碳化硅技術基本原理
作 者: (日)木本恆暢,(美)詹姆士A.庫珀(James A.Cooper) 著；夏經華 等 譯
定 價: 150
出?版?社: 機械工業出版社
出版日期: 2018年05月01日
頁 數: 500
裝 幀: 平裝
ISBN: 9787111586807
●譯者序
●原書前言
●原書作者簡介
●章 導論1
●1.1 電子學的進展1
●1.2 碳化硅的特性和簡史3
●1.2.1 早期歷史3
●1.2.2 SiC晶體生長的革新4
●1.2.3 SiC功率器件的前景和展示5
●1.3 本書提綱6 參考文獻7
●第2章 碳化硅的物理性質10
●第3章 碳化硅晶體生長36
●第4章 碳化硅外延生長70
●第5章 碳化硅的缺陷及表征技術117
●第6章 碳化硅器件工藝177
●第7章 單極型和雙極型功率二極管262
●第8章 單極型功率開關器件286
●第9章 雙極型功率開關器件336
●9.1 雙極結型晶體管（BJT） 336
●9.1.1 內部電流337......
內容簡介
本書是一本有關碳化硅材料、器件工藝、器件和應用方面的書籍，其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的表征、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念，單／雙極型器件的物理和特征、擊穿現像、高頻和高溫器件，以及碳化硅器件的繫統應用，涵蓋了基本概念和新發展現狀，並針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。
(日)木本恆暢,(美)詹姆士A.庫珀(James A.Cooper) 著；夏經華 等 譯
木本恆暢，日本京都大學電子科學與工程繫的教授。他的主要科研活動包括SiC的外延生長、光學和電學特性表征、缺陷電子學、離子注入、金屬-氧化物-半導體（MOS）物理和高電壓器件。此外，他也參與了在納米級的硅、锗器件、非易失存儲器中用新型材料，以及基於氮化鎵（GaN）的電子器件方面的研究。
詹姆士A.庫珀，美國普渡大學電氣與計算機工程學院的一位半導
老級人物。
作為各類電力電子繫統中的關鍵部件，功率半導體器件受到越來越多的關注。 功率器件的主要應用包括電源、電機控制、可再生能源、交通、通信、供熱、機器人技術及電力傳輸和分配等方面。半導體功率器件在這些繫統中的應用可以顯著能源，加強化石燃料的節約，並減少環境污染。 隨著一些新興市場的出現，包括光伏電池和燃料電池的電能變換器、電動汽車（ＥＶ）和混合動力電動汽車（ＨＥＶ）用電能變換器和逆變器，以及智能電力設備配電網的控制，電力電子在過去的十年裡再次引發全新的關注。目前，半導體功率器件是未來全球節能和電能管理的關鍵推動力之一。 在過去的幾十年裡，硅功率器件得到了顯著的提升。然而，這些器件正在接近由硅的基本材料特性所限定的性能極限，進一步性能的提升隻有通過遷移到更強大......
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