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  • 自旋電子科學與技術 精裝版
    該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信
    【市場價】
    2406-3488
    【優惠價】
    1504-2180
    【作者】 趙巍勝 
    【所屬類別】 圖書  工業技術  電子通信  一般性問題 
    【出版社】人民郵電出版社 
    【ISBN】9787115620996
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
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    內容介紹



    開本:128開
    紙張:膠版紙
    包裝:平裝-膠訂

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787115620996
    叢書名:集成電路科學與工程前沿

    作者:趙巍勝
    出版社:人民郵電出版社
    出版時間:2023年12月 


        
        
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    編輯推薦

    圍繞集成電路科學與工程一級學科建設,結合當前產業和技術需求組織內容;

    追蹤全球研究前沿,介紹新的自旋電子學知識體繫;

    緊密結合產業實踐,融入作者團隊前沿實驗室的新產業化成果

     
    內容簡介
    自旋電子學是凝聚態物理學、物理電子學、微電子學、固體電子學等多學科交叉形成的一門新興學科,目前已經成為信息科學與技術領域的重要組成部分。利用對電子自旋屬性的控制以及電子自旋的諸多效應可以設計電子器件。例如,基於巨磁阻效應的自旋電子器件在硬盤上作為磁頭的廣泛使用,使硬盤容量在過去20年增長過10萬倍,巨磁阻效應的發現者—法國科 學家阿爾貝·費爾(Albert Fert)和德國科 學家彼得·格林貝格(Peter Grünberg)也因此於2007 年被授予諾貝爾物理學獎。

    本書基於自旋電子學領域近15年快速發展所取得的重要研究成果編寫而成,力求具有前瞻性、繫統性和實用性,內容涵蓋從物理機理到電子器件、從特種設備到加工工藝、從芯片設計到應用場景的相關知識。全書共14章,主要包括自旋電子的起源與發展歷程、巨磁阻效應及器件、隧穿磁阻效應及器件、自旋轉移矩效應及器件、自旋軌道矩效應及器件、自旋納米振蕩器、斯格明子、自旋芯片電路設計及仿真、自旋芯片特種設備及工藝、自旋芯片測試與表征技術、磁傳感芯片及應用、大容量磁記錄技術、磁隨機存儲芯片及應用,以及自旋計算器件與芯片等內容。

    自旋電子學是凝聚態物理學、物理電子學、微電子學、固體電子學等多學科交叉形成的一門新興學科,目前已經成為信息科學與技術領域的重要組成部分。利用對電子自旋屬性的控制以及電子自旋的諸多效應可以設計電子器件。例如,基於巨磁阻效應的自旋電子器件在硬盤上作為磁頭的廣泛使用,使硬盤容量在過去20年增長過10萬倍,巨磁阻效應的發現者—法國科 學家阿爾貝·費爾(Albert Fert)和德國科 學家彼得·格林貝格(Peter Grünberg)也因此於2007 年被授予諾貝爾物理學獎。

    本書基於自旋電子學領域近15年快速發展所取得的重要研究成果編寫而成,力求具有前瞻性、繫統性和實用性,內容涵蓋從物理機理到電子器件、從特種設備到加工工藝、從芯片設計到應用場景的相關知識。全書共14章,主要包括自旋電子的起源與發展歷程、巨磁阻效應及器件、隧穿磁阻效應及器件、自旋轉移矩效應及器件、自旋軌道矩效應及器件、自旋納米振蕩器、斯格明子、自旋芯片電路設計及仿真、自旋芯片特種設備及工藝、自旋芯片測試與表征技術、磁傳感芯片及應用、大容量磁記錄技術、磁隨機存儲芯片及應用,以及自旋計算器件與芯片等內容。

    本書可作為高等學校自旋電子學相關專業研究生和高年級本科生的教材,也可作為自旋電子學相關領域科研工作者和工程技術人員的重要參考資料。

    作者簡介

    趙巍勝 中國科學技術協會第十屆全 國委員會常務委員會委員、第八屆教 育部科學技術委員會委員、北京航空航天大學副校長、自旋芯片與技術全 國重點實驗室常務副主任、“空天信自旋電子技術”工信 部重點實驗室主任、《集成電路與嵌入式繫統》期刊主編。 2019 年入選IEEE Fellow,2020 年入選教 育部“長江學 者獎勵計劃”,2021 年獲科學探索獎和中國電子學會科學技術獎(自然科學)一等獎,2022年獲華為奧林帕斯先鋒獎,2023 年獲中國儀器儀表學會科學技術獎技術發明一等獎,2020—2022 年連續入選愛思唯爾“中國高被引學 者”,曾擔任IEEENANOARCH 2016 及ACM GLSVLSI 2020 國際會議大會主席。 2007 年獲法國巴黎南大學(現巴黎薩克雷大學)物理學博士學位,2009 年任法國國家科學院研究員(終身職位),2013 年入職北京航空航天大學。長期從事自旋電子學、新型信息器件、新型非易失存儲器等領域的交叉研究,取得了一繫列原創性研究成果。2018—2023 年間,共發表ESI 高被引論文15 篇,總被引20 000餘次,H 因子76;獲150 餘項發明專利授權,產權轉讓或授權使用50 餘項。

    目錄
    第 1 章 自旋電子的起源與發展歷程 1

    1.1自旋電子的起源1

    1.1.1電子的發現1

    1.1.2電子自旋的發現4

    1.1.3磁性與自旋7

    1.2自旋電子的發展歷程10

    1.2.1自旋電子的早期應用11

    第 1 章 自旋電子的起源與發展歷程 1

    1.1自旋電子的起源1

    1.1.1電子的發現1

    1.1.2電子自旋的發現4

    1.1.3磁性與自旋7

    1.2自旋電子的發展歷程10

    1.2.1自旋電子的早期應用11

    1.2.2自旋電子的大規模應用14

    1.2.3自旋芯片的新近發展15

    1.3本章小結19

    思考題19

    參考文獻20



    第2 章 巨磁阻效應及器件25

    2.1巨磁阻效應原理26

    2.1.1巨磁阻效應的發現26

    2.1.2巨磁阻效應的理論模型29

    2.2巨磁阻效應器件31

    2.2.1電流在平面內型器件32

    2.2.2電流垂直於平面型器件35

    2.3本章小結39

    思考題39

    參考文獻39



    第3章 隧穿磁阻效應及器件43

    3.1隧穿磁阻效應43

    3.1.1隧穿磁阻效應的發現43

    3.1.2隧穿磁阻效應的理論模型45

    3.2面內磁隧道結器件46

    3.2.1磁各向異性的機理47

    3.2.2基於Al-O 勢壘的磁隧道結48

    3.2.3基於MgO 勢壘的磁隧道結49

    3.2.4面內磁隧道結的基本結構及性能優化54

    3.3垂直磁隧道結器件57

    3.3.1垂直磁各向異性的發展57

    3.3.2垂直磁隧道結的基本結構及性能優化60

    3.4本章小結65

    思考題66

    參考文獻66



    第4章 自旋轉移矩效應及器件73

    4.1自旋轉移矩效應73

    4.1.1磁動力學原理及其發展歷程73

    4.1.2自旋轉移矩效應的原理76

    4.1.3自旋轉移矩效應的實驗驗證78

    4.2自旋轉移矩器件79

    4.2.1基於面內磁各向異性的磁隧道結79

    4.2.2基於垂直磁各向異性的磁隧道結83

    4.2.3新型自旋轉移矩器件結構優化87

    4.3本章小結92

    思考題92

    參考文獻93



    第5章 自旋軌道矩效應及器件99

    5.1自旋軌道矩效應99

    5.1.1自旋軌道耦合100

    5.1.2自旋霍爾效應101

    5.1.3Rashba-Edelstein 效應102

    5.1.4自旋軌道矩翻轉的微觀機理103

    5.1.5自旋軌道矩與自旋轉移矩的協同效應105

    5.2自旋軌道矩器件的關鍵材料106

    5.2.1非磁性重金屬106

    5.2.2反鐵磁金屬108

    5.2.3拓撲絕緣體109

    5.3自旋軌道矩器件110

    5.3.1面內磁各向異性自旋軌道矩器件110

    5.3.2面內雜散場輔助的自旋軌道矩器件111

    5.3.3交換偏置場輔助的自旋軌道矩器件112

    5.3.4自旋軌道矩與自旋轉移矩協同器件114

    5.3.5自旋軌道矩與電壓調控磁各向異性協同器件116

    5.4本章小結119

    思考題119

    參考文獻120



    第6章 自旋納米振蕩器129

    6.1自旋納米振蕩器概述129

    6.1.1自旋納米振蕩器的工作原理130

    6.1.2自旋納米振蕩器的基本結構131

    6.1.3自旋納米振蕩器的振蕩模式135

    6.2自旋納米振蕩器的關鍵性能139

    6.2.1自旋納米振蕩器的基礎性能139

    6.2.2自旋納米振蕩器的同步特性142

    6.3基於自旋納米振蕩器的潛在應用144

    6.3.1基於自旋納米振蕩器的類腦計算144

    6.3.2基於自旋納米振蕩器的其他潛在應用145

    6.4自旋納米振蕩器存在的問題與解決方案147

    6.4.1自旋納米振蕩器的性能瓶頸147

    6.4.2自旋納米振蕩器集成電路設計的復雜性148

    6.5本章小結149

    思考題150

    參考文獻150



    第7章 斯格明子155

    7.1斯格明子概述155

    7.1.1斯格明子的定義與拓撲穩定性155

    7.1.2斯格明子的發現過程160

    7.1.3斯格明子的研究意義160

    7.2斯格明子的研究方法162

    7.2.1斯格明子的微磁學仿真計算162

    7.2.2斯格明子表征的相關實驗技術163

    7.3斯格明子的材料體繫166

    7.3.1手性磁體166

    7.3.2磁性薄膜166

    7.3.3二維範德瓦爾斯材料168

    7.4斯格明子電子學的物理基礎168

    7.4.1斯格明子的產生168

    7.4.2斯格明子的輸運171

    7.4.3斯格明子的檢測173

    7.5斯格明子電子器件概念及應用175

    7.5.1基於斯格明子的傳統器件175

    7.5.2基於斯格明子的新型計算器件178

    7.6斯格明子電子學未來的發展與挑戰183

    7.7本章小結184

    思考題185

    參考文獻185



    第8章 自旋芯片電路設計及仿真191

    8.1自旋電子器件建模與驗證192

    8.1.1物理模型193

    8.1.2模型構架198

    8.1.3模型仿真驗證201

    8.2自旋電子器件工藝設計包205

    8.2.1庫206

    8.2.2工藝文件206

    8.2.3版圖驗證文件207

    8.2.4庫209

    8.31 KB 磁存儲器電路的設計與仿真驗證210

    8.3.1繫統架構210

    8.3.2核心模塊電路212

    8.3.3功能仿真驗證218

    8.4本章小結219

    思考題220

    參考文獻220



    第9章 自旋芯片特種設備及工藝224

    9.1器件制備工藝概述224

    9.1.1巨磁阻器件的制備工藝225

    9.1.2磁隧道結器件的制備工藝226

    9.2膜堆制備設備及工藝228

    9.2.1超高真空磁控濺射設備及工藝229

    9.2.2磁場退火設備及工藝239

    9.3圖形轉移設備及工藝241

    9.3.1光刻設備及工藝241

    9.3.2刻蝕設備及工藝246

    9.4器件片上集成工藝251

    9.4.1磁隧道結前處理工藝253

    9.4.2磁隧道結後處理工藝255

    9.5本章小結256

    思考題257

    參考文獻257



    第10 章 自旋芯片測試與表征技術263

    10.1薄膜基本磁性表征技術263

    10.1.1磁強計263

    10.1.2磁光克爾測量儀266

    10.1.3鐵磁共振表征技術267

    10.1.4時間分辨磁光克爾測量儀274

    10.1.5磁光克爾顯微成像及磁疇動力學表征276

    10.1.6布裡淵光散射裝置283

    10.1.7X 射線磁圓二色286

    10.2自旋電子器件表征技術289

    10.2.1自旋輸運測試289

    10.2.2磁動態超快電學特性表征技術296

    10.2.3自旋電子器件中的磁疇動力學表征298

    10.3自旋芯片表征299

    10.3.1晶圓級多維度磁場探針臺300

    10.3.2電流面內隧穿測試儀301

    10.4本章小結303

    思考題303

    參考文獻303



    第11 章 磁傳感芯片及應用311

    11.1磁傳感芯片概述311

    11.1.1312

    11.1.2惠斯通電橋結構316

    11.1.3傳感器電路320

    11.2磁傳感芯片中的噪聲320

    11.2.1噪聲來源322

    11.2.2降噪方法324

    11.3磁傳感芯片應用326

    11.3.1電子羅盤326

    11.3.2轉速檢測329

    11.3.3電流檢測331

    11.3.4生物醫學檢測332

    11.4本章小結334

    思考題335

    參考文獻335



    第12 章 大容量磁記錄技術341

    12.1硬盤存儲技術的發展341

    12.1.1水平磁記錄與垂直磁記錄341

    12.1.2硬盤磁頭342

    12.1.3大容量存儲面臨的挑戰345

    12.2微波輔助磁記錄346

    12.2.1微波輔助磁翻轉效應346

    12.2.2微波輔助磁記錄繫統的結構349

    12.2.3微波輔助磁記錄繫統的設計及優化350

    12.3熱輔助磁記錄353

    12.3.1熱輔助磁記錄基本原理353

    12.3.2熱輔助磁記錄繫統的結構356

    12.3.3熱輔助磁記錄繫統的設計及優化358

    12.4本章小結362

    思考題363

    參考文獻363



    第13 章 磁隨機存儲芯片及應用366

    13.1磁隨機存儲器的發展及現狀366

    13.2Toggle-MRAM369

    13.2.1磁場寫入方法及原理369

    13.2.2Toggle-MRAM 的主要應用場景370

    13.2.3Toggle-MRAM 的發展現狀與未來展望371

    13.3STT-MRAM371

    13.3.1STT-MRAM 的發展歷程371

    13.3.2STT-MRAM 的主要應用場景374

    13.3.3STT-MRAM 的發展現狀與未來展望377

    13.4SOT-MRAM377

    13.4.1SOT-MRAM 的寫入機理379

    13.4.2SOT-MRAM 的設計難點381

    13.4.3SOT-MRAM 的工藝挑戰384

    13.4.4SOT-MRAM 的現狀與展望385

    13.5本章小結387

    思考題387

    參考文獻388



    第14 章 自旋計算器件與芯片397

    14.1存算一體397

    14.1.1存算一體的技術簡介397

    14.1.2存算一體的技術方案與挑戰399

    14.1.3自旋存算一體403

    14.2自旋類腦器件及芯片410

    14.2.1自旋類腦器件411

    14.2.2類腦計算模型413

    14.2.3類腦計算芯片416

    14.3磁旋邏輯器件417

    14.3.1磁旋邏輯器件的基本結構418

    14.3.2基於磁電耦合效應的信息寫入418

    14.3.3基於逆自旋霍爾效應的信息讀取422

    14.3.4磁旋邏輯建模和仿真驗證425

    14.3.5磁旋邏輯器件展望427

    14.4本章小結427

    思考題428

    參考文獻428

    中英文術語對照表443









     
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