原理
    3.4  CMRR(共模抑制比)
    附錄
    參考文獻
  第4章  射頻巴侖
    4.1  引言
    4.2  變壓器巴侖
    4.3  LC巴侖
    4.4  微帶線巴侖
    4.5  混合巴侖
    附錄
    參考文獻
  第5章  調諧濾波器
    5.1  通信繫統中的調諧濾波器
    5.2  兩個諧振回路間的耦合
    5.3  電路描述
    5.4  第二耦合的效果
    5.5  性能
    參考文獻
  第6章  壓控振蕩器
    6.1  “三點”式振蕩器
    6.2  其他單端振蕩器
    6.3  壓控振蕩器與鎖相環
    6.4  單端VCO的設計實例
    6.5  差分VCO與四相制VCO
    參考文獻
  第7章  功率放大器
    7.1  功率放大器的分類
    7.2  單端型功率放大器設計
    7.3  單端型功率放大器集成電路設計
    7.4  推挽式功率放大器設計
    7.5  帶溫度補償的功率放大器
    7.6  帶輸出功率控制的功率放大器
    7.7  線性功率放大器
    參考文獻
第二部分  設計技術和技巧
  第8章  射頻電路設計和數字電路設計的不同方法
    8.1  數模兩類電路的分歧
    8.2  通信繫統中射頻電路模塊和數字電路模塊的差別
    8.3  結論
    8.4  高速數字電路設計的注意點
    參考文獻
  第9章  電壓與功率傳輸
    9.1  電壓從源傳輸到負載
    9.2  功率從源傳輸到負載
    9.3  阻抗共軛匹配
    9.4  阻抗匹配的附加作用
    附錄
    參考文獻
  第10章  窄帶阻抗匹配
    10.1  引言
    10.2  借助於調整回波損耗進行阻抗匹配
    10.3  件構成的阻抗匹配網絡
    10.4 件構成的阻抗匹配網絡
    10.5  件構成的阻抗匹配網絡
    10.6  當Zs或ZL不為50 Ω時的阻抗匹配
    10.7  阻抗匹配網件
    附錄
    參考文獻
  第11章  寬帶阻抗匹配
    11.1  史密斯原圖上的窄帶和寬帶回波損耗
    11.2  插件構成的臂或分支引起的阻抗變化
    11.3  插入件構成的臂或分支引起的阻抗變化
    11.4  UMB繫統IQ調制器設計中的阻抗匹配
    11.5  寬帶阻抗匹配網絡的討論
    參考文獻
  第12章  器件的阻抗和增益
    12.1  引言
    12.2  密勒效應
    12.3  雙極晶體管的小信號模型
    12.4  CE(共射)結構的雙極晶體管
    12.5  CB(共基)結構的雙極晶體管
    12.6  CC(共集)結構的雙極晶體管
    12.7  MOSFET晶體管的小信號模型
    12.8  雙極晶體管和MOSFET晶體管的相似點
    12.9  CS(共源)結構的MOSFET晶體管
    12.10  CG(共柵)結構的MOSFET晶體管
    12.11  CD(共漏)結構的MOSFET晶體管
    12.12  不同結構雙極晶體管和MOSFET晶體管的比較
    參考文獻
  第13章  阻抗測量
    13.1  引言
    13.2  標量電壓測量與矢量電壓測量
    13.3  采用網絡分析儀直接測量阻抗
    13.4  用網絡分析儀進行阻抗測量的另一種方法
    13.5  借助環形器進行阻抗測量
    附錄
    參考文獻
  第14章  接地
    14.1  接地的含義
    14.2  隱藏在原理圖中可能的接地問題
    14.3  不良或不合適的接地舉例
    14.4  “零”電容
    14.5  1/4波長微帶線
    附錄
    參考文獻
  第15章  接地面的等勢性和電流耦合
    15.1  接地面的等勢性
    15.2  前向和反向電流耦合
    15.3  具有多層金屬層的PCB或IC芯片
    附錄
    參考文獻
  第16章  射頻集成電路(RFIC)與片上繫統(SoC)
    16.1  干擾和隔離
    16.2  使用金屬盒屏蔽射頻模塊
    16.3  發展射頻集成電路的強烈需求
    16.4  沿著集成電路襯底傳輸的干擾信號
    16.5  抑制來自外部空間的干擾的方法
    16.6  在射頻模塊和RFIC設計中應遵循的共同接地規則
    16.7  射頻集成電路設計中遇到的瓶頸
    16.8  片上繫統的前景
    16.9  下一個是什麼
    附錄
    參考文獻
  第17章  產品設計的可制造性
    17.1  引言
    17.2  6σ設計的含義
    17.3  逼近6σ設計
    17.4  蒙特卡洛分析
    附錄
    參考文獻
第三部分  射頻繫統分析
  第18章  射頻電路設計中的主要參量與繫統分析
    18.1  引言
    18.2  功率增益
    18.3  噪聲
    18.4  非線性
    18.5  其他參量
    18.6  射頻繫統分析示例
    附錄
    參考文獻

中 文 版 序
回顧人類社會的歷史，人的智慧隨著歲月加速增長，20世紀人類文明的輝煌成就大大超越過以前19個世紀的總和。無線電通信（RadioCommunication）無疑是人類智慧最耀眼的結晶之一。
射頻（Radio Frequency）是指在無線電通信中所使用的電磁波頻率，包括高頻（High Frequency）、甚高頻（VeryHigh Frequency）、超高頻（Ultra HighFrequency）和更高頻率的頻段。隨著無線電通信技術的進步，目前射頻頻段已擴展至幾十甚至幾百吉赫，與微波、毫米波等頻段連接起來了。
在無線電通信繫統中，射頻電路是緊接著天線直至解調器或調制器的部分，而數字和模擬電路是從解調器或調制器算起遠離天線的部分。射頻電路的任務是執行信號功率的傳輸或運作，而數字電路的任務是執行信號狀態（0或1）的傳輸或運作。由於電路執行的任務不同，這兩種電路設計的方法也就有很大的差別，盡管它們的電磁場都服從麥克斯韋方程組，但它們的電路都服從歐姆定律。
在上世紀50年代，電子產品已從真空電路的設計過渡到半導體的設計，到了60年代，數字電路設計率先進入大規模集成電路時代。相對而言，射頻電路設計技術比較緩慢，在上世紀90年代，射頻集成電路（RadioFrequency Integrated Circuit）纔開始出現在實際的產品中。
在我國，數字電路設計技術也比較成熟，在上世紀70年代，我國就已能設計和生產大規模數字集成電路。但是，由於片面強調數字技術，我國的射頻電路設計技術起步較晚，與先進國家相比有較大差距，很多射頻集成電路芯片依賴於進口。在我國不少公司或研究部門，開發電子產品的瓶頸往往是不過關的射頻電路設計技術。