了得網工業技術_集成電路與等離子體裝備

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集成電路與等離子體裝備
該商品所屬分類：工業技術 -> 電子通信
【市場價】	1854-2688元
【優惠價】	1159-1680元
【作者】	趙晉榮等
【所屬類別】	圖書工業技術電子通信微電子學、集成電路（IC）
【出版社】	科學出版社
【ISBN】	9787030775467
【折扣說明】	一次購物滿999元台幣免運費+贈品一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
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內容介紹

開本：16開

紙張：膠版紙

包裝：精裝

是否套裝：否

國際標準書號ISBN：9787030775467

作者：趙晉榮等

出版社：科學出版社

出版時間：2024年04月

內容簡介

《集成電路與等離子體裝備》主要介紹了集成電路中與等離子體設備相關的內容，具體包括集成電路簡史、分類和發展方向以及面臨的挑戰，氣體放電的基本原理和典型應用、等離子體刻蝕工藝與設備、等離子體表面處理技術與設備、物理氣相沉積設備與工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝與設備、高密度等離子體化學氣相沉積工藝與設備、爐管設備與工藝等。

目錄
TABLE OF CONTENTS
第1章集成電路簡介/1
1.1 集成電路的誕生簡史/1
1.1.1 電子計算機/2
1.1.2 晶體管/4
1.1.3 集成電路/6
1.2 集成電路的發展與挑戰/10
1.2.1 集成電路制造中的尺寸概念/11
1.2.2 平面工藝/14
1.2.3 摩爾定律/16
1.2.4 摩爾定律的延續/17
1.2.5 超越摩爾定律/26
1.3 集成電路分類/27
1.3.1 邏輯處理器/28
1.3.2 存儲器/29
1.3.件集成電路/32
1.3.4 模擬集成電路/32
1.4 集成電路的產業化/32
1.4.1 集成電路的產業化分工/33
1.4.2 集成電路產業化要求/35
1.4.3 集成電路產業化趨勢/37
1.5 集成電路領域中的等離子體設備簡介/38
1.5.1 集成電路制造中的等離子體設備簡介/39
1.5.2 集成電路封裝中的等離子體設備簡介/44
參考文獻/47
第2章等離子體基礎/49
2.1 氣體放電的概念和基本過程/49
2.1.1 氣體放電的基本概念/49
2.1.2 氣體放電基本過程/51
2.2 等離子體放電的基本性質/55
2.2.1 等離子體的基本概念/55
2.2.2 等離子體的基本特征/56
2.2.3 等離子體鞘層/58
2.2.4 等離子體振蕩/60
2.3 典型的氣體放電/61
2.3.1 輝光放電/63
2.3.2 容性放電/64
2.3.3 感性放電/67
2.3.4 電子回旋共振等離子體放電/71
參考文獻/73
第3章集成電路中的等離子體刻蝕工藝與裝備/74
3.1 刻蝕技術的起源和歷史/74
3.2 等離子體刻蝕裝備的分類/78
3.2.1 容性耦合等離子體源/78
3.2.2 電感應耦合等離子體源/79
3.2.3 電子回旋共振等離子體源/79
3.3 等離子體刻蝕工藝過程/80
3.4 等離子體刻蝕工藝評價指標/82
3.4.1 刻蝕速率/82
3.4.2 刻蝕速率均勻性/82
3.4.3 刻蝕選擇比/83
3.4.4 刻蝕形貌/83
3.4.5 刻蝕線寬偏差/84
3.4.6 負載效應/84
3.4.7 刻蝕線邊緣和線寬粗糙度/86
3.4.8 終點檢測/87
3.5 等離子體刻蝕技術在集成電路制造中的應用/89
3.5.1 硅刻蝕/89
3.5.2 多晶硅刻蝕/90
3.5.3 介質刻蝕/91
3.5.4 金屬鋁刻蝕/93
3.6 等離子體刻蝕工藝在集成電路封裝中的應用/94
3.6.1 硅整面減薄工藝/94
3.6.2 深硅刻蝕工藝/96
3.6.3 等離子體切割工藝/99
3.6.4 硅微腔刻蝕工藝/101
3.7 等離子體刻蝕技術的挑戰/104
3.7.1 雙重成像曝光技術/105
3.7.2 鰭式場效應晶體管刻蝕技術/107
3.7.3 高深寬比刻蝕技術/109
參考文獻/110
第4章集成電路中的等離子體表面處理工藝與裝備/113
4.1 集成電路中的等離子體表面處理工藝/114
4.1.1 等離子體去膠工藝/114
4.1.2 刻蝕後等離子體表面處理工藝/117
4.1.3 等離子體表面清潔工藝/118
4.1.4 等離子體表面改性工藝/119
4.1.5 翹*片等離子體表面處理工藝/120
4.1.6 晶圓邊緣等離子體表面處理工藝/121
4.2 集成電路中的等離子體表面處理設備/124
4.2.1 遠程等離子體源/124
4.2.2 晶圓邊緣表面處理設備/127
4.3 等離子體表面處理技術的挑戰/128
4.3.1 等離子體表面處理的損傷問題/128
4.3.2 等離子體表面處理的顆粒問題/129
4.3.3 等離子體表面處理材料種類多樣化/130
4.3.4 晶圓邊緣等離子體表面處理設備均勻性/130
參考文獻/131
第5章集成電路中的物理氣相沉積工藝與裝備/134
5.1 物理氣相沉積設備概述/134
5.1.1 蒸鍍設備/135
5.1.2 直流磁控濺射設備/136
5.1.3 射頻磁控濺射設備/139
5.1.4 磁控濺射和磁控管設計/141
5.2 磁控濺射真空繫統及相關設備/145
5.2.1 靶材/145
5.2.2 真空繫統/146
5.2.3 預加熱繫統和去氣腔室/148
5.2.4 平臺繫統/150
5.3 磁控濺射沉積設備腔室結構/154
5.3.1 預清洗腔室/159
5.3.2 標準PVD腔室/162
5.3.3 長距PVD腔室/165
5.3.4 金屬離子化PVD腔室/171
5.3.5 DC/RFPVD腔室/174
5.3.6 MCVD/ALD腔室的集合/177
5.4 金屬薄膜沉積工藝評價指標/179
5.4.1 薄膜厚度和電阻/180
5.4.2 薄膜應力/181
5.4.3 薄膜反射率/182
5.4.4 顆粒和缺陷控制/183
5.4.5 薄膜組織結構/184
參考文獻/186
第6章等離子體增強化學氣相沉積工藝與裝備/187
6.1 化學氣相沉積和等離子體增強化學氣相沉積/187
6.1.1 化學氣相沉積簡介/187
6.1.2 等離子體增強化學氣相沉積簡介/188
6.2 PECVD工藝原理/192
6.2.1 PECVD冷等離子體特點和電子能量分布函數/193
6.2.2 PECVD等離子體α-mode和γ-mode/195
6.3 PECVD設備/198
6.4 PECVD設備在集成電路制造中的應用/204
6.4.1 刻蝕硬掩膜/204
6.4.2 光刻抗反射膜/205
6.4.3 關鍵尺寸空隙填充/207
6.4.43 DNAND柵極堆疊/207
6.4.5 應力工程和結構應用/209
6.4.6 電介質膜/211
6.4.7 低介電和擴散阻擋/211
6.5 PECVD工藝性能評價/215
6.5.1 變角度光學橢圓偏振儀/215
6.5.2 光譜反射計和稜鏡耦合器/217
6.5.3 傅裡葉紅外光譜儀/217
6.5.4 C-V和I-V電學性質測量/218
參考文獻/220
第7章高密度等離子體化學氣相沉積工藝與裝備/224
7.1 高密度等離子體化學氣相沉積工藝/224
7.1.1 淺溝槽隔離介電質填充/227
7.1.2 層間介電質填充/229
7.1.3 金屬間介電質填充/230
7.1.4 鈍化介電質填充/231
7.1.5 各工藝應用之間的比較/232
7.2 高密度等離子體化學氣相沉積設備/233
7.2.1 設備工藝原理/234
7.2.2 設備硬件設計/234
7.3 高密度等離子體化學氣相沉積工藝性能評價/236
7.3.1 速率/236
7.3.2 膜層質量/238
7.3.3 顆粒與金屬污染/243
參考文獻/245
第8章集成電路中的爐管工藝與裝備/248
8.1 集成電路中的爐管工藝/248
8.1.1 爐管氧化和退火工藝/249
8.1.2 爐管低壓化學氣相沉積工藝/251
8.1.3 爐管原子層沉積工藝/255
8.2 爐管中的批式ALD設備/257
8.2.1 批式ALD設備概況/257
8.2.2 批式ALD設備硬件結構/258
8.2.3 批式ALD設備所能對應的集成電路薄膜/261
8.2.4 批式ALD設備的工藝說明/263
8.3 爐管中的熱處理設備/264
8.3.1 氧化工藝設備/265
8.3.2 合金化/退火工藝設備/268
8.4 爐管在集成電路等離子體設備中的應用/274
8.4.1 爐管原子層沉積設備的等離子體應用介紹/274
8.4.2 爐管原子層沉積氮化硅設備的等離子體應用/278
8.4.3 爐管原子層沉積氧化硅設備的等離子體應用/280
參考文獻/282

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