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  • 現代半導體集成電路
    該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信
    【市場價】
    308-448
    【優惠價】
    193-280
    【作者】 楊銀堂,朱樟明,劉簾曦 編著 
    【所屬類別】 圖書  工業技術  電子通信  半導體技術圖書  工業技術  電子通信  微電子學、集成電路(IC) 
    【出版社】電子工業出版社 
    【ISBN】9787121082542
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    內容介紹



    開本:16開
    紙張:膠版紙
    包裝:平裝

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787121082542
    叢書名:電子信息與電氣學科規劃教材

    作者:楊銀堂,朱樟明,劉簾曦編著
    出版社:電子工業出版社
    出版時間:2009年04月 


        
        
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    內容簡介
    本書全面介紹了現代半導體集成電路的基礎知識、分析與設計方法。全書共分為5個部分,部分(第1~2章)為集成電路的基礎知識,主要介紹各種集成器件的結構和模型、集成電路的典型工藝。第二部分(第3~5章)為雙極集成電路,包括TTL、ECL及IIL邏輯門及邏輯擴展、雙極差分放大器及雙極運放電路等。第三部分(第6~8章)為CMOS數字集成電路,分為CMOS基本邏輯電路、CMOS數字子繫統和現代半導體存儲器、第四部分(第9~13章)為CMOS模擬集成電路,包括基本模擬、運算放大器、開關電容電器、數據轉換器和鎖相環。第五部分(第14~16章)為半導體集成電路設計的共性知識,介紹了集成電路的版圖設計、可靠性設計、可測性設計和SOC的設計方法學、軟硬件協同設計及仿真等。每章後面都附有習題。
    本書可作為大專院校微電子學、電子科學與技術、電子信息工程等本科專業的教材,也可供有關專業的本科生,研究生和工程技術人員閱讀參考。
    目錄
    第1章 集成電路器件與模型
    1.1 PN結與二極管
    1.1.1 半導體與PN結
    1.1.2 PN結二極管基本原理
    1.1.3 集成化的肖特基勢壘二極管
    1.2 MOS晶體管及模型
    1.2.1 MOS晶體管基本工作原理
    1.2.2 MOS晶體管大信號模型及體效應
    1.2.3 MOS晶體管小信號模型
    1.2.4 NMOS晶體管的亞閾值特性
    1.2.5 MOS晶體管的短溝道效應
    1.3 雙極型晶體管及模型
    1.3.1 Bipolar晶體管基本工作原理
    1.3.2 Bipolar晶體管大信號模型第1章 集成電路器件與模型
    1.1 PN結與二極管
    1.1.1 半導體與PN結
    1.1.2 PN結二極管基本原理
    1.1.3 集成化的肖特基勢壘二極管
    1.2 MOS晶體管及模型
    1.2.1 MOS晶體管基本工作原理
    1.2.2 MOS晶體管大信號模型及體效應
    1.2.3 MOS晶體管小信號模型
    1.2.4 NMOS晶體管的亞閾值特性
    1.2.5 MOS晶體管的短溝道效應
    1.3 雙極型晶體管及模型
    1.3.1 Bipolar晶體管基本工作原理
    1.3.2 Bipolar晶體管大信號模型
    1.3.3 Bipolar晶體管小信號模型
    1.4 集成電件
    1.4.1 CMOS集成電容
    1.4.2 CMOS集成電阻
    1.5 MOS Spice器件模型
    1.5.1 Spice Levell模型
    1.5.2 Spice Level2模型
    1.5.3 Spice Level3模型
    1.5.4 Spice BSIM3V3模型
    習題一
    第2章 集成電路制造技術
    2.1 集成電路基本制造技術
    2.1.1 硅晶圓的制造
    2.1.2 氧化技術
    2.1.3 擴散與離子注入
    2.2 基本CMOS工藝與器件結構
    2.2.1 基本n阱/雙阱CMOS工藝步驟
    2.2.2 CMOS版圖設計規則
    2.3 基本Bipolar工藝與器件結構
    2.3.l PN結隔離與基本工序步驟
    2.3.2 Bipolar版圖設計規則
    2.3.3 Bipolar工藝的光刻版次
    2.4 基本BiCMOS工藝
    2.4.1 以CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝
    2.4.2 以Bipolar工藝為基礎的BiCMOS工藝
    2.4.3 典型的BiCMOS的光刻版次
    習題二
    第3章 晶體管一晶體管邏輯(TTL)電路
    3.1 TTL與非門
    3.1.1 工作原理
    3.1.2 電壓傳輸特性
    3.1.3 瞬態特性
    3.1.4 電路特點
    3.2 STTL和LSTTL電路
    3.2.1 STTL電路
    3.2.2 1 SITL電路
    3.3 TTL門電路邏輯擴展
    3.4 簡化邏輯門
    3.4.1 簡化邏輯門
    3.4.2 單管邏輯門
    習題三
    第4章 發射極耦合邏輯與集成注入邏輯電路
    4.1 ECL電路
    4.1.1 基本工作原理
    4.1.2 射極耦合電流開關
    4.1.3 射極輸出器
    4.1.4 參考電壓源
    4.1.5 ECL邏輯擴展
    4.2 I2L電路
    4.2.1 I2L工作原理
    4.2.2 I2L電路特性分析
    4.2.3 I2L電路邏輯組合
    4.2.4 I2I與TTL之間的接口電路
    4.3 ECL和I2L工藝與版圖設計
    4.3.1 ECL電路工藝與版圖設計
    4.3.2 I2L電路工藝與版圖設計
    習題四
    第5章 雙極模擬集成電路
    5.1 Bipolar基本放大器
    5.1.1 Darlington放大器
    ……
    第6章CMOS基本邏輯電路
    第7章CMOS數字電路子繫統
    第8章現代半導體存儲器
    第9章CMOS基本模擬電路
    第10章CMOS運算放大器
    第11章CMOS開關電容電路
    第12章CMOS數據轉換器
    第13章CMOS鎖相環(PLL)
    第14章集成電路版圖設計
    第15章集成電路可靠性設計與可測性設計
    第16章片上繫統(SoC)設計初步
    參考文獻
    在線試讀
    第1章 集成電路器件與模型
    1.1 PN結與二極管
    1.1.1 半導體與PN結
    導電能力介於導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。在半導體器件中常用的是硅和锗兩種材料,它們都素,在原子結構中外層軌道上有4個價電子。物質的化學性質是由價電子決定的,導電性能也與價電子有關,其中純淨的半導體稱為本征半導體。半導體中存在兩種載流子,即帶負電荷的自由電子和帶正電荷的空穴。晶體中的共價鍵具有很強的結合力,在熱力學零度(—273.16℃)時,價電子沒有能力脫離共價鍵的束縛,晶體中沒有自由電子,半導體不能導電。室溫下,少數價電子因熱激發而獲得足夠的能量,因而能脫離共價鍵的束縛成為自由電子,同時在原來的共價鍵中留下一個空位,稱為空穴。
    如果這吋施加電場,電子將形成電子電流,空穴形成空穴電流。雖然兩種載流子的運動方向相反,但因它們所帶的電荷極性也相反,所以兩種電流的實際方向是相同的,它們的和即是半導體中的電流。本征半導體的導電能力很弱,但是摻人其素就會使其導電性能發生顯著變化。這素的原子稱為雜質,摻人雜質的半導體稱為雜質半導體,有N型和P型兩類。
    ……


     
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