了得網工業技術_嵌入式存儲器架構、電路與應用

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嵌入式存儲器架構、電路與應用
該商品所屬分類：工業技術 -> 電子通信
【市場價】	1092-1584元
【優惠價】	683-990元
【作者】	曾曉洋，薛曉勇，溫亮
【所屬類別】	圖書工業技術電子通信微電子學、集成電路（IC）
【出版社】	龍門書局
【ISBN】	9787508857107
【折扣說明】	一次購物滿999元台幣免運費+贈品一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
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內容介紹

開本：16開

紙張：膠版紙

包裝：精裝

是否套裝：否

國際標準書號ISBN：9787508857107

叢書名：集成電路設計叢書

作者：曾曉洋，薛曉勇，溫亮

出版社：龍門書局

出版時間：2020年03月

內容簡介

隨著集成電路技術的發展，嵌入式存儲器在片上繫統上所占的比重越來越大，嵌入式存儲器對於繫統性能的提升和功耗的優化作用越來越關鍵。《嵌入式存儲器架構、電路與應用》繫統介紹當前主流的嵌入式存儲器和近年興起的新型嵌入式存儲器，前者包括 SRAM、eDRAM和eFlash，後者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。在內容安排上，《嵌入式存儲器架構、電路與應用》側重介紹各類嵌入式存儲結構、陣列、電路技術以及應用。

目錄
序
前言
第1章緒論 1
1.1 什麼是嵌入式存儲器 1
1.2 存儲器的組織架構 3
1.3 本書內容的章節安排 4
1.4 小結 5
參考文獻 5
第2章靜態隨機存儲器 7
2.1 SRAM介紹 7
2.1.1 嵌入式SRAM 7
2.1.2 低電壓SRAM 8
2.2 SRAM組織架構 10
2.3 6T 11
2.3.1 電路結構 11
2.3.2 Thin-cell版圖 12
2.3.3 讀操作 12
2.3.4 寫操作 14
2.4 外圍電路 15
2.4.1 譯碼器 15
2.4.2 靈敏放大器 17
2.5 傳統SRAM遇到的挑戰 21
2.5.1 穩定性挑戰 21
2.5.2 SRAM的*小工作電壓 22
2.5.3 讀破壞 23
2.5.4 半選擇破壞 24
2.5.5 讀電流波動 25
2.5.6 NBTI和PBTI效應 26
2.6 低電壓SRAM遇到的挑戰 26
2.6.1 概述 26
2.6.2 *小功耗和*佳能耗操作 27
2.6.3 讀電流衰減 29
2.6.4 開關電流比 30
2.6.5 位線漏電流 31
2.7 新型低電壓 32
2.7.1 5T 33
2.7.2 單端6T 34
2.7.3 單端7T 34
2.7.4 8T 36
2.7.5 9T 40
2.7.6 10T 41
2.7.7 12T 42
2.8 外圍輔助電路技術 43
2.8.1 存儲陣列電源技術 43
2.8.2 地電平抬升技術 44
2.8.3 雙軌電源技術 46
2.8.4 動態字線電壓技術 47
2.8.5 負位線電壓技術 48
2.8.6 腳踏管技術 49
2.8.7 單端靈敏放大電路 51
2.8.8 基準差分靈敏放大器 53
2.9 SRAM技術的其他應用 55
2.9.1 視頻圖像處理SRAM 55
2.9.2 寄存器文件 57
2.9.3 PUF技術 58
2.9.4 抗輻射加固SRAM 59
2.10 小結 61
參考文獻 61
第3章嵌入式動態隨機存儲器 69
3.1 1T1C eDRAM 69
3.1.結構 69
3.1.2 基本模塊及相應操作 70
3.1.3 1T1C設計中的挑戰 73
3.1.4 IBM在處理器中有關eDRAM的設計 79
3.2 Gain Cell eDRAM 81
3.2.1 2T GC eDRAM 82
3.2.2 3T GC eDRAM 83
3.2.3 4T GC eDRAM 84
3.2.4 基於OSFETs的GC eDRAM 85
3.3 HMC 86
3.4 小結 91
參考文獻 91
第4章嵌入式閃存 95
4.1 Flash的發展背景 95
4.2 eFlas結構 97
4.2.1 浮柵結構的eFla 97
4.2.2 電荷捕獲型的eFla 103
4.3 嵌入式Flash的電路設計 106
4.3.1 eFla電路設計 107
4.3.2 eFlash外圍電路 109
4.3.3 字線驅動溫度自適應技術 110
4.3.4 靈敏放大電路設計技術 111
4.3.5 階梯脈衝擦除技術 116
4.4 小結 118
參考文獻 118
第5章新型嵌入式存儲器 121
5.1 新型存儲器原理介紹 121
5.1.1 ReRAM 121
5.1.2 PRAM 123
5.1.3 MRAM 124
5.1.4 FeRAM 126
5.2 選通器件及陣列設計 127
5.2.1 場效應晶體管（NMOS或PMOS）選通器件 127
5.2.2 雙極型晶體管選通器件 129
5.2.3 二極管或非線性選通器件 131
5.3 新型嵌入式存儲器的電路技術 134
5.3.1 提高讀寫速度及帶寬的電路技術 135
5.3.2 提高讀良率的電路技術 143
5.3.3 提高寫良率及可靠性的電路技術 154
5.4 新型存儲器的應用實例 161
5.4.1 ReRAM應用實例 161
5.4.2 PRAM應用實例 162
5.4.3 MRAM應用實例 163
5.4.4 FeRAM應用實例 164
5.5 新型嵌入式存儲器在計算方面的應用 164
5.5.1 存儲計算 164
5.5.2 機器學習加速 167
5.6 小結 169
參考文獻 169

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