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  • 植根厚土 篤行致遠——鄭厚植院士文集
    該商品所屬分類:自然科學 -> 總論
    【市場價】
    6403-9280
    【優惠價】
    4002-5800
    【作者】 中國科學院半導體研究所 
    【所屬類別】 圖書  自然科學  總論 
    【出版社】科學出版社 
    【ISBN】9787030717481
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
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    內容介紹



    開本:16開
    紙張:膠版紙
    包裝:精裝

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787030717481
    作者:中國科學院半導體研究所

    出版社:科學出版社
    出版時間:2022年06月 

        
        
    "

    內容簡介
    《植根厚土 篤行致遠:鄭厚植院士文集》梳理和總結中國科學院院士、物理學家鄭厚植先生近60年從事物理學領域科研活動的歷程。主要包括鄭厚植院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研評述、學術咨詢、自傳等內容。鄭厚植院士是我國著名的物理學家,在理論及應用方面對半導體低維量子結構中的新效應進行了繫統的研究,並取得多項重要成果,對推動我國半導體物理科學領域的學術繁榮、學科發展、技術創新、產業振興以及人纔培養做出了重要貢獻。
    目錄
    目錄

    部分自述
    自述3
    第二部分論著選編
    Magnetoconductance studies on InP surfaces13
    Electron subbands on InP19
    Electron subbands on InP23
    Observation of size effect in the quantum Hall regime41
    Distribution of the quantized Hall potential in GaAs AlxGa1-xAs heterostructures49
    Size effect in the quantum Hall regime56
    Gate controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures61
    Influences of particle hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two dimensional hole systems70
    Influences of a parallel magnetic field on localization of disordered twodimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures86
    Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs doublebarrier structures93
    Γ-X-Γ magneto tunneling oscillations in GaAs/AlAs double barrier structures100
    Tunneling escape time of electrons from a quantum well with Γ-X mixing effect107
    Density of states of the twodimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double barrier structures114
    Studies on tunneling escape time of electrons from a quantum well in multilayered heterostructures129
    Direct observation for the reduction of exciton binding energy induced by perpendicular electric field136
    Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells143
    The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix150
    Suppression of sequential tunneling current by a perpendicular magnetic field in a three barrier, two well heterostructure157
    Electron transport through a double quantum dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions163
    Magnetoexciton polaritons in planar semiconductor microcavities172
    Electrical manifestation of the quantum confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well180
    Capacitance voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells188
    ivInfluence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov Bohm structure composed by two dots and two reservoirs195
    Ultrafast geometric manipulation of electron spin and detection of the geometric phase via Faraday rotation spectroscopy206
    Evaluation of holonomic quantum computation:adiabatic versus nonadiabatic214
    Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum dot embedded microcavity222
    Conditions for the local manipulation of tripartite Gaussian states229
    Laterally confined modes in wet etched, metal coated, quantum dot inserted pillar microcavities237
    Noiseless method for checking the Peres separability criterion by local operations and classical communication244
    A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga,Mn)As253
    A new type of photoelectric response in a double barrier structure with a wide quantum well262
    Spin polarized injection into a p-type GaAs layer from a Co2MnAl injector267
    Measurement of the transmission magnetic circular dichroism of Ga1-x MnxAs epilayers using a built in p-i-n photodiode275
    Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature284
    GaAs/P型AlxGa1-xAs 異質結界面二維空穴的量子輸運特性295
    Photonstorage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot quantum well hybrid structure304
    Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states312
    靜壓下半導體微腔內激子與光子行為的研究320
    Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wettinglayer fluctuation325
    Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure336
    Tuning a binary ferromagnet into a multistate synapse with spin orbit torque induced plasticity346
    超導/低維電子氣耦合體繫研究361
    半導體微腔中的重要物理現像385
    第三部分科研評述
    鄭厚植與低維半導體物理421
    第四部分學術咨詢
    創新三思435
    21世紀的納米技術439
    我國半導體超晶格科學的進展442
    學習《論科學技術》培養青年科技人纔448
    迎接挑戰,重視量子結構、量子器件及其集成技術的基礎研究450
    整數、分數量子霍爾效應簡介453
    中國科技如何應對WTO470
    人工物性剪裁——半導體超晶格物理、材料及新器件結構的探索472
    微電子、光電子與微繫統子領域技術趨勢與展望475
    具有變革性的光電子、光子器件技術發展路線圖479
    半導體物理485
    關於影響我國發展的重大科技問題的思考494
    關於太陽能作為可再生能源的經濟評價499
    太陽能發電作為可再生能源的主要科學技術問題503
    關於發展我國新固態光源(SSL)的建議513
    第五部分信件往來
    給常州市懷德苑小學四(1)班同學們的一封信523
    給常州市懷德苑小學三(5)班同學們的一封信524
    給學生的一封回信525
    一段遙遠的回憶——祝賀我的母校上海市曹楊第二中學建校60周年526
    第六部分行政管理
    中國科學院半導體研究所《知識創新工程》試點方案概要529
    半導體超晶格國家重點實驗室的建立和發展532
    關於國家“十五”科技計劃體繫研究的一點看法536
    關於研究所發展戰略的若干思考——高技術創新與資本運營538
    光輝的業績,永恆的師表541
    深化改革、繼往開來——紀念中國科學院半導體研究所建所40周年543
    中國科學院半導體研究所改革進程的若干情況547
    所長任期述職報告(1994—1998年)566
    所長述職報告(1999—2002年)580
    攜手前進、迎接挑戰——祝賀清華大學微電子學研究所成立20周年618
    在第十四屆全國半導體物理學術會議暨半導體物理學術討論會開幕式上的講話620
    在中國科學院半導體研究所領導換屆大會上的講話622
    繼往開來,重視和加強低維量子結構的物理研究——祝賀黃昆院士80華誕624
    一代宗師德厚流光——紀念黃昆先生誕辰100周年625
    榮譽表彰631
    授權專利632
    培養學生名單635<


     
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