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產品名稱:硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝... ISBN編號:9787568410304 書名:硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝層的研究 硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝層的研究 作者:杜文漢 代碼:35 開本:32開 是否是套裝:否 出版社名稱:江蘇大學出版社
" 硅基高K氧化物鍶硅界面緩衝層的研究 作 者:杜文漢 著 定 價:35 出 版 社:江蘇大學出版社 出版日期:2018年12月01日 頁 數:123 裝 幀:平裝 ISBN:9787568410304 ●章 緒論 1.1 背景簡介 1.1.1 Sr/Si體繫研究的興起 1.1.2 硅基氧化物晶態外延生長研究近況 1.1.3 Sr/Si表面的研究近況 1.1.4 SrTiO3/Si(100)和Sr/Si體繫研究存在的問題 1.2 研究內容 1.3 主要實驗方法和儀器 1.3.1 PLD實驗方法 1.3.2 STM簡介 1.3.3 儀器繫統 第2章 Sr/Si(100)再構表面的制備 2.1 引言 2.2 Sr/Si(100)的獲得 2.2.1 Si(100)襯底再構表面的獲得 2.2.2 SrO/Si(100)的制備 2.2.3 SrO/Si(100)結構表征方法 2.3 Sr/Si(100)表面SrO晶態的形成 2.4 Sr/Si(100)高溫退火情況 2.5 高溫SrO/Si(100)表面隨時問的變化 2.6 結論 第3章 Sr/Si(100)-2×3表面的幾何結構及初始氧化研究 3.1 引言 3.2 實驗及理論計算方法 3.2.1 實驗方法 3.2.2 理論計算 3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的電子和幾何結構 3.3.1 Sr/Si(100)-2×3表面STM特征 3.3.2 I-V和dI/dV特性 3.3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的幾何結構與電子之間的相互關聯 3.3.4 Sr/Si(100)-2×3電子態變溫結果 3.3.5 Sr/Si(100)-2×6及2×3的極低偏壓圖像 3.4 Sr/Si(100)-2×3表面的初始氧化及其結構 3.4.1 Sr/Si(100)-2×3表面氧化及還原過程 3.4.2 氧的初始吸附和氧化位 3.5 Sr/Si(100)-2×3干淨表面的原始缺陷及其電子態 3.6 結論 第4章 Sr/Si(100)-2ב1’再構表面及原子的動態移動 4.1 引言 4.2 Sr/Si(100)-2ב1’表面的獲得 4.3 實驗主要結果及討論 4.3.1 Sr/Si(100)-2ב1’表面的結構 4.3.2 Sr/Si(100)-2ב1’表面室溫下原子的遷移現像 4.4 結論 第5章 Sr/Si(111)-3×2表面結構及原子遷移 5.1 引言 5.2 Sr/Si(111)-3×2表面的獲得 5.2.1 襯底Si(111)-7×7 5.2.2 Sr/Si(111)-3×2表面的獲得 5.3 Sr/Si(111)-3×2表面形貌及原子鏈的整體遷移 5.3.1 Sr/Si(111)-3×2表面的典型形貌 5.3.2 Sr/Si(111)-3×2表面的電子結構 5.3.3 Sr/Si(111)-3×2表面的結構模型 5.3.4 Sr原子鏈的移動現像及機制 5.4 結論 第6章 TiSi2/Si(100)納米島的STM研究 6.1 引言 6.2 實驗過程與結果分析 6.2.1 實驗過程 6.2.2 結果分析 6.3 納米島產生的原因 6.4 結論 第7章 總結及展望 7.1 主要結論 7.1.13 種表面再構的分析比較 7.1.2 幾種新現像的發現與解釋 7.2 展望 參考文獻 內容簡介 借助STM這個可以提供原子尺度結構和電子態的有力工具,本書對Sr/Si體繫進行了深入的研究,主要分為以下3個部分:(1)部分:Si(100)襯底上的Sr/Si再構;(2)第二部分:Si(111)襯底上的Sr/Si再構;(3)第三部分:超薄SrTiO3膜的高溫晶化。 杜文漢 著 "![](http://img.alicdn.com/imgextra/i1/2455124912/O1CN01P15eQN1m9k1G4hr1l_!!0-item_pic.jpg)
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